运用数字工程技术开发新一代先进机床

0前言 随着金属加工制造业对机床的性能、产品质量、初期投资成本和运营成本、产品的供货期、售前售后服务等要求的日益提高,各机床制造商在市场占有率的竞争也日趋激烈.机床制造商在科学运作的基础上,必须能够敏锐地捕捉新的市场需求,不断地推出新产品、新技术来真正地帮助各个层次的用户从航天航空、汽车工业、模具、石油、医疗、半导体工业到一般功能性零件的加工小作坊提高生产性和设备投资回收速度来保持必要的竞争力.     

基于击键动力学和口令的双因素用户验证

提出基于击键动力学和口令的一种新的身份验证方法，该方法监视用户在输入口令时的用户击键特征的有关数据，通过采用监视键盘输入时一种新的三键持续时间的击键特征表示，用一种表示用户节奏的相对击键速度的距离衡量方式，在正常样本上建立用户模式，然后用新样本与用户模式的距离匹配情况来验证用户身份的合法性。实验表明该方法简单实用，识别效率高。     

一种T-S型动态模糊推理模型的建模算法研究

以一种进化聚类算法（ECM）为基础,提出了一种新的T-S型动态模糊推理模型的建模算法.以往许多神经模糊模型都不适用于自适应在线学习,而文章模型能够实时地调整模糊规则库及规则参数,具有较强的在线学习能力.仿真结果表明,该方法是有效的.     

超声变幅杆解析法设计的可靠性研究

本文提出了用有限元法验证变幅杆解析法设计的可靠性，对三种类型的变幅杆先作解析法设计；然后利用有限元分析软件ANSYS进行模态分析，确定了变幅杆的固有频率，计算了固有频率与工作频率之间的相对误差，以此来评价解析法设计的可靠性；并分析了影响解析法设计可靠性的两个基本因素。     

ZrO_2-Y_2O_3∶Co或Ce晶体热处理前后的杂质电荷态和禁带迁移

空气中生长(YSZ)ZrO_2-Y_2O_3(88∶12mol%)∶0.3wt%CoO 晶体的透射光谱呈现二个部分:<500nm 短波部分强的非结构吸收归为 Co~(3+)+O~(2-)→Co~(2+)+O~-电荷转移;以及六配位 Co~(2+)离子特征吸收,~4T_1(F)→~4T_1(P)560nm 和~4T_1(F)→~4A_2(F)605nm.该晶体经木炭包裹下加热到900℃后,除了禁带从3.97ev 变为4.43eV 外,短波部分和500～800nm(特别是500～605nm)范围吸收降低,然而,整个谱形尚无变化.未处理晶体包含 Co~(3+)和 Co~(2+),特殊热处理使 Co~(3+)转化为 Co~(2+),晶体由紫色变为蓝色.原来吸收边(3.97eV)是氧的 p 价带的电子到 Co~(2+)+F~+激发态造成的,4.43eV 新的吸收边认为是直接光学还原 Zr~(4+)→Zr~(3+)以及部分未还原 Co~(2+)离子共同作用.YSZ∶0.3wt%CeO_2晶体经真空、1300℃、6h 还原后,连结 Ce~(3+)离子基态~4F_(5/2)(4f)到5d 态跃迁的380～600nm(峰值在460nm)宽带吸收增加,晶体颜色由浅黄色变为桔黄.它的禁带由4.00eV 变为4.43eV.为了证实 YSZ∶Ce 晶体缺陷结构的存在和杂质离子价态,测量了这个晶体热处理前后的电子顺磁共振(ESR).由单电荷(Y_(Zr)V_0)′自由自旋和 Fe~(3+)离子的 ESR 信号变化,反推铈杂质在 YSZ 晶体中的价态变化.     

带垫板悬挂式支座引起的筒体中局部应力计算

<正> 一、前 言 分析由悬挂式支座引起的筒体内局部应力是一个十分复杂的问题。目前大都采用BS5500〔1〕附录G中的方法进行计算,BS法是将支座产生的偏心弯矩M=PQ(参考图1)由上下两块承受均布载荷的载荷区产生的等值的力偶矩来代替。当悬挂式支座加垫板     

BiVO_4晶体铁弹相变的光学研究

本文采用显微光学法成功地研究了 BiVO_4 晶体的铁弹转变。研究结果指出:铁弹转变的温度范围,升温时为 220～260℃,降温时为220～190℃,转变中的热滞后约为30℃。当施加机械应力为60～100kg/cm~2时,可观察到晶体内畴壁的移动。 文中结果与Pinczuk的拉曼光谱分析和Bierlein的差热分析作了比较,并指出了他们工作中的不足之处。     

基于FPGA的RFID读写器设计

阐述了RFID技术原理,以及应用于RFID技术的EPC Class 1规范。给出了基于单片机和FPGA的EPCClass 1读写器数字系统设计方案,以及整个读写器系统设计方案。重点论述了FPGA的应用,包括电源控制与单片机通信,以及实现对标签读写操作的编码和解码实现,同时给出相应关键程序的代码。