低能Ar^＋轰击对GaAs,AlxGa1—xAs表面成分的影响

低能离子溅射半导体表面会引起表面结构和成分的变化,导致器件电学性能变差。本文用俄歇电子谱研究了轰击离子能量和束流密度对GaAs、Al_xGa_(1-x)As表面成分的影响。实验分析表明,离子轰击导致GaAs表面As元素严重贫乏和Al_xGa_(1-x)As表面Al元素强烈偏析和Ga元素的轻微减小。我他对离子轰击后GaAs Al_xGa_(1-x)As的表面成分分析结果与文献值不同。实验结果同时说明,GaAs与Al_xGa_(1-x)As中离子溅射行为有较大的差别,我们对此进行了初步讨论,并将实验结果与理论模型进行了比较,发现实验与理论之间不能很好一致。     

微波GaAs功率场效应晶体管稳态温度场的数值模拟

根据微波功率ＧａＡｓ功率场效应晶体管芯片结构特点建立热模型，用有限元法对模型数值求解得到芯片稳态温度分布。分析了影响芯片表面沟道温度的诸因素：功耗、芯片周围环境温度、ＧａＡｓ材热导率、芯片厚度、芯片热源分布及其跨导。     

高能离子辐照引起薄膜附着力的增强及其界面物理化学效应

在核阻止本领为主的能区范围内(十到几百千电子伏),离子注入或轰击会引起原子混合,以改善不同材料的界面之间的结合,这已为大家所熟知。近年来发现,高能离子辐照在电子阻止本领为主的条件下,同样能够改善材料界面之间的结合强度。由于电子阻止作用诱发的界面结合强度变化的机理与核阻止作用不同,对此现象的研究不仅涉及核物理基础、材料科学、表面与界面物理化学等学科的广泛问题,而且对提高薄膜的可靠性、寿命,开拓薄膜的应用领域具有重要的实际价值。讨论了近年来高能离子辐照引起界面物理化学变化的实验、理论研究的结果和进展。     

关于AES中CMA的分辨率的计算和测量

分辨率是CMA这一装置本身固有的特性,与被检测的电子能量E之大小及分散度ε无关。我们不认为一些作者给出的底宽分辨率R_b的表示式中包含有ε是正确的。在θ_0=42°18 30,n=2的条件下,我们给出 R_b=0.329ρ+0.178σ+0.964ρ|△θ|+5.5|△θ|~3 在AES中,多数是用一次电子束的弹性反射束测量。这样所得之结果包含有ε的影响,这就是R_b的实验值与计算值之间有较大差异的主要原因之一。所测得的数值只能表明AES性能的好坏,并不能完全反映出CMA的R_b之高低。     

表面分析讲座 第二讲 光电子谱仪

光电子谱仪是用来研究光子从材料中打出的电子能量分布、角度分布和强度的一种表面分析仪器。光电子谱仪中应用的激发源一般为 x 射线源和真空紫外光源两种。用 x 射线源的叫 x光电子谱(XPS);用紫外源的叫紫外光电子谱(UPS)。前者也叫化学分析电子谱(ESCA),多数情况下 UPS 是 XPS 的副机,所以,有时 ESCA 又是二者的总称。XPS 和 UPS 可以检测表面的元素组份,灵敏度高(0.01分子层),信息深度小于30     

关于氦质谱检漏仪的反应时间的两种测量方法

本文对氦质谱检漏仪的反应时间的两种测量方法进行了讨论,指出其中一种方法是错误的。 反应时间和清除时间是氦质谱检漏仪的重要参数之一,通常规定反应时间和清除时间不大于3秒。对仪器经常进行灵敏度校准和反应时间与清除时间的测量是检查仪器是否正常工作的手段之一。就是在检漏工作进行过程中,对于检漏技术人员来说也应该知道在连接了被检容器和辅助真空系统之后,整个检漏系统(包括检漏仪、被检件、辅助真空系统)的检漏灵敏度多大?反应时间与清除时间多长?这些决定了能够检示出多大漏孔和应该以怎样的速度进行检漏的问题。 下面只谈一下…     

深圳豪威真空光电子股份有限公司 新一代ITO镀膜生产线通过鉴定验收

20 0 1年 3月 3 0日至 4月 1日在深圳举行了豪威真空光电子股份有限公司新一代 ITO镀膜生产线“SV - 1 6 80 B”型 ITO透明导电玻璃镀膜生产线鉴定验收会。我国著名真空设备专家、上海真空泵厂总工程师、中国真空学会常务理事姜燮昌教授级高工任鉴定验收委员会主任 ,委员会成员有 :牛憨笨 (院士、教授、博导 ,深圳大学光电子学研究所所长 )、李贵和 (教授 ,中国科技大学合肥同步辐射加速器实验室、安徽省真空学会理事长 )、查良镇 (教授、博导 ,清华大学电子工程系、中国真空学会常务理事 )和 Marcel Baril(教授 ,加拿大 Laval大学物理…     

LB膜及其在气体传感器中的应用（一）

ＬＢ膜技术在近十几年来取得了很大的进展。ＬＢ膜作为传感器的敏感材料，由于其灵敏度高、响应时间快、工作温度低（室温）等优点而受到广泛重视。简要讨论了ＬＢ膜技术的工作原理、ＬＢ膜技术研究的一些进展、ＬＢ膜的表征及其在气体传感器制造中的应用