纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术

应变硅衬底材料——弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响。综述了近年来用于纳米CMOS电路的各类弛豫SiGe层的制备技术,并对弛豫SiGe层中应变测量技术进行了简单的介绍,以期推动应变硅技术在我国芯片业的应用。     

浅论煤炭企业扩张中的税收筹划

提出了煤炭企业在产业结构调整和对外扩张过程中应考虑的纳税筹划问题，重点应在产业选择、投资方式、新办企业的注册地点、企业组织方式等方面选择有利于企业纳税的方案。     

低应变SiGe/Si异质结构的应变弛豫与界面扩散

利用透射电子显微镜(TEM)和同步辐射X射线白光形貌术研究了低应变SiGe/Si异质结构应变弛豫和界面扩散。观察到SiGe外延层未发生应变弛豫,Si缓冲区和Si衬底中有颗粒状析出物。     

ZnO过渡层对BiFeO_3薄膜铁电性能的影响

采用溶胶–凝胶法,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上采用逐层退火工艺制备了BFO(BiFeO3)、ZnO/BFO和ZAO(掺铝氧化锌)/BFO薄膜,研究了ZnO、ZAO过渡层对BFO薄膜晶相以及铁电、漏电和介电性能的影响。结果表明:与BFO薄膜相比,ZnO/BFO薄膜的表面更加致密、平整,结晶性更好,双剩余极化强度(2Pr)有非常大的提高,漏电和介电性能也均有改善。ZAO/BFO薄膜的铁电性能比ZnO/BFO薄膜的铁电性能差,这与ZAO的导电性强于ZnO有关。     

综放工作面高位瓦斯抽放巷瓦斯治理技术

随着开采深度的加大,高瓦斯矿井采煤工作面瓦斯涌出量会越来越大,鹤煤集团三矿开展了高位瓦斯抽放巷治理瓦斯技术研究,配套大管径抽采,解决了单一低透煤层瓦斯超限问题,实现了综放工作面的高产高效生产。     

综放工作面高位裂隙钻孔瓦斯抽放技术实践

针对矿区煤层透气性系数低、采前瓦斯预抽效果差、工作面瓦斯易超限的实际情况,鹤壁三矿通过高位裂隙抽放钻孔对煤岩层卸压带瓦斯进行抽放,解决了工作面的瓦斯超限问题,实现了安全生产,为矿区瓦斯治理提供了一种有效途径。     

搭建话题和课题之间的桥梁——谈如何指导选择、提炼课题

研究性学习作为一门课程而言，是以问题为载体，通过学生自主解决问题的过程来进行学习的。因此，怎样开展好研究性学习，首先要考虑的一个问题是研究课题的选择。课题选得怎样，关系到研究有无价值，能否顺利进行等一系列重要问题。两次获诺贝尔奖的巴尔丁博士曾说，决定一个研究能否取得成效，很重要的一点就是看他所选择的科研课题。     

德国“鼬鼠”装甲车及其变型车的发展

“鼬鼠”空降侦察车是德国波尔舍公司为满足原联邦德国空降兵部队的要求而设计的。后来克虏伯·马克机器制造厂在竞争该车的生产厂家的竞标中夺标,于1989-1992年期间,共为德国空降部队制造了345辆,并称其为“鼬鼠”1。“鼬鼠”1 该车有2种基本改进塑:“鼬鼠”Mk20和“鼬鼠”TOW。“鼬鼠”Mk20型车内有2名乘员。其“库卡”单人炮塔上安装有莱茵金属公司的Mk20 Rh202式20毫米自动炮;     

BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT

在12 5 m m标准CMOS工艺线上,对标准CMOS工艺经过一些必要的改动后,研制出了多叉指功率Si GeHBT.该器件的BVCBO为2 3V .在较大IC范围内,电流增益均非常稳定.在直流工作点IC=4 0 m A ,VCE=8V测得f T为7GHz,表现出较大的电流处理能力.在B类连续波条件下,工作频率为3GHz时,测得输出功率为31d Bm,Gp 为10 d B,且PAE为33.3% .测试结果表明,单片成品率达到了85 % ,意味着该研究结果已达到产业化水平.     

泡沫塑料开闭孔体积百分率试验装置与方法

研究了泡沫塑料的开、闭孔体积百分率的测定方法、研制出一套结构简单、操作方便、测试准确的测定泡沫塑料开、闭体体积百分率的测定装置。