排序方式： 共有43条查询结果，搜索用时 31 毫秒
31.
在开管H_2气流系统中,利用普通滑移舟,在(111)A CdTe衬底上;液相外延生长出Hg_(1-x)Cd_xTe(0.17≤x≤0.3)外延层。用这种方法生长的x=0.2的外延层,空穴浓度在10~(17)—10~(18)厘米~(-3)范围,霍耳迁移率在100—500厘米~2/伏秒范围。外延层的表面似镜面一般,电子显微探针分析(EMPA)得到的外延层的数据表明:在外延层和衬底之间的界面处,有陡变的成份转变。也研究了在250—400℃温度范围内的Hg过压条件下,退火对生成层性能的影响。观测在400℃退火后界面附近组份的变化。与此相反,在250—300℃温度范围内退火,得到了性能良好的n型层,未出现明显的组份变化。同时论证了可以在(111)A CdTe衬底上连续生长Hg_(1-x),Cd_xTe/Hg_(1-y)Cd_yTe的双异质结构。 相似文献
32.
应用旋转盘方法生长了以大面积(010)晶面为籽晶的1-丙氨酸掺杂TGS晶体。改装普通的水溶液装置,使能在适当的流动条件下进行(010)晶面上的稳定生长,得到的晶体是高质量的,没有从籽晶繁衍下来的缺陷,通过缀饰和偏压场测量证明,由于均匀掺杂,改善了电性能。这些优点对热释电成象器件的应用特别重要。本文介绍选用的装置和晶体的生长,并讨论这种方法的优点。 相似文献
33.
本文介绍研制混合式红外焦平面阵列方面的新成果,注意力集中在利用与电荷耦合器件(CCD)多路传输器源耦合的背照射InAsSb和HgCdTe光伏探测器的混合式焦平面阵列。用实验论证了输入电路,电荷撇取和电荷分配的背景抑制能力。介绍了有关均匀性方面的数据以及MOS场效应晶体管(MOSFET)输入的阈电压与温度的关系,此关系与理论上的计算值很一致。本文还讨论了与混合式红外焦平面阵列有关的几种噪声问题。对有反馈放大器的源耦合输入电路的噪声进行了分析,结果表明:虽然增加了两个新的噪声源,但是此电路工作的噪声能比单一源耦合输入电路的噪声更小。为了进一步了解焦平面的工作,已经制作了一个与实验数据极一致的噪声性能模型。最后,讨论了混合式焦平面阵列的性能。 相似文献
34.
35.
36.
本文评论关于红外应用的分子束外延(MBE)生长CdTe和HgCdTe膜的现状。MBE方法的实力在于有极好的均匀性、体状霍耳特性和清晰的界面控制。不过,生长方法是复杂的,掺杂难以控制,需要的高汞流量引起了制作方面的问题。本文还叙述离子束溅射法的初步结果,并针对MBE的局限性,讨论这种技术的适用性。 相似文献
37.
优质光伏InSb二极管与场效应晶体管(FET)多路传输(MUX)线路联结,实现了有用的电荷积分。已研制出一种由场效应晶体管多路传输器与128个InSb二极管线列耦合的试验性探测器组件。第一级结型场效应晶体管(J-FET)前放、象元复位开关、多路传输器及InSb阵列都装在一个小体积(1—3/4英寸×1×1/8英寸)的混合微型电路中。还采用了混成式制作技术所固有的低视频线路电容的低噪声前放布局。测量表明:信噪比超过1000:1,响应均匀性为±2％。实例图象能显示出微小的细节,证实了估算的辐射测量灵敏度为0.01K NE△t(噪声等效温差)。 相似文献
38.
激光半主动导弹系统——一种精密制导武器——用于末段寻的中,然而由大气和战场气溶胶后向散射体引起的杂波信号,使探测性能衰变。通过外场试验和计算机模拟,确定了目标和杂波信号之间的差异。在此基础上,研制出两种新的识别和探测技术,并对其作了评价。第一种技术兼有快速傅里叶变换(FFT)处理,反向滤波和自适应探测,而第二种技术是在时域中完成数字滤波而以频域评价结果。两种技术应用于实际目标和杂波信号,使信噪比改进10dB。自适应探测与反向滤波相结合,能给所处理的所有目标信号和杂波提供正确的判断。 相似文献
39.
用分子束外延(MBE)生长的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.20相似文献
40.
本文计算用于探测8～12μm波段辐射的Hg_(1-x)Cd_xTe光电二极管线列的噪声等效温差(NETD)。用材料性能作为参数,给出光电二极管的暗电流、信号和背景的光电流对光电二极管的截止波长及工作温度的依赖关系,并计算NETD与这些参数的关系。当非平衡载流子寿命和体掺杂级作为参数时,根据Hg_(1-x)Cd_xTe的克分子组分来确定NETD的最佳数值。获得了光电二极管的最适宜的截止波长和工作温度。对于现行技术和77K的焦平面温度来说,证明了实例系统的最适宜的截止波长是在9.5～10.5μm范围内。 相似文献