在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.     

北京明日之星玻璃机械有限公司宣告成立

由南玻集团旗下宜昌南玻硅材料有限公司送检的区熔硅单晶产品，日前经过工信部专用材料质量监督检测中心的检验，N型电阻率达到1425Ω·cm，少数载流子寿命达到405μs，其它指标也都全部达到电子二级标准。这是截至目前我国多晶硅产品经过国家权威检测机构所检测到的最高质量水平。     

历产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大。大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索，成功实现了在国产设备上搠制Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶。填补了空白，节约了外汇，打破了迷信，为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

回复热处理对恢复锻造718合金焊接性能的影响

锻造 718合金的γ -镍基体中存在大量针状和片状的δ相析出物乃是由多次焊接修复 -焊后热处理循环所引起的显微结构的主要变化。以实验室试样 ,采用 95 4℃、长达 10 0h的等温热处理 ,模拟多次焊后热处理。在上述热处理过程中 ,由于δ相对晶界的钉扎作用 ,晶粒大小不会发生明显的改变。这些热处理使得 718合金对热影响区熔析开裂的敏感性降低。这种降低乃是由δ相的溶解、碳化硼组织的偏析和晶界析出的综合作用所引起的短时高温熔析所致。回复处理 (10 10℃ ,12h)通过高于δ-相溶解度曲线的溶解作用以消除δ -相的不利影响而有效地恢复被降低了的焊接性能。这种热处理消除了δ相对晶界的钉扎作用 ,促进了自发的晶粒细化 ,增加了特殊晶界的数量。从修复焊接 718合金时发生的热影响区熔析裂纹的角度 ,讨论了δ相、晶粒尺寸和特殊晶界数量的综合影响     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔 (氢 )硅片经退火后在近表面形成洁净区 ,在硅片内部形成体内微缺陷 .微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关 ,还与后续退火条件有关 .第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响 ,中低温要比高温所形成的微缺陷小 .在退火过程中微缺陷有一个生长过程 ,110 0℃退火 2 h微缺陷已达最大 .硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成 ,洁净区出现在未抛光面 ,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

8英寸大直径区熔硅单晶在津投入试生产

天津中环半导体公司最新研制开发的国内首颗8英寸大直径区熔硅单晶投入试生产。其产品质量和工艺技术达到国际先进水平,并使之形成从节能材料到硅片、芯片制造的垂直整合能力和完整产业链。     

高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究

报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15～1500 nW光功率(4个数量级)范围内,线性因子为0.9954,接近于Hamamatsu S1227-1010BQ光电二极管在同一光功率区间内的线性因子(0.9982).另外,这种光晶体管的增益在130左右且增益的起伏在1%以内时,偏压的变化允许在2.5%以内(40V±1V),温度的变化可允许±2℃.其增益对偏压及温度的稳定性优于线性模式下具有相近增益的雪崩光电二极管.     

TDG-28型大直径区熔单晶炉

介绍TDG-28型大直径区熔单晶炉的特点和主要技术指标及性能。该设备在一定的工艺条件下可以稳定生产直径为φ75～100mm的高阻率无位错单晶硅;由于采用铸铁件结构使该炉具有一定的防震能力,不需要庞大的减震基座;在国内首次使用晶体夹持机构和伸缩炉体;采用可控硅调压装置,使高频振荡器输出功率稳定性好,效率高。     

碲的分离提纯技术研究进展

目前分离提纯碲的方法主要有苏打粉焙烧法、碱性高压浸出法、硫酸化焙烧法、氧化酸浸法、萃取法、液膜法、微生物法、电解精炼法、真空蒸馏法、区熔精炼法等,其中电解精炼法得到的碲的纯度达到99.99%,真空蒸馏碲的纯度达到99.999%.区熔精炼碲的纯度可达99.999995%,本文综述了以上分离提纯碲的方法.     

区熔速率对电子束悬浮区熔钼单晶体质量的影响

钼单晶是一种广泛应用的重要的难熔金属材料。利用籽晶法电子束悬浮区熔技术成功制备了晶体取向为（111）的钼单晶体,采用多种分析测试手段,研究了区熔速率对钼单晶体质量的影响。研究表明：电子束悬浮区熔钼单晶体内存在大量的亚结构,位错在结束的地方表现为山峰状的三角形突起,而亚晶界是由这些山峰状突起连接而成;区熔速率对单晶体质量有着显著的影响。区熔速率越高,单晶（111）晶向偏离角越小,但晶体中的缺陷越多。