基于运动判断的动态帧间滤波方法

提出了一种基于运动判断的自适应动态帧间滤波方法,利用不同帧间图像的共有图像信息部分进行累加滤波,同时又可避免因为子像素的位移引入的混叠效应,从而达到最大限度提高图像质量的目的.给出了该滤波方法的噪声方差方程,并利用该方法对采集的视频图像数据进行了处理,讨论了不同阈值下的滤波效果.     

亮度增益对夜视仪视距的影响

亮度增益对夜视仪的视距有很重要的影响.夜视仪最重要也是最基本的作用就是改善微光条件下人眼的观察性能,产生足够亮度的光学图像供人眼观察.以前的视距公式没有考虑到亮度增益对视距的影响.从照度与人眼阈值分辨角的关系的角度出发,将亮度增益加入到了视距公式中,并根据修正出的公式从理论上分析了亮度增益对视距的影响.     

基于Vega的微光夜视系统性能仿真技术研究

介绍了有关Vega视景仿真软件的基本理论和概念.结合VC编程软件,编制了一个集计算和仿真功能于一体的应用软件,可以对各种条件下的微光夜视系统进行视距估算和性能仿真,为微光系统的设计提供评估,文中给出了软件对车用微光夜视仪的仿真结果.     

用动态光谱响应测试技术评价多碱光电阴极的电子亲和势

利用光谱响应和量子产额曲线首次介绍了多碱光电阴极制备过程中的电子亲和势.Na2KSb、Na2KSb+Cs和[Na2KSb+Cs]+Sb+Cs的电子亲和势分别为0.7～0.91 eV,0.35～0.41 eV和0.33 eV,并认为电子亲和势的差异取决于阴极工艺的差别.在Na2KSb形成过程中存在n型表面态,这些n型表面态的存在影响了Na2KSb的重掺杂,从而影响了多碱阴极的积分灵敏度.     

像增强器亮度增益和等效背景照度测试仪的计算机模拟与研制

亮度增益和等效背景照度是衡量像增强器性能的两个重要参数,针对这两个参数的测试要求,本文阐述像增强器亮度增益和等效背景测试仪的计算机模拟与结构设计。并利用研制的测试仪对多种型号的像增强器的亮度增益和等效背景照度进行了测试,给出并分析了测试结果。结果表明,本测试仪的计算机模拟和结构设计是合理有效的。     

基于CMOS图像传感器的像增强器闪烁噪声测试系统

随着国内像增强器性能的逐步提高,闪烁噪声成为分辨力进一步提升的障碍之一。为了深入分析和研究闪烁噪声的相关特性,筛选性能更好的像增强器并进一步改进生产工艺,设计了一套闪烁噪声测试系统。通过驱动长光辰芯GSENSE400BSI系列低照度CMOS图像传感器,采集像增强器荧光屏上的图像,利用USB接口传输数据至上位机进行图像分析。实验中对像增强器进行测试,得到了相应的闪烁噪声离散系数分布,发现在2.8×10-6 lx照度环境下噪声最为明显,信噪比越高的像增强器整体离散系数越低。利用连通域检测算法,在二值化阈值为100的条件下,三种型号像增强器在连续200张图像中的高亮噪声数量平均值分别为5.18,1.40,0.86,重复性分别为1.26%,3.23%,2.66%,可以将离散系数和高亮噪声数量作为评价像增强器显示质量的指标之一。     

微光像增强器亮度增益和等效背景照度测试技术

研制了一台微光像增强器亮度增益和等效背景照度测试仪,对测试仪的总体结构、光学系统、机械结构、信号处理模块和计算机软硬件等部分进行了设计,采用测试入射像增强器阴极面光通量和荧光屏输出光通量之比的方法实现了像增强器的亮度增益测试,合理的结构设计保证了一台仪器对两个参量的测试.利用研制的测试仪对多种型号的像增强器的亮度增益和等效背景照度进行了测试,并分析了测试结果.     

供热过程热量测量不确定度评定

本文描述了供热过程热量测量不确定度评定方法。此方法以国家计量技术规范JJF10 5 9— 1999《测量不确定度评定与表示》为基础 ,为供热过程热量测量不确定度做出评定。推导了P参量和t参量焓灵敏系数 ,并通过实例验证了评定方法的实用性。     

红外焦平面可调偏置电压与温度特性的分析

在红外枪瞄系统中,探测器决定着整个系统的性能,为了增强焦平面适应低温操作环境的能力,人们把红外焦平面的低温特性作为了关注的焦点。本文根据对a-Si微测辐射热计焦平面内部的微观电路结构和噪声等效温差(noise equivalent temperature difference,NETD)的分析,经过详细地推导NETD公式,认为可调节两个偏置电压,使焦平面可以在较低的温度下稳定工作。     

GaAs光电阴极制备过程中多信息量测试技术研究

研制了一套基于现场总线技术的GaAs光电阴极多信息量测试系统，该系统可在线测试和保存阴极制备过程中的大部分信息量，如激活系统的真空度、阴极光电流、光谱响应曲线、Cs源和O源电流等。实验测试了GaAs光电阴极加热净化过程中真空度随温度的变化曲线，分析发现，高温净化时有几个真空度下降较快的区域，为160℃～280℃、400℃～500℃、570℃～600℃，分别是由于．AsO的脱附和水分的蒸发、As2O3分解和Ga2O脱附、GaAs和Ga2O3的分解所致，低温净化真空度在370℃后下降较快，这是由于吸附在阴极表面的Cs脱附速度加快造成的。实验还测试了激活过程中多种信息量的变化，发现了真空度和光电流随Cs源和O源电流的变化规律，这些大大方便了对激活工艺进行深入细致的分析研究。