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51.
真空热压烧结SiC_p/Al复合材料的界面元素扩散及增强断裂机理 总被引:1,自引:0,他引:1
采用真空热压粉末冶金烧结工艺制备了含SiC颗粒体积分数分别为 5 %、15 %和 2 5 %的SiC颗粒增强铝基复合材料 ,结合其力学性能、扫描电镜和界面微区能谱分析结果 ,分析了SiC/Al复合材料的真空烧结过程中的界面现象 ,以及材料增强和断裂机理。结果表明 ,真空烧结过程中出现了界面反应 ,改善了界面结合强度 ,断裂破坏主要在基体上进行。随着SiC粒子体积分数的增加 ,SiCp/Al复合材料的抗拉强度增加 ,弹性模量显著增加 ,延伸率降低 ,材料脆性增加。 相似文献
52.
为了解超细六硝基芪(HNS)的热分解性能,通过DSC—TG实验研究HNS—IV的热分解过程,用Kissinger法和Ozawa法计算了HNS-Ⅳ热分解反应动力学参数。结果表明,HNS-Ⅳ的热稳定性与HNS-Ⅱ相当。Kissinger法和Ozawa法得到的HNS-Ⅳ分解表观活化能分别为221.4kJ/mol和220.3kJ/mol,比静态气氛下HNS-Ⅱ热分解反应的表观活化能减小27kJ/mol。 相似文献
53.
54.
采用真空热压工艺制备了含SiC颗粒体积分数分别为5%,15%和25%的SiC颗粒增强铝基复合材料,利用Hopkinson高速压杆冲击实验系统对其从静态到动态(应变率为3.3×10-3s-1~5.2×103s-1)的压缩破坏响应进行了研究,结合其光学显微镜分析变形组织,分析了不同体积分数SiCp/Al复合材料高应变率压缩载荷下,材料的变形和微观损伤机理.结果表明,复合材料存在应变率敏感性,SiC含量的增加导致复合材料应变率敏感性的增加,以垂直于载荷方向的增强相颗粒的剪切开裂为主要破坏模式. 相似文献
55.
56.
采用低碳钢作为外包套材料,通过原位法粉末装管工艺(in-situPIT)制备出高密度Ti、zr掺杂的MgB2/Fe/Cu线材。将线材短样在氩气保护条件下,于650-800℃烧结2~5h。MgB2线材的微结构分析显示,通过该工艺制备的MgB2/Fe/Cu线材比MgB2块材具有更好的晶粒连结性和更高的致密度。采用标准的四引线法,在4.2K,0~8T的磁场下测试线材的I临界电流密度。测试结果显示,800℃烧结的Mg0.9Zr0.1B2/Fe/Cu线材获得了最高的临界电流密度。 相似文献
57.
以无定形碳粉末作为掺杂物质,通过固相烧结的方法,在750℃,高纯氩气保护下,热处理2h制备了MgB2-xCx(x=0,0.05,0.10,0.20,0.30)超导块材。用X射线衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM)和物性测试仪(PPMS)对样品的微观结构和超导电性进行了系统分析。结果显示,在750℃热处理条件下,有部分碳进入MgB2的晶格中,其余碳处于MgB2的晶界处。少量碳掺杂可以有效细化MgB2晶粒,并改善MgB2的超导电性。MgB19C0.1块材的临界电流密度(Jc)在20K,3T条件下达到8×10^4A/cm^2,表明无定形碳掺杂可有效提高MgB2的磁通钉扎。 相似文献
58.
59.
60.
等径角挤压法制备超细晶的研究现状 总被引:1,自引:11,他引:1
总结了等径角挤压(Equal Channel Angular Pressing,ECAP)过程中的影响因素、晶粒细化的机理等方面的研究进展,讨论了挤压温度、挤压速度在ECAP过程中对材料的影响,简述了ECAP的变形途径、变形次数对材料晶粒、材料变形量的影响。论述了由等径角挤压方法制备超细晶材料的发展现状并提出了一些需要进一步深入研究的方面。 相似文献