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501.
质量管理是为了保证和提高产品质量所进行的计划、组织、协调、控制等各项工作的总称,由于市场建筑施工存在着复杂的纵横关系,非一个施工单位能够保证整个建筑物全部功能的质量,从设计、施工一直到竣工使用,必须将参加建设的所有单位组织起来,统一协调,分工合作,才能建立起保证体系,确保建筑产品的全部功能质量。 相似文献
502.
采用蒸发诱导自组装法制备介孔TiO2薄膜,通过改变原料配比水解比H、抑制比p、TiO2与模板剂比s值控制合成介孔TiO2薄膜,考察原料配比对介孔TiO2薄膜避光超亲水性的影响.结果表明,随H、s值增大,介孔孔径和平均粒径先增大后减小,TiO2以锐钛矿型出现,TiO2薄膜避光超亲水性先增强后减弱;随p值增大,孔径和平均粒径逐渐减小,金红石含量增大,TiO2薄膜避光超亲水性逐渐降低.当H=15,p=2,s=188时,所制备的TiO2薄膜最大孔径为10.2nm,避光12 h后接触角仍小于5°.在所制备粒径范围内,介孔孔径对薄膜避光超亲水性的影响大于粒径的影响. 相似文献
503.
采用CaHPO4·2H2O-H2SO4-H3PO4-H2O体系模拟湿法磷酸生产过程,以磷矿浆成分为依据,在单因素条件下分别研究Al3+、Na+和Mg2+对结晶和CaSO4·2H2O水洗速率的影响。研究发现:添加Al3+有利于CaSO4·2H2O晶体粒径增加;添加Na+使得0.9% Na2O含量的Na+引起CaSO4·2H2O晶体团聚,有利于水洗;Mg2+增加溶液黏度,严重影响晶体生长和水洗速率。通过X射线衍射、扫描电子显微镜对CaSO4·2H2O进行表征,发现其晶体生长符合非完整光滑突变界面模型,杂质离子影响反应速率和晶面生长速度。 相似文献
504.
为定量探究区域滑坡空间分布结构,揭示不同规模类型区域滑坡分布模式异同,分析其异同原因,拓深对区域滑坡空间分布规律的认知,在建立黄土滑坡详细编录数据库的基础上,借鉴粒度分析理论,引入滑坡径级概念。采用关联维数、核密度和GIS空间分析方法,定量地分析不同径级上区域黄土滑坡空间分布结构及其形成原因。结果表明:(1) 径级50~75 m黄土滑坡所占比例最大,占到滑坡总数的28.87%;径级>100 m黄土滑坡所占比例较小,占到滑坡总数的15.12%;(2) 各径级区域滑坡空间结构具有多分形特征,在30 km尺度上存在明显的拐点;在小于30 km尺度上区域滑坡各径级的关联维数随着径级规模增大而增加,分布模式由聚集分布逐渐过渡到分散分布,在大于30 km尺度上区域滑坡都呈现聚集分布状态;(3) 成因分析表明,黄土滑坡在发育过程中,更多是受地形地貌的影响,在遴选的3个分布模式主要影响因素中,距河流距离对区域黄土滑坡分布模式的影响最大,其次为地形起伏度,小规模滑坡在距河流距离近(地形起伏度小)的地方所占比例较高,而大规模滑坡在距河流距离远(地形起伏度大)的地方所占比例较高。坡度虽然是影响滑坡稳定性的重要影响因子,但对于分布模式的影响几乎没有。 相似文献
505.
在数据稀疏、数据非均匀分布和数据流形具有较大曲率的情况下,传统的局部切空间方法不能够有效地揭示流形结构。提出了一种泛化的ILTSA(GILTSA)流形学习方法,该方法以改进的局部切空间排列算法(ILTSA)为基础,在解决流形结构问题的同时,不仅能够获得用于人脸识别更好的低维特征,而且能有效地处理日益增加的数据集的问题。该方法首先基于样品间距离选择近邻集,实现训练集的低维流形,为每个新样本寻找最近的样本训练集。然后结合ILTSA算法,根据其最近样本投影距离计算低维流形。在ORL的人脸图像数据库的实验、Swiss roll和手书的“2”等实验结果表明,与局部线性嵌入和局部切空间排列算法等相比,GILTSA方法增加了整体精度。 相似文献
506.
507.
508.
工艺条件对气雾化制备SnAgCu合金粉末特性的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
采用紧耦合气雾化法制备SnAgCu无铅焊料合金粉末,研究雾化压力和熔体过热度对粉末粒径和形貌的影响.采用干筛筛分法对所制备的粉末进行分级,采用激光粒度分析仪和扫描电镜分别对粉末的粒径、形貌和微观组织进行表征.结果表明:当雾化压力为0.7 MPa、熔体过热度为20~30 ℃时,制备的无铅焊料合金粉末中值粒径为40.10 μm,颗粒表面光洁、球形度高;当过热度为20~30 ℃、雾化压力由0.7 MPa增大至2.5~3.0 MPa时,粉末中值粒径由40.10 μm减小至32.22 μm,颗粒表面缺陷明显增多;当雾化压力为0.7 MPa、熔体过热度由30 ℃提高至50 ℃时,粉末粒径仅略微减小,但球形度明显降低;气雾化快速冷凝产生富Ag和Cu相,且富Ag和Cu相弥散分布在Sn基体内. 相似文献
509.
以玉米植株为原料制备了纳米结构SiO2. 通过常温混酸浸泡等手段在玉米植株中观察到了微米级植硅石,并以植硅石为原料,通过煅烧、硝酸煮沸等方法制备了纳米级SiO2;运用X射线粉末衍射(XRD)、光学显微镜、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、电子能谱(EDS)、红外光谱(IR)等手段对样品进行了表征. 结果表明,玉米茎表皮和叶中植硅石均为哑铃形,前者沿木质素导管方向顺向排列,后者为横向排列;经硝酸煮沸煅烧后,植硅石可以形成103nm左右的SiO2球,并随着煅烧温度的升高,纳米球逐渐交联. 相似文献
510.