旋转超声辅助加工装置及其工艺研究

基于传统超声振动理论,提出了一种新型旋转超声辅助加工装置。该装置将超声振动与负载匹配二者相结合,具备旋转超声辅助加工硬脆材料的能力。利用该装置对微波铁氧体材料进行旋转超声辅助钻削加工试验研究,验证了旋转超声辅助磨削可有效降低加工过程中的切削力。同时,在保证刀具和材料安全的前提下,探索了旋转超声辅助加工装置对加工效率的影响。     

氟金云母陶瓷车削参数对刀具磨损的影响

对氟金云母可加工陶瓷进行车削加工试验,分析了切削中的刀具磨损特性,讨论了影响刀具磨损率的因素。以单因素实验法分别考察了刀具材料、冷却条件、切削深度、进给速度等对刀具磨损的影响规律。结果表明:刀具磨损过程可划分为三个阶段,自来水冷却可降低刀具磨损率,高速钢刀具不能满足加工需要,陶瓷刀具相对较好;切削深度对刀具磨损率的影响曲线为一抛物线段,进给速度对刀具磨损的影响曲线为一余弦线段;车削氟金云母陶瓷对刀具磨损过程与切削金属相似。     

Bi2O3添加剂对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5介电性能的影响

以Bi2O3为添加剂，研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5(ANT)系统介电性能的影响。用XRD衍射和SEM扫描作为技术手段，研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5系统微观结构的影响。     

SILAR法制备无机化合物薄膜

介绍了一种新的液相法薄膜制备工艺－SILAR法（连续离子层吸附反应法），该方法设备简单，成本低廉，成膜质量好。解释了它的非均相薄膜生长机理，对它的工艺参数影响以及研究应用情况进行了综合评述。指出了研究发展前景。     

掺杂BNT对SrTiO3陶瓷介电性能的影响

采用碳酸锶、氧化铋、二氧化钛、碳酸钠为原料,制备了SrTiO3系介质陶瓷。研究了BNT(钛酸铋钠)加入量对SrTiO3系陶瓷的εr、tgδ的影响,以及εr和tgδ随温度的变化。结果发现,室温下SrTiO3系陶瓷的εr随着BNT加入量的增加而逐渐提高,达到一定峰值后又逐渐下降,其最高可以达到4 300。     

改进的溶胶-凝胶工艺制备ZrB_2纳米粉体

采用改进的溶胶-凝胶工艺,以ZrOCl2、H3BO3和蔗糖为原料,以柠檬酸（CA）为络合剂,聚乙二醇（PEG）为分散剂,制备出均匀稳定的Zr-B-C体系溶胶,再以氨水为调节剂,实现溶胶向凝胶转化。在1 500℃温度下经碳热还原反应制备出粒径尺寸约为40 nm,类球状ZrB2粉体。采用XRD、SEM等微观分析手段,对制备的纳米粉体进行了相组成与微观形貌分析。实验中研究了改进的溶胶-凝胶中柠檬酸络合-聚合技术对溶胶性能的影响。结果表明：当n（柠檬酸）∶n（Zr离子）为1∶3时,可获得稳定的Zr-B-C体系溶胶;增大n（B）/n（Zr）值,有利于得到纯度较高、且相组成可控的ZrB2纳米粉体;加入质量分数为1.0%的PEG时,粉体的团聚性能得到很大改善。     

Li2O掺杂对CBS/Al2O3玻璃陶瓷性能的影响

研究了Li2O掺杂对CBS/Al2O3玻璃陶瓷烧结性能和介电性能的影响.结果表明,掺杂适量的Li2O可改善CBS/Al2O3玻璃陶瓷的烧结性能和介电性能,当掺杂Li2O的质量分数为0.5%时,CBS/Al2O3玻璃陶瓷在810 ℃可实现低温致密化烧结,试样的体积密度为2.89 g/cm3;在1 MHz的测试频率下,该材料的介电常数为8.6,介电损耗为1.0×10-3;XRD分析表明其相组成主要为CaSiO3、CaAl3BO7、残余Al2O3和玻璃相.     

BaCe0.5-xZr0.5-xYb2xO3-δ质子导体的制备及电性能

采用固相法制备了BaCe0.5-xZr0.5-xYb2xO3-δ(2x=0.1,0.15,0.2,0.25)固体电解质。X射线衍射(XRD)谱图分析结果表明,材料为立方钙钛矿结构。利用直流四探针法测定不同温度和不同气氛下材料的电导率,BaCe0.5-xZr0.5-x-Yb2xO3-δ的电导率与氧空位以及固溶度有关。在空气气氛下材料以电子空穴和氧离子电导为主,而在氢气气氛下,表现为质子导体。当2x=0.2时,在湿氢气气氛下于950℃的电导率为3.6×10-3S/cm。     

制备工艺对铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷性能的影响

由Nb5+,Sb3+置换锆钛酸铅的B位离子,制备了用作大功率水声换能器材料的铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷.采用固相法合成了0.02Pb(Sb1/2Nb1/2)O3-0.98PbZr1-xTixO3(x=0.44～0.49)粉体.通过X射线衍射及扫描电镜分析.研究了不同锆钛比和烧结温度对陶瓷的相组成、显微结构和介电、压电性能的影响.结果表明:当合成温度为900℃时,获得的粉体的主晶相为钙钛矿结构.当Zr/Ti摩尔比为51/47,烧结温度为1230℃时,各项性能达到最佳值,介电常数ε T 32/ε0为1945,介电损耗tanδ为0.019,压电常数d33为425pC/N,机电耦合系数Kp为0.65,Curie温度θc为352℃.铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷的烧结温度范围宽,具有较强的工艺操作性且θc高.     

三点弯曲模式下C/SiC复合材料界面脱粘强度的数值模拟

利用ABAQUS软件对不同纤维方向下C/SiC复合材料界面在三点弯曲模式下的应力应变行为进行数值模拟,将引入内聚力模型模拟界面失效的仿真结果与实验结果进行分析对比。本研究模拟了PyC(热解碳)界面的脱粘过程,并得到了纤维方向和界面厚度对三点弯曲过程中界面脱粘强度的影响规律。结果表明,内聚力模型用于表征C/SiC复合材料的界面比较合理。纤维方向为横向和法向时的界面脱粘强度大致相等,约为26～28MPa。界面脱粘强度先随界面厚度增大而增大之后基本不变,界面厚度约为0.2～0.3μm时,界面脱粘强度达到最大。