陶瓷天线罩材料的研究进展

综述了陶瓷天线罩材料的研究概况,分析了天线罩材料设计的基本原则,对增强结构和材料体系等技术问题进行了探讨,最后展望了陶瓷天线罩材料的发展趋势.     

沉淀法制备均—纳米Y_2O_3∶Eu~(3 )粉末的研究

本文报道了使用草酸作沉淀剂合成纳米粉末的工艺。实验表明：采用该法可制备纳米级Ｙ２Ｏ３∶Ｅｕ３＋ 粉末,其一次粒径＜ ２０ｎｍ ,团聚尺寸Ｄ５０＜ ０．６０ｕｍ ,比表面积＞ １２ｍ ２／ｃｃ。该工艺方法简单,设备要求不高,且生产成本较其他纳米Ｙ２Ｏ３∶Ｅｕ３＋ 粉制备方法低,适宜工业化生产。     

基于LabVIEW的通信原理试验研究与实现

以图形编程语言LabVIEW为平台进行虚拟仪器开发，设计了基于LabVIEW的通信原理试验，说明虚拟仪器在现代试验中的重要地位以及其广阔的应用前景。     

陶瓷材料的无损检测技术

综述了无损检测在陶瓷材料领域的应用，简略介绍了用于陶瓷无损检测的几种主要方法。     

“印刷设备概论”课程的教学改革与实践

“印刷设备慨论”课程是印刷专业的重要基础课程,对学生专业知识学习和实践能力的提高非常重要.本研究在明确了“印刷设备概论”课程专业定位的基础上,进行了课程的教学模式与教学方法的改革和实践.通过设计课堂授课、现场教学、基地实习和企业观摩等环节,建立了理论知识与实践能力相结合的教学模式.通过启发式教学、讨论式教学和分阶段考核等教学方法的改革,激发学生的学习和动手实践的主动性,培养团队协作精神.并通过教学队伍、课程教材和实习基地的建设,为教学改革的实施提供保障,本研究对专业课程的深化改革具有十分重要的指导意义.     

胶印机顺序离合压偏心位置设计研究

用偏心机构完成顺序离合压是胶印机印刷装置设计的一种常见方法,确定偏心安装位置及设计关键参数,是顺序离合压偏心机构设计的关键.在研究胶印机顺序离合压工艺要求和偏心位置设计方法的基础上,提出了以满足工艺要求为目标,进行偏心位置及关键参数求解的优化设计方法.并通过印刷机离合压示教系统设计实例进行了验证.设计方法和设计程序可应用到不同类型、规格的胶印机顺序离合压机构的设计中.     

典型微管道流场数值模拟与Micro-PIV检测研究

针对微流体器件中几种典型微管道进行了理论与试验研究,采用CFD流场仿真技术对压力驱动方式下90°折管、突然扩散管、弯管三种流道的流态进行数值模拟,重点介绍了电渗驱动的流场仿真技术,并以十字交叉微管道为对象进行电渗流场仿真;同时采用玻璃微加工工艺制造了上述四种微流道模型,并通过Micro-PIV技术对其相应条件下的流场进行试验测试,并定量对比与分析了仿真与试验结果,结论显示Micro-PIV是适合于微米级流场检测的最有效试验手段之一,同时通过试验也验证了N-S方程在微米级流场数值计算中是依然适用的。     

具有未知干扰输入系统的滚动时域估计

针对具有不确定干扰输入信息系统,讨论了一种滚动时域估计(moving horizon estimation,MHE)方法.在系统含有未知干扰输入的基础上,利用最小方差无偏特性,得到了不受不确定输入影响的估计器.再融合预测控制的滚动优化原理,把系统的硬约束直接表述在优化问题中,并在每个采样时刻通过极小化优化问题的性能指标,估计出系统的初始状态和作用在系统上的扰动.仿真时与递推滤波方法比较,结果表明,MHE能处理系统约束,具有比递推滤波方法更好的估计性能.     

一种应用于能量攫取系统的低功耗的工作于亚阈值区域的基准电压源的设计

We propose a bandgap reference, which works in sub-threshold regions to the reduce power consumption in applications such as those in energy harvesting systems that stimulate the development of power management for low power consumption applications.Measurements shows that the supply current of the proposed bandgap reference is only 6.87 μA, including a voltage buffer consuming 3.6 μA of supply current, when the supply voltage is 5 V.The supply voltage can vary from 3 to 11 V and the line regulation of the proposed bandgap reference output voltage is 0.875 mV/V at room temperature.The temperature coefficiency is 88.9 ppm from 10 to 100° C when the supply voltage is 5 V.     

植入关节内压电陶瓷供能研究

为了研究压电陶瓷在植入人工关节内压力下能量产生特性,该文从理论上分析了坚硬锆钛酸铅(PZT)陶瓷元件的能量产生特性和等效电路,并基于实验结果利用非线性拟和算法得到其等效电路的参数拟和值。1个与4个PZT元件的仿真结果和实验结果非常吻合,从而验证了等效电路的参数拟和值的正确性及PZT元件的供电特性(约1.2 mW)。最后描述了利用压电陶瓷供电的电源电路设计和仿真结果,证明了PZT的能量能转换为电路稳定可用电源。