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模拟乘法器是一种完成两个模拟信号相乘的电子器件。本文基于电路设计与仿真软件Multisim进行模拟乘法器MC1496的应用研究,具体实现普通调幅(AM)、双边带调幅(DSB)、同步检波器、混频器的电路设计与仿真。 相似文献
42.
采用快速液相烧结法制备Bi1-xPrxFe1-xTixO3(x=0.00、0.03、0.06、0.12)系列多铁陶瓷样品,研究Pr-Ti共掺杂对BiFe O3结构、缺陷、电学和磁学特性的影响。XRD分析结果表明:所有样品均为菱方钙钛矿结构,Pr-Ti共掺杂可有效抑制杂相生成,当掺杂量高于0.06时杂相基本消失,共掺杂引起结构畸变。正电子湮没寿命谱测试结果表明:所有样品中均存在阳离子空位型缺陷,空位尺寸和浓度均随Pr-Ti掺杂量增加而增大。电学和磁学性能测试结果表明:适量Pr-Ti共掺杂可有效提高Bi Fe O3的介电、铁电和磁学性能。综合上述结果,认为BiFeO3多铁性能的改善可能是由于Pr-Ti共掺杂引起晶格畸变、减少氧空位浓度、改变阳离子空位浓度等多种原因引起。 相似文献
43.
以光子晶体光纤环为研究对象,利用白光干涉仪测试了不同温度下保偏光子晶体光纤环和普通保偏光纤环内部的偏振交叉耦合强度分布,分析了光纤环中固定耦合点不同温度下的偏振耦合强度变化。结果表明,在-40℃~50℃的温度条件下,保偏光子晶体光纤环偏振耦合强度最大变化率为0.97%;普通保偏光纤环偏振耦合强度的变化率为4.71%,约为保偏光子晶体光纤环的5倍。实验研究证明,光子晶体光纤环的偏振交叉耦合强度温度稳定性高于普通保偏光纤环的偏振交叉耦合强度的温度稳定性。 相似文献
44.
在Internet/Intranet的发展过程中,大量B/S结构网络应用纷纷出现。基于微软技术的B/S结构应用想获得强大的功能,借助Active X技术可以起到事半功倍的效果。然而由于各人的开发环境及客户端应用环境各不相同,导致在某个环境下开发成功的步骤与方法换一个环境就无法成功。文章着重分析在开发基于MFC与Active X技术的web控件的开发过程中所出现的种种问题,并给出了解决方法,以开发出可用的Active X web控件。 相似文献
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46.
为了提高γ-TiAl合金的耐腐蚀性,采用磁控溅射技术在其表面制备了Al-Y梯度涂层。利用SEM、EDS和XRD分析了涂层的表面形貌、元素分布及相组成。研究了涂层在850℃Na_2SO_4中的热腐蚀行为,并对其腐蚀机制进行了分析。结果表明:Al-Y梯度涂层由沉积层和扩散层组成,厚度约为55μm,表面致密,无明显的孔洞和裂纹,由表及里Al、Y、Ti元素呈梯度分布;Al-Y梯度涂层表面在850℃Na_2SO_4中生成了Al_2O_3、Y_2O_3等氧化物保护层;涂层中Y元素的存在能阻止S元素从界面薄弱处侵入基体,涂层中形成的Y_3Al_5O_(12)相能有效提高耐腐蚀氧化层与基体之间的结合力。Al-Y梯度涂层在850℃Na_2SO_4中具有较好的抗热腐蚀性能。 相似文献
47.
以Na3Al F6-Al F3-Mg F2-Li F为电解质,Al2O3、Cu O为原料,对熔盐电解共沉积制备Al-Cu中间合金进行了研究,采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDS)及X射线衍射(XRD)分析合金表面形貌及元素分布.结果表明:施加外电压为2.6~3.5 V时,合金形成速率随电压的增加先增加后降低,施加外电压为3.3 V时,合金形成速率可达最大值;温度为895~955℃时,合金的形成速率随温度升高先增加后降低,温度为935℃时可达最大值;恒压3.3 V,温度为935℃,可制得Cu质量分数为11.51%、纯度为97.2%的Al-Cu合金,且合金中的铜与铝合金化过程中主要是以环状的Al2Cu相分布在晶界上;XRD分析表明合金中Cu主要是以Al2Cu相存在于合金组织中. 相似文献
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