温度和应力比对高强高韧7055铝合金型材裂纹扩展行为的影响

在不同温度(150℃、室温、-70℃)、不同应力比(0.1,0.5)下对7055-T76511铝合金型材进行了裂纹扩展速率试验,研究了温度和应力比对其裂纹扩展速率和门槛值的影响。结果表明:随着温度的降低和应力比的减小,7055-T76511铝合金裂纹扩展门槛值逐渐增大,裂纹扩展速率逐渐降低;-70℃下合金断裂时对应的裂纹扩展速率较小,且裂纹扩展门槛值较大,抗裂纹扩展能力最好。     

脱硫活性焦水洗再生过程实验研究

对5种活性焦水洗再生前后的脱硫性能进行实验研究，通过比表面积（BET）、X射线光电子能谱（XPS）方法表征水洗再生工艺对活性焦孔隙结构和表面化学性质的影响，揭示影响活性焦水洗再生性能的关键因素。结果表明:活性焦脱硫硫容的大小和水洗再生率的高低没有直接关系；微孔比表面积较大的活性焦脱硫性能较好，中大孔孔容较大的活性焦水洗再生率较高，同时具备较大的微孔比表面积和中大孔孔容结构的活性焦适宜水洗再生工艺；活性焦表面极性含氧官能团含量越高水洗再生效果越好；活性焦AC5经过6次水洗再生循环，微孔中的硫酸经过多次累积后可以被水洗出，稳定再生率保持在45%~50%，最适用于活性焦水洗再生工艺。     

200kA大型预焙槽强化电流后技术条件的优化——高分子比降低槽工作电压

本文主要通过对一、二、三电解厂强化电流前后技术条件的对比，阐述了适当提高分子比、降低电解槽槽工作电压对节能降耗的重要性。     

RF磁控溅射制备钛酸锶钡BST纳米薄膜

钛酸锶钡(BST)薄膜作为一种高K介质材料在微电子和微机电系统等领域具有广阔的应用前景,人们已对BST薄膜的制备工艺技术和介电性能进行了大量的研究。BST纳米薄膜的制备工艺直接影响和决定着薄膜的介电性能(介电常数、漏电流密度、介电强度等)。对RF磁控反应溅射制备BST纳米薄膜的工艺技术进行了综述。从溅射靶的制备、溅射工艺参数的优化、热处理、薄膜组分的控制,及制备工艺对介电性能的影响等方面,对现有研究成果进行了较全面的总结。     

多带OFDM-UWB系统峰均功率比降低方法研究

针对多带OFDM—UWB信号存在高峰均功率比的问题，提出了利用扩展与交织降低系统信号峰均功率比的方法。该方法通过对传输数据进行正交扩展与交织，使得进入多载波调制的数据趋于高斯分布，减小了传输数据自相关函数的旁瓣峰值，降低了OFDM-UWB信号的峰均功率比。由于采用正交矩阵进行扩展，扩展前后的数据传输速率保持不变。仿真结果表明，扩展与交织可以有效地降低信号峰均功率比2-5dB左右。同时该方法还具有抗窄带干扰的鲁棒性。     

ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。     

用宽屏玩转非宽屏游戏

虽然宽屏已经成为笔记本电脑特别是娱乐机型显示屏的主流，不过支持宽屏显示的游戏目前并不丰富，大多数游戏画面的长宽比仍然是4：3，因此，宽屏笔记本电脑在显示游戏画面时往往需要将画面进行拉伸，在改变了画面正常比例之后，游戏快感自然也受到明显的影响。为了在宽屏笔记本电脑上更好地游戏，笔者建议采取两种办法：给游戏打上支持宽屏显示的补丁程序；或者在维持画面长宽比的条件下更改显示设置。     

锻造镁21世纪的展望

镁合金作为结构材料越来越受到关注。在汽车领域，由于质量轻、高比强度、相当好的可塑性，而更重要的是制造和组装成本低等特性，应用相当广泛。此外，在电子工业方面，一系列便携式设备也广泛使用镁合金，因为它们刚性好、导热好、电磁干扰(EMI)屏蔽能力强等特点而受到欢迎。