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555时基芯片及其在A/D转换中的应用 总被引：1，自引：0，他引：1
介绍了555时基芯片的功能、主要特性,以及555芯片在0～10Hz、0～10 kHz、10 Hz～10 kHz V/F(电压/频率)转换电路及其在测量中的应用,并给出了实验数据,结果表明,由555芯片组成的转换电路具有价格低、精度高、线性好等特点. 相似文献
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通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的ZnO透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分析,所有薄膜均表现为六方纤锌矿结构,经过氢气退火处理之后,薄膜的电学性能均得到提高,当Ga掺杂含量为5 at%时,得到薄膜的电阻率为3.410×10-3 Ω·cm.利用可变入射角椭圆偏振光谱仪(VASE)在270~1 600 nm波长范围内研究了GZO薄膜折射率和消光系数的变化,采用双振子模型对实验数据进行拟合. 相似文献