优势菌对焦化废水中吲哚和吡啶的降解条件研究

对四种脱色菌经驯化、筛选成优势菌的配制材料作了介绍，阐述了聚集一交联固定化方法和紫外分光光度法两种实验方法，提出了普通变形杆菌的适宜降解条件。     

海淤泥层大型沉井施工

针对海淤泥层沉井施工中，易发生涌土、超沉、突沉、地下水大量涌入等现象，结合具体的工程实例，通过沉井下沉计算，阐述了控制沉井下沉的方法，以有效解决施工难点。     

基于多模态融合的赌博应用识别模型

安卓赌博应用安装包中往往含有文本、图片、证书等大量可用于标识应用属性的多模态信息,针对当前赌博应用内容有害发现及安全研究较少、已有方法不具有针对性等问题,提出了一种基于多头注意力机制的多模态融合赌博应用识别模型.首先,提取赌博应用安装包中的图片信息,先后采用VGGNet和ResNet模型提取图片特征、识别图片信息;其次,提取赌博应用安装包中的文本信息,采用双向长短期记忆(BiLSTM)方法处理文本信息、识别文本内容;最后,基于多头注意力机制,建立多模态融合模型,对赌博应用进行综合性识别.通过在真实数据集上验证表明,采用不同文本和图片模型的平均准确率分别为71.5％和76％,该多模态融合模型的平均准确率为85.5％.可见,相比单一文本模型或图片模型,多模态融合模型有效提高了赌博应用的识别准确率.     

磁絮凝去除工业废水中铜离子的试验研究

采用磁絮凝对工业废水中重金属铜离子进行试验研究,讨论了聚合硫酸铁(PFS)投加量、静沉时间、温度、pH值、磁粉投加量对处理效果的影响.试验结果表明PFS投加量为100mg/L,pH值为8.0,静沉时间为20min,磁粉投加量为400mg/L时对含铜废水有良好的处理效果,铜离子去除率超过了97%,出水铜离子的质量浓度低于...     

硅藻精土与PAC深度处理城市污水的对比试验研究

以某污水厂二沉池出水为原水,通过混凝试验,研究了硅藻精土与聚合氯化铝(PAC)在不同投加量和pH值下去除TP与NH3-N的效果.试验结果表明,二者最佳投加量分别为30和40mg/L,最佳pH值分别为7和8.在此条件下,二者对TP的去除率分别可达76.5%和80.7%,对NH3-N的去除率分别可达40.8%和26.2%,...     

BAF投加优势菌深度降解焦化废水的试验研究

采用投加了优势菌的曝气生物滤池（BAF）对焦化废水进行深度处理,考察温度、pH值、气水体积比、回流比对系统的影响。试验结果表明：最佳温度为25～35℃、pH值为7～8、最佳气水体积比为3∶1、最佳回流比为1∶1,系统出水CODCr的质量浓度达到GB 8978—1996《污水综合排放标准》的二级标准（ρ（CODCr）〈120 mg/L）、NH3-N的质量浓度达到GB 8978—1996的一级标准（ρ（NH3-N）〈15 mg/L）。BAF投加优势菌深度降解焦化废水效果明显,有很好的发展前景。     

淀粉配水中温启动UASB反应器

用淀粉人工配制原水,未投加微量元素,没有人为调整C/N比,历时59天,成功培养出颗料污泥.此时UAB反应器的进水COD浓度为2000～2500mg/L,有机物负荷11～20kgCOD/m3@d,对COD的平均去除率75%.     

新一代高密度光盘用激光技术

1　前言激光器在光盘领域的应用和其它领域的应用相比占有较大比例 ,年使用量达 1亿支以上。红外半导体激光器由于价格低廉 ,因此在 CD和 CD- R中得到广泛应用 ,并继续向使用了红光半导体激光器的 DVD中引入。硬磁盘和半导体存储器的存储容量连续提高 ,数据存取和传输速率低的光盘为保持每比特单价的优势 ,必须进一步提高密度。新一代光盘中 ,激光技术是核心技术 ,当蓝、紫激光器价格低廉 ,能大量上市时 ,将是新一代高密度光盘的流行时代。因从 CD向 DVD的高密度化时用尽了目前的技术 ,所以高密度化要依赖光源的短波长化。未来激光器…     

硅藻精土强化SBR工艺处理城市污水试验研究

通过向SBR反应器中投加硅藻精土,以强化对城市污水的处理效果。在相同处理条件下,对空白组和强化组反应器的出水水质进行对比分析,结果表明,与空白SBR法相比,投加硅藻精土的SBR对污水的SS、CODCr、TP、NH3-N去除率均有所提高,其平均去除率分别提高了6.4%、12.2%、46%、22.9%,对活性污泥沉降性能也有所提高。投加硅藻精土的SBR出水水质指标除TP外均能达到GB 18918—2002《城镇污水处理厂排放标准》一级A标准的要求。     

汽车排气歧管用球墨铸铁的显微组织和抗生长性

通过LOM、XRD、SEM和EDS等手段分析了汽车排气歧管材料的组织构成。高温工作后两种材料尺寸的变化随工作温度的升高逐渐增大,但高硅钼球墨铸铁的尺寸增幅明显大于高镍球墨铸铁的增幅。由于镍和锰能有效提高球墨铸铁的抗氧化性和相变温度,所以高镍球墨铸铁的抗生长性优于高硅钼球墨铸铁的抗生长性。