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高频功率AlGaN/GaN HEMT 的栅结构优化 总被引:2,自引:2,他引:0
本文研究了栅帽、栅源间距对AlGaN/GaN HEMT性能的影响。基于研究结果得出了优化高频功率AlGaN/GaN HEMT栅结构的方法。缩小栅场板可以有效提高器件的增益、截止频率(ft)、最大震荡频率(fmax)。通过减小栅场板长度,栅长0.35 器件的ft达到了30GHz、fmax达到了80GHz。采用tao型栅(栅帽偏向源侧)或者增加栅金属厚度还可以进一步优化 。缩小栅源的距离可以提高饱和漏电流和击穿电压,从而提高器件的输出功率。 相似文献
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This paper describes the performance of AlGaN/GaN HEMTs with 2.4μm source-drain spacing.So far these are the smallest source-drain spacing AlGaN/GaN HEMTs which have been implemented with a domestic wafer and domestic process.This paper also compares their performance with that of 4μm source-drain spacing devices. The former exhibit higher drain current,higher gain,and higher efficiency.It is especially significant that the maximum frequency of oscillation noticeably increased. 相似文献
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以上海轨道交通某区间隧道水平冻结法盾构进出洞工程为例,分析了水平冻结法加固施工过程中存在的主要风险,并提出了相应的控制措施,从而保证盾构进出洞能够顺利实施,可为类似工程建设提供一定的参考价值. 相似文献
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