运用SUPREM计算MOS结构阈电压的收敛问题探索

半导体集成电路工艺模拟软件ＳＵＰＲＥＭ在计算机ＭＯＳ结构阈值电压时存在不收敛现象。本文分析了不收敛的现象，讨论了解决不收敛问题的途径，介绍了一种简单的方法。最后讨论了减小近似计算误差的方法。     

基于语义层行为结构的变换对形式化格局识别技术的再探究

程序的语义层是程序的词法层和语法层的抽象表达,而蕴涵在软件中的语义层构成了人脑思维与机器思维交互过程的中间变换,从程序的语义层出发,利用行为结构的高层表达进行软件理解,进而抽取设计决策,成为了软件逆向工程理论研究的热门课题,形式化格局识别技术在不同程度上表达了上述思想。基于以上分析,对格局识别技术作进一步探究,并在原有基础上提出了新的改进算法与实施技术。     

网络扫描隐蔽性分析

各种不同的网络扫描方法,其隐蔽性和效率根据不同的原理而各不相同。同种扫描也可以采用不同的使用策略和芳法而改变其隐蔽性。分析了各种网络扫描的隐蔽性,提出了对付隐蔽扫描可以采取的一些通用策略,并针对不同的扫描方式给出相应的对策。     

FFT解调的短波跳频系统自适应实时信道估值

在分析伪错线性外推算法置信度的基础上,结合短波FH／DQPSK系统FFT的解调技术,提出了一种适用于短波瑞利衰落信道BER设计的自适应线性外推算法,并进行了数值模拟,其结果表明：该算法能够准确地反映信道的实际比特误码特性,并绝对误差Δmax=0.018,且该算法监测范围较伪错线性外推算法监测的范围更宽,基本上能覆盖该信道的实际比特误码范围（10^-1-10^-4)。最后提供了该算法可行的硬件实现方案。     

容灾系统中数据的多源快速备份和恢复

通过对容灾系统多副本备份方式的分析，为有效解决数据的快速备份和恢复问题，利用P2P资源共享的思路，提出了数据文件副本在网络中多点之间传输与共享的算法思想，并进行了仿真测试。试验结果表明，多源快速备份和恢复算法（MSB＆RT）极大提高了数据传输的效率，为关键数据的恢复提供了更为可靠的保证。     

MEMS器件自动优化算法及其实现

研究了MEMS器件结构参数的自动优化算法及其实现技术.以固支梁的谐振频率指标为例,通过HSPICE模拟软件,模拟其在给定结构参数下的谐振频率,算法自动完成指标分析并选取适当的修正步长,采用恰当的参数修正方法对器件进行优化,通过循环迭代直至满足用户频率指标和精度指标(5%)要求.最后采用Coventor Ware软件对优化结果进行了验证.     

高栅压下超薄栅nMOSFET的RTS噪声

在深入研究SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度nMOS器件RTS噪声时域特性的基础上,提出了该类噪声电子隧穿栅介质的物理起源,并对高栅压下RTS噪声机理作了深入阐述.结合IMEC和TSMC的研究,建立了栅压与RTS噪声时间参数的物理模型,实验结果和模型模拟结果的一致说明了模型的有效性.该研究为边界陷阱动力学和此类器件可靠性提供了新的研究手段.     

SU-8胶深紫外光刻模拟

综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可以在实际应用中对SU-8光刻胶的二维模拟结果进行有效预测.     

SU-8胶曝光衍射效应的模拟及丙三醇补偿方法

基于SU-8胶的UV-LIGA技术是MEMS中制备高深宽比结构的一种重要方法,但由于衍射效应会使结构的侧壁不再垂直.根据菲涅耳衍射模型,考虑了丙三醇/SU-8界面的反射和折射现象,模拟了丙三醇填充在掩膜版和光刻胶之间时的刻蚀图形.计算结果与已有的实验进行了比较,模型基本可以描述这种光刻过程,可在设计时作为参考.     

用于MEMS器件的硅材料塞贝克系数测试结构

综述了微观尺度下利用MEMS结构测量硅材料塞贝克系数的已有工作。这些测试结构主要由电加热、电压测量和温度测量三部分构成,通过测量塞贝克电压和与之相对应的温度,从而获知塞贝克系数。加式测试结构的工艺大多与CMOS工艺兼容。指出这些方法原理简单、测量直接,但必须要求真空环境,尚无法满足普通大气环境下在线测试的要求。