从国家监督抽查结果分析我国童鞋质量现状及发展对策

(接上期第31页)4.2童鞋产品存在的主要质量问题4.2.1帮带拉出强度达不到标准要求帮带拉出强度是表征鞋帮与外底粘合牢度的重要指标,当童鞋无法进行剥离强度试验时,用该方法来考核鞋帮带与鞋底之间的粘合强度。帮带拉出强度不合格的鞋在穿着过程中,极易开口、     

Vg=Vd/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响

讨论了最差应力模式下(Vg=Vd/2)宽沟和窄沟器件的退化特性.随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化.不同沟道宽度pMOSFETs的主要退化机制是界面态产生.沟道增强的器件退化是由于沟道宽度增强的碰撞电离率.通过分析电流拥挤效应,阈值电压随沟道宽度的变化,速度饱和区特征长度的变化和HALO结构串联阻抗这些可能原因,得出沟道宽度增强的热载流子退化是由宽度降低导致器件阈值电压和串联阻抗降低的共同作用引起的.     

开态热载流子应力下的n-MOSFETs的氧化层厚度效应

在最大衬底电流条件下(Vg=Vd/2),研究了不同氧化层厚度的表面沟道n-MOSFETs在热载流子应力下的退化.结果表明, Hu的寿命预测模型的两个关键参数m与n氧化层厚度有着密切关系.此外,和有着线性关系,尽管不同的氧化层厚度会引起不同的模型参数,但是如果对于不同厚度的氧化层,采用不同的m与n,Hu的模型仍然成立.在这个结果的基础上,Hu的寿命预测模型能用于更薄的氧化层.     

热载流子应力下p-MOSFETs在低栅电压范围的统一退化模型

研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型.发现对于厚氧化层的p-MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化,随着栅电压降低,退化机制由氧化层俘获向界面态产生转变,而薄氧化层没有这种情况,始终是界面态产生;此外退化因子与应力电压成线性关系.最后得出了不同厚度的p-MOSFETs的统一退化模型,对于厚氧化层,退化由电子流量和栅电流的乘积决定,对于薄氧化层,退化由电子流量决定.     

ICU分值绩效考核的建立与成效管理

目的 以开展优质护理服务为契机,打破绩效平均主义,实现多劳多得,优劳优得,提高护理质量和患者的满意度.方法在全科护理人员中通过调研、民主讨论,开展护理分值绩效考核管理.结果通过开展护理绩效考核管理,护士工作积极主动,服务态度明显提高,患者、医生,以及其他配合人员对本科护理工作满意.结论分值绩效考核管理有利于充分调动护士的工作积极性,提高护理管理效能.     

从国家监督抽查结果分析我国童鞋质量现状及发展对策

1、引言随着经济的快速发展,我国制鞋行业也取得了长足的进步,开始从制鞋大国向制鞋强国转变。但从儿童及婴幼儿鞋(以下简称童鞋)产品的现状来看,质量状况并不令人乐观,笔者多次参加国家童鞋产品质量监督抽查工作,对我国童鞋产品质量和相关生产企业状况有较深入的了解。针对行业存在的问题,我们结合工作实践提出自己的看法,供行业同仁参考。2、我国童鞋行业发展概况进入21世纪以来,我国进入了第三次生育高峰期,目前我国有0到16岁的儿童约3.8亿,且每年新生儿的出生率     

不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化

研究了热载流子应力下栅厚为2 .1nm ,栅长为0 .135μm的p MOSFET中HAL O掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系.实验发现,器件的退化机制对HAL O掺杂剂量的改变不敏感,但是器件的线性漏电流、饱和漏电流、最大跨导的退化随着HAL O掺杂剂量的增加而增加.实验同时发现,器件参数的退化不仅与载流子迁移率的退化、漏串联电阻增大有关,而且与阈值电压的退化和应力前阈值电压有关.     

基于分数阶傅里叶变换的窄带雷达飞机目标回波特征提取方法

该文研究了常规窄带雷达体制下,利用分数阶傅里叶变换扩展特征域,从而解决直升机、螺旋桨飞机和喷气式飞机3类飞机目标回波分类中的特征提取问题。在现代战场中,直升机、螺旋桨飞机和喷气式飞机具有不同的机动性能,并各自承担着重要的任务。因此,实现这3类飞机的分类具有重大的意义。该文针对3类飞机目标分类的传统特征数目少,包含信息量有限,导致分类性能不够好的问题,基于现有的特征提取方法引入分数阶傅里叶变换(Fractional Fourier Transform, FrFT),在经过FrFT后的分数域提取3类飞机目标回波的分数阶特征,弥补传统特征的不足。并利用线性相关向量机(Relevance Vector Machine, RVM)的特征选择功能对提取的分数阶特征进行特征选择并分类。基于仿真和实测数据的实验结果证明该文提出的分数阶特征的分类性能较传统时域、多普勒域特征有较大提升。     

10Gbit/sAPD/TIA探测器组件的设计

雪崩光电二极管(APD)光电探测器由于在灵敏度上的优势,在长距离高速数字通信系统中得到了广泛的应用.文章系统地描述了高速APD/TIA(跨阻抗放大器)探测器组件的光学与微波封装的设计要点,对完成封装后的10 Gbit/s APD/TIA探测器组件进行了全面的测试,并对测试结果进行了分析.