含铁二次资源制备氧化铁红工艺的研究进展

介绍了氧化铁红的性质、用途,含铁二次资源制备氧化铁红的工艺、合成反应的影响因素及工艺条件。     

硬盘磁头读写臂动态性能的有限元分析

针对希捷公司ST微型硬盘驱动器磁头读写臂建立了有限元模型,通过模态分析系统探讨了预载荷对磁头读写臂动态性能的影响。结果显示,预载荷引起的磁头读写臂形状改变对其共振频率有显著影响,而预载荷引起的读写臂内应力只对一阶扭转模态共振频率有较大影响,对其它典型模态共振频率的影响有限。     

混合三聚双席夫碱与Cu离子的反应的研究

本文对混合三聚四齿双Schiff碱N,N＇-二[2-羟基苄烯]苯甲基二胺与Cu（Ⅱ）的反应进行了深入的研究．通过引入叠氮阴离子及产物晶体结构测试进一步验证了此类双Schif碱水解的反应机理。     

深水水平连接器的液压系统设计

该研究以设计适用于深水环境并能满足水平连接器工作需求的液压系统为目的,采用双干路差动式液压设计的方法,着重介绍了深水水平连接器的工作原理及其主要零部件的组成、液压系统的控制流程和原理图,并借助液压仿真软件AMESim对所设计的液压系统进行了功能性仿真,证明了该液压系统应用于深水水平连接器的可行性。     

独头掘进巷道二氧化氮分布及传感器的部署

为了给独头掘进巷道中二氧化氮传感器的科学部署提供可靠的理论依据,用FLUENT软件仿真模拟NO₂气体在巷道中的流动、分布规律,模拟实验表明:巷道出口附近10～15m处的二氧化氮传感器宜部署在巷道中布置有进风管道一侧的中下部区域,得出的结论可为进一步补充和完善现行同类传感器的安装规范提供理论参考、     

模糊层次分析法在开拓系统优化选择中的应用

以大新锰矿为例,利用模糊层次分析法来建立开拓系统优化选择模型,首先从众多影响开拓系统中选取8个较为重要的因素,再利用层次分析法确定各因素的权重,最后采用模糊决策评选出最为合适的开拓系统.结果表明,采取该模式选取的开拓系统具有一定的科学性和实用性.     

基于单元生死技术的微熔滴沉积成形温度场模拟与试验研究

采用有限单元法和单元生死技术,建立了气动按需熔滴沉积成形温度场计算模型,模拟了7075铝合金薄壁件微熔滴沉积过程温度场的演变规律.结果表明:薄壁件成形温度场随熔滴沉积位置的移动而呈现周向动态变化,不同位置熔滴单元节点的热循环曲线存在不同个数的温度峰值和谷值;随着沉积层高度的增加,1～10层相邻搭接层间熔滴的冷却速率降低,熔滴所在沉积层中的高温区域逐渐扩大,使零件在成形方向上呈现变化的温度梯度,并导致1～10层相邻层间熔滴结合处的晶粒尺寸发生变化.模拟结果与7075铝合金薄壁件微熔滴沉积试验结果基本吻合,较好反映了实际成形过程中零件的温度场变化规律.     

灵芝三萜类化合物对AD衰老模型大鼠学习记忆能力和脑能量代谢的影响

探讨了灵芝三萜类化合物(Ganoderma Lucidum Triterpenoids,GLT)对阿尔茨海默病(Alzheimer disease,AD)的防治作用及作用机制,为临床新药的开发和应用提供参考依据.结果表明AD自然衰老模型大鼠Morris水迷宫检测显示学习记忆障碍,脑组织Na+ -K+ -AT-Pase活力降低,GLT灌胃2月后,学习记忆成绩明显提高,Na+-K+-ATPase活力增加.提示GLT能提高AD自然衰老模型大鼠的学习记忆能力,其作用可能与改善脑内能量代谢有关.     

气密性陶瓷封装内热应力的ANSYS分析

采用有限元方法,运用ANSYS软件,分析计算了气密性陶瓷封装管壳内温度及热应力分布,比较了4种粘接剂对芯片温度及热应力分布的影响。热分析表明,芯片中心处温度最高,边角处最低;不同粘接剂都因为厚度较薄,对芯片温度的分布无较大影响。热应力分析表明,由于热分布不均匀,使芯片与粘接剂的接触处有较大的热应力,主要集中在粘接剂与芯片的下底面,此处也是最容易导致芯片脱落失效的部分。对比4种粘接剂的结果发现:采用H35作粘接剂时,应力峰值为17.0MPa,但芯片与粘接剂和底座之间的热应力较大;采用PbSnAg焊料作粘接剂时,应力峰值为41.9MPa,但芯片与粘接剂和底座之间的热应力较小。     

AuSn合金在电子封装中的应用及研究进展

AuSn合金焊料因其具有优良的抗腐蚀、抗疲劳特性和高强度、高可靠性等优点而在气密性封装、射频和微波封装、发光二极管(LED)、倒装芯片(Flip-chip)、激光二极管(LD)、芯片尺寸封装(CSP)等方面得到广泛的应用。从电子封装无铅化和合金焊料的可靠性等方面,对AuSn合金焊料的物相结构和材料性能进行了讨论,并对AuSn合金焊料在电子封装中的应用及其研究进展进行了总结和展望。