高校特色专业青年教师管理探析

青年教师作为行业特色高校师资队伍的后备力量,是高校未来发展潜力的重要保证。文章通过分析特色专业青年教师的特点和存在的问题,提出加快特色专业青年教师成长的对策思考。     

发电权交易的阻塞风险规避模型

发电权撮合交易中常常通过取消或削减发电商的交易来满足系统的安全约束,这将给发电商带来损失,如何体现发电商的交易需求、降低发电商的交易风险是发电权交易研究的一个重要课题。借鉴金融输电权规避市场风险的思想,将一种新型金融输电权引入发电权撮合交易模型,以规避因阻塞使得发电商计划交易量不能完成的风险。根据模型特点采用遗传算法求解,不但可以保证撮合结果的最优性,而且算法可以体现出金融输电权对交易调度的指向作用,激励发电权交易双方合理报价,确保市场交易公平性。并探讨了该模型下的发电权交易结算方案和实施步骤。采用IEEE39节点系统对提出的方法进行了验证。     

发电权交易的阻塞风险规避模型

发电权撮合交易中常常通过取消或削减发电商的交易来满足系统的安全约束,这将给发电商带来损失,如何体现发电商的交易需求、降低发电商的交易风险是发电权交易研究的一个重要课题.借鉴金融输电权规避市场风险的思想,将一种新型金融输电权引入发电权撮合交易模型,以规避因阻塞使得发电商计划交易量不能完成的风险.根据模型特点采用遗传算法求解,不但可以保证撮合结果的最优性,而且算法可以体现出金融输电权对交易调度的指向作用,激励发电权交易双方合理报价,确保市场交易公平性.并探讨了该模型下的发电权交易结算方案和实施步骤.采用IEEE39节点系统对提出的方法进行了验证.     

以冰为模板制备氧化铝多孔陶瓷及其结构特征

以水玻璃溶液为粘结剂,以冰为造孔模板制备氧化铝多孔陶瓷。采用扫描电镜观测多孔陶瓷的显微结构。结果表明,冰是一种理想的造孔模板,浆体特性对多孔陶瓷结构影响较大,当浆体中相对固相含量增大,多孔陶瓷的孔隙会减小;当浆体粘度降低,易得到片层状与微孔复合结构的多孔陶瓷。     

Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷的制备及微观结构

以过量的Bi2O3和TiO2为组分,采用固相烧结法制备Bi4Ti3O12陶瓷。借助XRD和SEM分析相成分和微观结构。结果表明:经750℃/2h预烧后,合成粉体由Bi4Ti3O12、少量的Bi12TiO20和Ti5O9以及Bi2O3组成。成型烧结后,Bi12TiO20和Ti5O9的衍射峰消失,出现了Bi2Ti2O7的衍射峰。1000℃烧结后,Bi2Ti2O7的衍射峰消失,产物基本为Bi4Ti3O12相。SEM分析表明,温度低时,气孔较多,晶粒较细;温度升高后,晶粒长大,气孔减少;到1000℃时,气孔显著减少,晶粒尺寸约为2～5μm。     

钛酸盐功能陶瓷的研究进展

钛酸盐陶瓷具有优良的电学、光学、化学特性,尤其在电学方面,表现出介电性、压电性、铁电性和热释电效应等,被广泛用于电子、能源、环保行业。笔者介绍了钛酸盐陶瓷的结构、制备技术、典型化合物及其在电学方面的应用。     

基于冰模板导向的A1203多孔陶瓷制备

以冰为造孔模板,采用冷冻铸造法制备A1,O:多孔陶瓷,用扫描电镜(SEM)观察孔结构,并测量气孔率和杭压强度.结果表明:通过调整工艺参教,气孔率可控制在24%-85%之间,形成了蜂窝状结构.随浆体浓度的增大,气孔率降低,抗压强度增大.抗压强度随烧结温度的升高而增大.当气孔率最大达85%时,抗压强度为21 MPa,     

管道清管器电磁跟踪定位系统接收机的设计与实现

介绍了清管器电磁跟踪定位的基本原理。提出了清管器电磁跟踪定位系统接收机的总体方案。研制了低噪声、窄通频带、高精度数据采集电路,实现了微弱磁信号的准确检测。实测表明,所设计的清管器电磁跟踪定位系统接收机,有效跟踪范围可达10米,可以满足油气管道工程实际需求。     

序言

为了总结中国钢铁冶金生产中连铸工艺的关键共性技术和取得的创新突破成果,推动连铸工艺科研成果转化和新技术应用,加快连铸工艺新成果、新技术的开发和推广,《连铸》编辑部于2021—2022年策划出版"连铸保护渣"、"连铸工艺与新技术"、"中间包冶金技术与钢液洁净化"、"结晶器冶金技术与装备"、"连铸坯质量与夹杂物控制"、"连铸电磁冶金技术与装备"、"连铸智能化技术与装备"等七大专刊。特邀请北京科技大学王敏教授、辽宁科技大学艾新港教授为本期"中间包冶金技术与钢液洁净化"专刊责任主编,组织"中间包冶金技术与钢液洁净化"专刊论文并积极推广专刊中的技术,以期对从事相关工作的科研和技术人员起到学习和借鉴的作用。     

一种用刷新技术实现SRAM抗SEU错误累积的方法

为了防止空间应用SRAM出现SEU错误累积,提出了一种优化的读→校验→回写刷新机制.该机制实时监测处理器状态,当处理器对外部主存进行读操作时,由存储器控制器自主地(即不需处理器干预)对读操作的存储单元进行刷新操作;当处理器进行访问外部主存以外的其他操作时,由存储器控制器自主的对所有的存储单元进行遍历式刷新操作,该机制可以避免长时间未被读的存储单元发生SEU错误的累积,保证SRAM单元中发生错误的比特位数小于校验码的纠检错能力.最后,通过向SRAM随机注错的方法对本机制的存储器控制器进行验证,结果表明存储器控制器满足设计要求.