一种新型的多边形超宽带印刷天线

在矩形贴片天线的基础上进行改进设计出一种新型的超宽带印刷天线,该天线由八边形的贴片和一个具有凹形槽的金属接地板组成,使天线得到了良好的超宽带阻抗匹配特性。通过数值仿真和实验测量,该结构的印刷天线在3 GHz-11 GHz频段内驻波比小于2,覆盖了超宽带天线所要求的工作频段,在H面具有良好的全向性辐射,为室内短程超宽带通信系统提供了良好的前端部件。     

经皮给药用酯化淀粉基压敏胶的制备与性能研究

以淀粉为主要原料、脂肪酸为淀粉的酯化改性剂、三氯氧磷为化学交联剂、水和甘油为增塑剂,制备了一系列经皮给药用亲水性酯化淀粉基PSA(压敏胶)。采用红外光谱(FT-IR)法对酯化淀粉的结构进行了表征,考察了脂肪酸中碳链长度、交联剂含量和取代度(DS)等对PSA性能的影响,并研究了该PSA中5-氟尿嘧啶(5-FU)和布洛芬(IBU)的经皮渗透行为。结果表明:当m(淀粉粉末)∶m(水)∶m(甘油)=1.0∶0.5∶0.5、w(三氯氧磷)=1.0%和DS=0.086 8时,辛酯淀粉基PSA具有适宜的力学性能,符合经皮给药系统用PSA的使用要求,而且其对5-FU、IBU的经皮渗透性能具有较好的调控作用。     

《材料概论》双语教学改革的研究与实践

结合金属材料工程专业《材料概论》双语课程的基本特点,分析了影响《材料概论》课程双语教学质量的因素,讨论了《材料概论》课程双语课程的教学方法.     

微细铣削铝合金表面粗糙度的实验研究

利用直径为2 mm的立铣刀对铝合金进行铣槽实验,研究分析切削速度与每齿进给量交互作用对加工槽底表面粗糙度的影响.实验结果表明:每齿进给量小于4μm时,随着切削速度的提高表面粗糙度值呈先减小后增大的变化趋势;而每齿进给量大于6μm时,随切削速度的提高表面粗糙度值先增大后减小.切削速度较低时,表面粗糙度值随每齿进给量的增大先减小后增大;但切削速度大于30 m/min时,随着每齿进给量的增大,表面粗糙度值呈现逐渐增大的趋势.     

降低中深孔爆破大块率的技术措施

露天矿中深孔爆破大块是露天矿山生产过程中普遍存在的一个问题.文中结合黄麦岭磷化有限责任公司磷矿的爆破情况,全面详细的阐述了大块产生的位置,分析其产出的原因,结合现场的实际地质情况,从爆破设计,孔网布置,起爆方式,施工与管理等方面,总结出降低露天中深孔爆破大块率的具体措施和方法.经现场实践验证,获得了较好的爆破效果.     

亲水性聚氨酯复合材料的制备与表征

选用湿态纳米羟基磷灰石（HA）与脂肪族聚氨酯（PU）为原料,采用溶液共混法和溶剂挥发法制备了亲水性羟基磷灰石/聚氨酯（HA/PU）纳米复合材料,并采用SEM、吸水实验和力学实验等方法对该复合材料的形貌和性能进行了研究。结果表明磷灰石晶体以纳米状态均匀地分布在PU基质中,过高含量的纳米HA易使纳米粒子团聚,不利于其在PU基体中的均匀分散;在制备PU的多元醇原料中引入亲水性较强的聚乙二醇,可提高PU表面和整体的亲水性;随着硬段含量的增加,复合材料的拉伸强度和弹性模量呈上升趋势,断裂伸长率下降;随着软段中聚乙二醇含量的升高,弹性模量大幅下降,拉伸强度和断裂伸长率先升高后下降;纳米HA的添加可同时提高复合材料的拉伸强度和断裂伸长率,当纳米HA的质量分数为30%时,复合材料的综合力学性能达到最佳。     

效率增强型真空康普顿探测器γ/n鉴别本领评估

采用复合金属收集极设计的真空康普顿探测器,使伽马探测灵敏度有效提高。为表征探测器测量信号的质量和可靠性,需要对探测器的γ/n鉴别本领进行评估。应用强钴源(能量1.25 Me V)伽马和DT(能量14 Me V)中子源对这种探测效率增强的新型真空探测器灵敏度进行实验测量,采用蒙特卡罗模拟法(MC)模拟统计收集极输出净电子数的方法,对其在裂变能量区几个特征能量点的伽马、中子灵敏度进行模拟计算。结果表明:对于中子、伽马能量为1.25 Me V的情况,这种新型真空康普顿探测器的γ/n鉴别本领,理论模拟计算值为40.94,综合理论计算和实验测量结果的实验推算评估值为28.31;属于适合中子、伽马混合场中测量伽马的可选探测器。     

改善CeF_3闪烁探测器输出特性的方法研究

常用的CeF3闪烁探测器,由于闪烁体发光与光电器件光谱响应不完全匹配,使得探测器的主要输出特性——输出幅度和脉冲波形形状发生明显变化,较难依据相似性通过探测器输出复原得到辐射源的真实特征。本工作针对这种不完全匹配情况,分析比较了几种改善闪烁探测器输出的方法,提出了在CeF3无机闪烁体与光电器件光阴极之间加移波膜片耦合的方法。原理分析和实验测量结果表明:采取移波膜片耦合方法可使传统CeF3闪烁探测器输出特性得到明显改善,输出幅度增加50%以上,脉冲时间响应前沿由传统方式的12ns变化到移波方式的约3ns。     

基于柔性PI基底的氧化物IGZO TFT器件工艺及特性研究

讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用Si3N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过SEM断面观察,干刻后双层结构taper角度适合TFT器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的TFT器件迁移率达到14.8cm2/(V·s),阈值电压Vth约0.5V,亚域值摆幅SS约0.5V/decade,TFT器件的开关比Ion/Ioff106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED或电子纸的驱动要求。     

变电站防误闭锁系统故障原因及处理方法

随着电力系统不断建设扩大,电网安全越来越重要,防误闭锁装置的运用也逐步普及。在运行中防误闭锁系统会出现一些故障,它将严重影响着设备的操作质量、运行人员操作安全。通过对防误闭锁系统在运用中出现的故障原因分析,提出了解决问题的处理方法和加强维护的措施,从而提高防误闭锁装置在运行中的质量,有效避免误操作事故的出现,提高防误闭锁在电力系统中运用的可靠性、稳定性、安全性。