全文获取类型
收费全文 | 38157篇 |
免费 | 2782篇 |
国内免费 | 2204篇 |
专业分类
电工技术 | 1031篇 |
综合类 | 2657篇 |
化学工业 | 9787篇 |
金属工艺 | 4650篇 |
机械仪表 | 1789篇 |
建筑科学 | 3667篇 |
矿业工程 | 927篇 |
能源动力 | 390篇 |
轻工业 | 2230篇 |
水利工程 | 1119篇 |
石油天然气 | 2325篇 |
武器工业 | 527篇 |
无线电 | 2646篇 |
一般工业技术 | 4888篇 |
冶金工业 | 1801篇 |
原子能技术 | 313篇 |
自动化技术 | 2396篇 |
出版年
2024年 | 409篇 |
2023年 | 1370篇 |
2022年 | 1609篇 |
2021年 | 1581篇 |
2020年 | 1218篇 |
2019年 | 1112篇 |
2018年 | 671篇 |
2017年 | 996篇 |
2016年 | 993篇 |
2015年 | 1333篇 |
2014年 | 2516篇 |
2013年 | 1758篇 |
2012年 | 2193篇 |
2011年 | 2170篇 |
2010年 | 1978篇 |
2009年 | 2060篇 |
2008年 | 2383篇 |
2007年 | 2020篇 |
2006年 | 1787篇 |
2005年 | 1807篇 |
2004年 | 1574篇 |
2003年 | 1466篇 |
2002年 | 1338篇 |
2001年 | 1096篇 |
2000年 | 956篇 |
1999年 | 720篇 |
1998年 | 653篇 |
1997年 | 544篇 |
1996年 | 490篇 |
1995年 | 459篇 |
1994年 | 362篇 |
1993年 | 299篇 |
1992年 | 300篇 |
1991年 | 243篇 |
1990年 | 263篇 |
1989年 | 218篇 |
1988年 | 39篇 |
1987年 | 33篇 |
1986年 | 38篇 |
1985年 | 27篇 |
1984年 | 16篇 |
1983年 | 14篇 |
1982年 | 15篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 5篇 |
1965年 | 2篇 |
1960年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
1951年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
五、DTBC中的失落补偿录像机在录放过程中,磁头与磁带瞬时接触不良,或者磁带粘灰、磁粉脱落等都会引起信号失落,表现在图像上为瞬时出现的黑白条状干扰。在DTBC中,由于采用数字化存储,利用电视图像的相关性,用前一行信号填补失落行,称为TBC中的失落补偿(DOC)。现在的DTBC均备有DOC功能,如图9。 相似文献
52.
53.
单壁纳米碳管/纳米铝基复合材料的增强效果 总被引:12,自引:0,他引:12
用半连续氢电弧法和活性氢等离子蒸发法分别制备出单壁纳米碳管(SWNTs)和纳米A1粉体,然后用提纯后的SWNTs和纳米A1粉体制备出SWNTs含量(质量分数)分别为0、2.5%、5.0%、7.5%和10.0%的单壁纳米碳管/纳米铝基块体复合材料.SWNTs对高强度纳米A1基体具有显著的增强作用,当SWNTs含量小于5.0%时,材料的硬度随着SWNTs含量的提高线性上升.其中5%SWNTs和纳米A1的复合增强效果最好,其硬度可达2.89GPa,大约是粗晶A1(0.15GPa)的20倍.当SWNTs含量超过5.0%时,增强效果开始缓慢的下降.讨论了单壁纳米碳管增强纳米铝基复合材料的强化机制. 相似文献
54.
55.
当今的移动通信行业正进入一个理性的发展时期,可竞争的网络是有着较高性价比的网络,需要着眼于完善的服务和一流的网络质量.要用良好的网络设计保护投资。对于一个良好运营和可监控的无线网络而言,无线网络优化占据了很重要的位置。在频谱资源一定的情况下,如何提高网络覆盖率、增加网络容量、满足网络未来发展的需求都需要通过网络规划和优化来解决,以实现各方面的良好平衡。 相似文献
56.
57.
58.
在核医学上~(111)In是一种由加速器生产的非常重要的同位素。它的主要用途为软组织肿瘤定位、绘制脑图、延脑池扫描、淋巴系统的肿瘤定位等。它既可作注射液,又可作标记化合物。本文研究了In(Ⅲ)在两相中的分配比与酸度的关系,与二-(2-乙基己基)磷酸(简称D2EHPA)浓度的关系,与In(Ⅲ)含量的关系,用不同酸度的HCl溶液从D2EHPA有机相中反萃取In(Ⅲ),在1mol/1HCl溶液中从有机相中反萃取In(Ⅲ)得到的回收率平均值为90.6±2.4%。 相似文献
59.
硅表面上的纳米量子点的自组织生长 总被引:1,自引:1,他引:0
纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景 相似文献