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本文设计并实现了一种83-nm T型栅的InP基In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)。该器件的总栅宽为2×30μm,展现了良好的DC直流、RF射频以及低噪声特性,包括最大饱和电流密度Idss和最大有效跨导gm,max分别为894mA/mm和1640mS/mm。基于1~110 GHz全频段在片测试的S参数外推获得的最大截止频率ft和最大振荡频率fmax分别为247GHz和392GHz。测得的器件拐点(稳定因子k=1)频率为102GHz,因此,基于拐点外推获得的fmax更加准确。采用冷源法完成器件的在片噪声参数的测试,测得的最小噪声系数NFmin在30GHz时为1dB,相关增益Gass为14.5dB。这些良好结果的获得是由于沟道层中InAs摩尔组分的增加,沟道层厚度的减小,栅长的缩短以及寄生效应的减小。这些优良的特性使得该器件非常适合于毫米波频段低噪声单片集成电路的应用。 相似文献
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随着社会信息化不断深入发展,计算机网络技术已被广泛应用于社会各领域,其开放性和灵活性给我们生活和工作带来便利的同时,也导致了一系列安全问题。本文旨在分析计算机网络安全的本质以及影响网络安全的主要因素,探索网络系统存在问题及威胁,并制定有效的安全防御策略,以求最大程度的保障计算机网络的安全运行。 相似文献
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本文针对LTCC 毫米波多层前端系统的垂直互连过渡结构进行研究。微带线到带状线的
垂直过渡结构广泛应用于LTCC 多层前端系统,其性能对于整个射频系统有重要影响。本文利用
HFSS 三维电磁场仿真软件建立了过渡结构的物理模型,并且完成了实物加工和测试工作。测试结
果和仿真结果较为吻合,在0-40GHz 频段范围内,微带线到带状线背靠背过渡结构的回波损耗均
低于-14dB,插入损耗均优于-0.8dB。上述结果表明,该过渡结构具有良好的宽带传输特性,可以
应用于LTCC 多层射频前端系统。 相似文献
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吕昕 《陶瓷研究与职业教育》2014,(4)
针对战略性新兴产业的内涵和特征,结合唐山战略性新兴产业发展趋势,对战略性新兴产业对高职教育的专业结构的影响进行分析,从基本原则和调整程序两个方面提出唐山高职专业结构调整的路径。 相似文献
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