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51.
采用单体直接滴加-半连续乳液聚合工艺合成了二十二烷基聚氧乙烯醚甲基丙烯酸酯(BEM)含量不同的疏水改性碱溶性聚丙烯酸乳液(HASE)。控制NaOH/COOH的摩尔比(R),研究了R对HASE体系的pH、透光率、黏度、溶解参数(SP)、表观离解常数(p Ka)及η_0、η_∞、[η]和流变性的影响。结果表明,pH在R=0.1~0.8范围呈平台状,HASE相态转变的起点是R≈0.4,终点是R≈0.8,对应的pH≈7;BEM量越多,质子迁移吉布斯能(ΔGel)越大,相态转变的R值越高;η0、η∞曲线在R≈0.8前后表现出2个斜率,而[η]只有1个斜率,且η0、η∞、[η]具有p H敏感性;稠度系数(K)随pH和BEM增加先增后降,流动指数(n)随p H和BEM先减小后增大。  相似文献   
52.
基于代数方法和PN码相关函数几何图形分析,提出一种与本底噪声完全无关的延迟锁定环鉴别器D NELE_FN,彻底解决了传统延迟锁定环鉴别器与本底噪声有关的问题。D NELE_FN鉴别器无需增加硬件和计算量,对消了环路本底噪声,充分利用了包络P的信噪比比包络E和包络L信噪比高的特性,提高了码环路的跟踪测量精度,进而提高了GNSS接收机的定位精度;同时,有助于GNSS接收机更抗差地跟踪弱信号。  相似文献   
53.
长距离输电缆(LTC)与并网逆变器交互作用易引发系统谐波不稳定的风险,且忽略线路频变特性可能会导致稳定性误判。文中计及输电线路的分布参数特性和频变特性,研究如何评估这类逆变器并网系统的稳定性。首先,基于矢量匹配法对含LTC的交流系统进行等值,同时考虑逆变器的内外环控制、锁相环、控制延时等环节,建立dq旋转坐标系下逆变器并网系统高频状态空间模型;其次,采用参与因子分析方法辨识出导致谐波不稳定的关键影响环节,并基于根轨迹方法分析了LTC频变特性、延迟时间、控制器参数、电缆长度和电网阻抗对系统稳定性的影响;再次,提出了基于参数灵敏度分析和矩阵相似变换的系统稳定性改善方法,并对改进后系统的谐波稳定性进行分析;最后,基于RT-LAB构建硬件在环实验平台进行了验证,实验结果验证了理论分析的正确性。  相似文献   
54.
针对弱电网下光伏并网逆变器可能发生的失稳现象,提出一种光伏并网逆变器的数字H鲁棒控制器设计方法。首先建立传统控制策略下光伏并网逆变器的控制模型,并分析其在弱电网条件下的稳定性。为了提高LCL型光伏并网逆变器对电网阻抗变化的鲁棒性,考虑数字控制延时的影响,通过建立离散域下光伏并网逆变器的标准H控制模型,并设计加权函数,求得光伏并网逆变器的数字H控制器。与传统的双闭环控制策略相比,理论分析与仿真和实验结果均表明,所设计的数字H控制器可显著增强弱电网条件下光伏并网逆变器的稳定性。  相似文献   
55.
随着海上油气田安全生产要求的不断提高,PLC系统在海上油气安全生产中的应用越来越广泛。做好PLC的发证检验,确保海上石油设施生产安全,实现海洋油气设施的本质安全化有重要意义。  相似文献   
56.
三叶后掠式搅拌器的流场试验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
专门探讨一种测量搅拌流场的新技术-应用三维激光测速仪系统,对三叶后掠式搅拌器形成的流场进行测量,得到平均速度,湍流度,相关系数及雷诺应力等各力学量与相位角度之间的对应分布结果。  相似文献   
57.
本文介绍了RS-232C串口通信的基本知识,及在dos和windows中编程的方法。  相似文献   
58.
针对光伏并网逆变器,首先建立在数字控制下的z域模型,然后通过讨论其z域开环传递函数的频率特性,确定并网逆变器相位在不同谐振角频率区间穿越-180°的情况。同时结合奈奎斯特判据,给出光伏并网逆变器在不同谐振角频率区间的稳定判据,并根据此判据提出光伏并网逆变器优化设计思路与方法。该方法能够抵抗电网等效阻抗的宽范围变化,最后通过仿真和实验验证了理论分析的正确性。  相似文献   
59.
针对已有基于MPPT的孤岛检测方法存在功率损耗大、存在检测盲区、对电网影响大等不足,提出一种基于MPPT的分步扰动算法。通过对Boost升压电路的占空比进行周期性的扰动,实现逆变器输出功率的周期性扰动,在电网断电时影响并网点的电压,使其超出过/欠电压保护阈值,从而检测出孤岛。对已有算法的参数进行了优化,消除了检测盲区。根据电网电压波动的国标,增加了新的判据,减小了检测时间。采取分步扰动算法,减小了功率波动对电网和用电设备的影响。根据IEEE Std.929—2000标准并结合国内实际情况,对算法进行了仿真和实验验证,验证了所提算法的有效性。  相似文献   
60.
MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)(金属有机化合物化学气相沉积),是一种高质量半导体材料生长技术,以MO化合物为材料源,在合适的沉积温度下,利用易挥发的MO化合物转移相对稳定的金属原子,进行材料的沉积.MOCVD技术主要应用于半导体材料、纳米材料等材料生长领域,具有很高的应用价值及广阔的应用前景.……  相似文献   
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