通过调整金属有机物气相外延的晶核连接工艺改善AlGaN光电导探测器的响应时间

制作了AlGaN光电导紫外探测器并研究了它们的时间响应特性。发现导致探测器响应时间恶化的因素——持续光电导和AlGaN外延层中的晶界密度强烈相关。通过改善金属有机物气相外延的晶核连接工艺,降低了晶界密度,从而使响应时间减小了一个量级。     

在聚酰亚胺衬底上低温制备超薄热敏铂膜的研究

通过在聚合物衬底上制备热敏薄膜可以实现非平、屈曲物体表面温度的实时监控和测量。利用脉冲激光沉积技术在聚酰亚胺衬底上低温（250℃左右）制备了超薄铂热敏薄膜,其室温下的电阻温度系数为1．01×10^-3／K。通过增加ZnO过渡层,可使铂薄膜的电阻温度系数增大为1．55×10^-3／K。     

快速退火对溅射沉积Al膜微结构及应力的影响

用直流溅射法在聚酰亚胺（PI）基底上制备了300nm厚的Al膜,并进行快速退火（RTA）处理。用X射线衍射、扫描电子显微镜和曲率法对Al薄膜的微结构及应力随退火温度和时间的变化进行了研究。结果表明,采用快速退火可以使其压应力松弛,甚至转变成张应力。     

c—BN薄膜研究进展

立方氮化硼（ｃ－ ＢＮ） 在机械、热、电子及光学方面有许多优异性能,因此世界上有很多研究人员从事ｃ－ ＢＮ 薄膜制备的研究,近年来薄膜沉积技术和ｃ－ ＢＮ 薄膜质量都已取得显著进步。介绍ｃ － ＢＮ 薄膜的用途、结构、制备方法及存在的问题。重点总结了控制ｃ－ ＢＮ 相形成的关键因素及ｃ－ ＢＮ 相形成机理。