抗真菌蛋白Rs-AFP2基因定点突变及其对大肠杆菌中表达的影响

为了研究遗传密码子对表达调控的影响,利用PCR重叠延伸法,对萝卜抗真菌蛋白Rs-AFP2基因编码序列区的部分核苷酸进行沉默突变,构建突变体Rs-AFPm.序列分析表明,PCR产物全长240bp,有一个阅读框,编码的蛋白由29个氨基酸的信号肽和51个氨基酸的抗真菌蛋白组成.突变体与突变前的Rs-AFP2基因相比,在编码区第3号氨基酸Lys相差一个碱基(TTG→TTA),第5号氨基酸Gln相差一个碱基(CAG→CAA),第6号稀有密码子Arg相差两个碱基(CAG→CGA).重新合成引物,将切除信号肽的Rs-AFP2基因和Rs-AFPm基因与原核表达载体pET-21b(+)分别重组到大肠杆菌BL21菌株.IPTG诱导后,二者均得到了表达.软件分析显示,突变前pETAFPo表达产物占全菌蛋白的3%,突变后pETAFPm的表达产物占全菌蛋白含量的8%;表达蛋白主要以包涵体的形式存在,包涵体经超声波破碎后,蛋白质复性,抑菌结果表明,pETAFPm表达产物的抑菌半径大于pETAFP2表达产物的抑菌半径.这些都说明改造后的Rs-AFPm基因与Rs-AFP2基因相比,已有效地提高表达量.     

豚鼠耳蜗毛细胞静纤毛变异的扫描电镜观察

为进一步了解豚鼠耳蜗毛细胞静纤毛变异的形态特征和原因，采用本实验室20多年各种实验动物耳蜗的扫描电镜观察标本，回顾分析耳蜗毛细胞静纤毛的形态特征和变异。收集正常对照豚鼠37只，受噪声刺激者187只，给予耳毒性药物（奈替米星）实验者20只，WM88拈抗庆大霉素耳毒性实验观察24只，丹参滴耳液实验6只，激光辐射镫骨底板实验7只，给予负压和超压者6只，接受次声者23只。共观察豚鼠310只，620只耳蜗。样品制备按照常规或本实验室改良的技术方法进行，所有动物均快速断头处死，取出双侧颞骨，挑破圆窗膜，取出镫骨，打开卵圆窗，用针在耳蜗尖挑一小孔，用21．5％戊二醛做蜗管内灌注固定，随后置冰箱连续固定8h。0．1mol／L磷酸缓冲液漂洗后，1％四氧化锇固定2h。然后在0．1mol／L磷酸缓冲液中去除耳蜗骨壳，去除螺旋韧带、前庭膜，充分暴露Corti器。单宁酸导电染色，梯度酒精脱水，HCP-2型临界点干燥仪干燥，E-102型离子溅射仪镀金。Philip SEM 505型或Hitachi S-800型扫描电镜观察。     

ＣＲＳ叠加技术及其应用

地震资料常规处理中的速度分析、动校正、剩余静校正等均是以反射点为基本反射单元进行研究，对于复杂地质界面来说，地下反射点的信息分布在临近多个CDP点上，用常规方法处理无疑会损失许多有用信息。CRS叠加技术是在地震资料处理中利用邻近多个反射点组成的共反射面信息进行动校叠加。介绍了利用CRS叠加技术进行叠加成像及剩余静校正的基本原理及应用。     

一类捕食者-食饵模型正周期解的存在性

利用MAWHIN重合度理论中的延拓定理研究了具有HollingⅢ型功能性反应的捕食者-食饵系统非平凡周期解的存在性，得到了周期解存在的一个充分条件，并对一些参数和初始值进行了数值模拟。     

对悬臂式单转子离心机械临界转速的分析

离心机械是石油、化工、采矿等行业的常用机械,在使用过程中常出现振动现象,从而减少机器的使用寿命。要使机器运转平稳,在机器设计时必须进行临界转速计算,以使机器运转工况避开其临界转速。通过对离心机械临界转速公式的研究,发现悬臂式单转子离心机械的临界转速中窄转子离心机械有1个临界转速,宽转子离心机械有2个临界转速。     

宝浪油田宝北区块低渗透油藏层系优化研究

针对宝浪油田宝北区块低孔低渗油藏地质特征以及油层层数多、分布井段长、部分零散层动用难度大等问题 ,研究了宝北区有效厚度、油层层数、单井产能及单井控制地质储量等层系划分与组合的技术经济界限 ,并在此基础上进行了宝北区层系划分与组合优化论证 ,最终优选出宝北区开发层系     

武汉市堤防建设创新及拉动效应

新形势下,制度创新和机制创新对堤防建设显得尤为重要。湖北省武汉市在堤防建设中大胆创新,实行行政首长负责制与项目法人责任制相结合的组织制度,建立建设单位负责、施工单位保证、监理单位控制、政府部门监督的质量保证体系,保证了施工进度和工程质量。武汉市成功的堤防建设提升了防洪安全系数,拉动了经济社会的发展,推动了治水理念的转变。     

人工神经网络理论及其应用

简要介绍了人工神经网络的发展过程和基本理论，从神经网络具有自学习功能、联想存储功能和高速寻找优化解的能力三个方面论述了其特点和优越性，详细阐述了在模式识别、信号处理、自动控制、人工智能、自适应的人机接口、优化计算、通信以及其它方面的应用，探讨和分析了其发展前景。     

用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱,量子线及其光学性质

本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层比较有利。用此技术，在ＧａＡｓ非平面衬底上生长了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ量子阱，并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了ＭＣＣＶＤ外延生     

船闸弧形闸门门下集中输水消能方式的研究

本文针对现有船闸弧形闸门门下集中输水消能方式存在的问题，通过试验研究，提出一种新的消能方式。使消能室内水流的淹没度增加，消能更充分，流速迅速达到正常分布，使闸室内镇静段的长度，比原消能方式闸室内镇静段的长度要短。该消能方式不仅适用船闸孤形闸门门下集中输水，而且对船闸其他形式的闸门门下集中输水同样适用。