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<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然 相似文献
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由中国出版工作者协会和中国印刷技术协会主办,北京华联印刷有限公司承办的《数字、网络时代的出版和印刷》和 相似文献
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本文根据长沙五一路、长沙至永安高速公路等工程实践,对SBS改性沥青路面施工技术进行了研究和总结,并简述了施工中的关键点和质量控制。 相似文献
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通过介绍洋河大曲酒的主要风味成分、相互的量比关系和作用,从工艺操作入手,探讨各主要工段的工艺条件、方法对风味物质的产生与影响。 相似文献