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电容过程成像技术的进展 总被引:21,自引:0,他引:21
本文详细介绍了电容过程成像技术的新进展,其中包括阵列式敏感电极结构设计,具有抗杂杂散电容影响的高灵敏AC桥电容检测线路以及Landweber迭代算法再构图像,从而成像系统性能指标明显得到改善。 相似文献
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两相流电容层析成像系统 总被引:1,自引:0,他引:1
本文较系统地介绍了电容层析成像系统结构原理,包括抗杂散电容影响的微小检测技术,并行数据采集与处理单元设计以及基于总变差正则化的图像重建算法.与此同时,结合研制的双截面电容成像系统进行试验研究,结果表明该系统不仅可给出实时流型识别,同时能输出表征的特征参数. 相似文献
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用于EIT成像系统的AD7008 DDS调制器 总被引:11,自引:2,他引:9
文中介绍了DDS芯片AD7008的结构原理和性能特点,并结合AD7008在EIT成像系统中的应用,给出了相应的硬件设计及控制软件。 相似文献
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目前,国内生产的扩散硅压力传感器的硅膜片大多数为圆形膜片。然而,同圆形膜片相比,方形和长方形膜片不仅具有更高的灵敏度,而且给膜片的加工制造带来了方便。下面具体分析三种形状膜片在均布压力作用下其最大应力分布。 1.圆形膜片在均布压力作用下,圆形硅膜片弹性曲面所满足的微分方程为 l/r d/(dr){rd/(dr)[l/r d/(dr)(r(dω)/(dr))]}=q/D (1)式中,ω为膜片挠度;q为膜片承受的均布压力;D为膜片的弯曲刚度,D=Eh~3/12(1-μ~2);h为膜片的厚度;E为膜片材料的杨氏模量;μ为材料的泊桑比。 相似文献
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