机械合金化法制备57.6Ag-22.4Cu-10.5In-9.5Sn合金粉末及其性能

为了得到熔化温度介于400～600℃的中温焊粉,用机械合金化法制备57.6Ag-22.4Cu-10.5In-9.5Sn合金粉末,借助X射线衍射仪、差示扫描量热仪、扫描电镜和能谱仪等研究了球磨时间对合金化过程中粉末的物相、熔化特性及显微形貌的影响.结果表明:利用机械合金化法球磨30 h可以成功制备出57.6Ag-22.4Cu-10.5In-9.5Sn合金粉末;随着球磨时间的增加,合金粉末的粒径不断减小,颗粒形貌从片层状逐渐转变为近球形,球磨60 h,合金粉末具有良好的球度,粒径5～35μm,最低液相点温度为494.3℃.     

丙烯选择性氧化催化剂性能

通过分步沉淀法制备Mo-Bi-Co-Ni-Fe-K-O复合氧化物催化剂,考察了反应温度、空速和氧烯比等条件对丙烯氧化制备丙烯醛反应中催化性能的影响.结果表明,在反应温度(325～330)℃、空速(1 300～1 700)h-1和n(O2):n(C3H6)=1.5～1.7条件下,丙烯转化率98%,目的产物收率94%.经5...     

氨基膦酸型螯合树脂吸附Ce(Ⅳ)的性能及机理研究

测定了氨基膦酸型螯合树脂 (D4 12 )对 Ce( )的吸附容量 ,讨论了溶液 p H、粒径、时间、温度等因素对其吸附性能的影响。测得了不同粒径的树脂的吸附速率常数 ,判断其吸附控制类型为孔隙扩散限制。并采用红外及化学分析方法 ,推测出 D4 12螯合树脂对 Ce( )的吸附机理。     

铝酸锶系长余辉发光粉的制备及其光学性能

用化学共沉淀法制备铝酸锶系荧光粉,采用两种沉淀剂草酸和氨水同时加入的方法,成功地获得了组成符合要求、混合均匀的SrC2O4、Al(OH)3和Eu(OH）3的共沉淀。用这种共沉淀物可以在较低的温度下（1100℃）合成单相的SrAl2O4:Eu^2 荧光粉。测定了这种荧光粉的激发光谱的发射光谱及余辉时间。     

湿化学法合成先驱体制备氮化硼纤维的研究

以硼酸和三聚氰胺为原料,采用湿化学法合成先驱体,在氮气气氛中制备出氮化硼(BN)纤维。用中和滴定法、红外吸收光谱(IR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对合成的先驱体及制得的BN纤维的氮含量、形貌及结构进行分析。结果表明合成温度1,700℃,保温时间3 h,氮气流量2 L/min时制得的BN纤维的氮含量为53.46%,达到理论值的95%。先驱体分子中存在B—N、N—H、C—O—C、—(B—N)—结构单元。用扫描电镜观察制得的BN纤维直径为2~10 靘,长径比为40~50。     

建筑墙面砖金属光泽釉的研制

合理调整配方,用低温快速一次烧成釉面砖工艺,成功研制出金属光泽釉。这种金属光泽釉色调和光泽等外观类似金属。研究表明：这种金属光泽是由釉中的金红石型针状TiO2晶体造成的。     

石油井下特种设备的粘接修复

一、台上机油散热器的修复 1988年6月以后,我处四台进口1650型大型酸化压裂车,因使用多年,台上设备机油散热器的散热管管脚全部被严重腐蚀,极个别的已被腐蚀断裂,因严重漏油而不能使用。因受诸多条件和内部空间的限制,无法采用传统的铆、焊修复工艺修复。     

专利信息

汉字磁卡控制器 汉字磁卡控制器使用于微型计算机键盘接口中和键盘之间,可进行磁卡片汉宁信息、ANSI·4.16—1983、ISO·7811/2—1985信息读出。可用于身份证、工作证、医疗证、银行卡、考勤卡、会务报到卡等。 技术特点:可读写符合ANSI·4.16—1983.ISO·7811/2—1985标准卡,可读写自定义标准(ND—1993.7)码,该标准可读写汉字、ASCⅡ码。该装置可用于IBM/AT以上计算机。     

招商信息

合资生产鸡精口服液系列产品 天然营养,秘方配制,养身健体,销路畅通。 一、项目来源:香港; 二、项目投资:22万美元; 三、投资比例:港方60％,陆方40％; 四、合作年限:15年; 五、年产量:200万瓶,外方负责销售; 六、年产值:1100万元(人民币); 七、厂况需求:厂房800平米,场地1000平米,装机容量100KW。     

高导热氮化硅陶瓷的快速制备和性能控制

氮化硅陶瓷力学性能优异,理论热导率高,是大功率电力电子器件的关键热管理材料。但是,高导热氮化硅陶瓷烧结温度高、保温时间长,因此制备成本居高不下,对于产业化应用不利。本研究提出了一种快速制备高导热氮化硅陶瓷的方案。以Y2O3-MgO-C作为烧结助剂,以高纯硅粉作为起始原料,通过流延成型和硅粉氮化制备素坯,在1900℃、0.6MPa保温2h制备出高导热氮化硅陶瓷。研究了C的添加量对于氮化硅陶瓷的致密化、晶相、微结构、力学性能以及热导率的影响规律。最终制备的氮化硅陶瓷密度可以达到99%以上,热导率达到98W/m·K。