氯碱废水中氯离子的快速测定

本文介绍了电位滴定法的基本原理和在氯碱废水监测中的应用，通过对加标回收率，准确度和精密度的检验，得出用该方法测定废水中氯离子含量要好于常规的硝酸银滴定法，具有快速，灵敏，准确等优点。     

氧化温度对工业纯钛氧化膜结构及阻氢性能的影响

本文研究了氧化温度对工业纯钛氧化膜结构及阻氢性能的影响。利用XRD和SEM对氧化膜相组成、表面形貌和截面形貌进行了分析。结果表明:工业纯钛在500～700℃氧化后的氧化层主要由金红石结构TiO2组成;表层氧化物的晶粒尺寸及氧化层厚度随氧化温度的提高而增加;低于500℃氧化时,氧化物晶粒较为细小,氧化层厚度较薄;高于600℃氧化时,氧化物晶粒较为粗大,氧化层较厚。氧化层的阻氢性能由氧化层厚度及致密度共同控制;氧化温度低于500℃时,随着氧化温度的升高,氧化层的阻氢性能逐渐增强;氧化温度高于500℃时,因氧化层致密度降低,其阻氢性能随氧化温度的升高而降低。     

载钯硅藻土的制备及其吸放氢性能研究

采用PdCl2溶液以浸渍还原法制备了载钯硅藻土复合材料(Pd/K),并对Pd/K复合材料中钯的分布状态,以及Pd/K复合材料的p-C-T曲线、热力学、动力学及循环吸放氢性能进行了研究。结果表明:与纯钯相比,载钯硅藻土样品吸氢量有所降低,吸放氢平台压稍有升高,平台斜率增大,其吸氢速率比纯钯的高1倍以上;吸放氢焓变值降低,熵变值升高。经2000次吸放氢循环后,载钯硅藻土的样品饱和吸氢量和吸氢速率未改变,粉化率为3.6%(质量分数)。     

多孔氧化铝的制备及表征

采用两类不同制备方法,分别制备出多孔氧化铝薄膜和多孔粉末氧化铅。薄膜多孔氧化铝的制备是通过二次阳极氧化法来实现。经不同电压下的一次阳极氧化、二次阳极氧化以及相同电压下的时间单因素实验可知,制备薄膜氧化铝的最佳工艺条件为：二次阳极氧化时间,7h;氧化电压,40V。分别使用加热法、水热法、溶胶 凝胶法制备粉末多孔氧化铝,利用XRD、热分析、N₂吸附脱附和TEM对粉末多孔氧化铝进行表征。溶胶 凝胶法制备的粉末氧化铝比表面积最大,达到263m²/g,且具有较宽的孔径分布、较大的孔容。     

在线低能气体离子源

材料中氦和氢积累可引起材料性能的恶化甚至失效。为研究材料内氦和氢的存在形式、氦与氢及缺陷的相互作用、气泡的形成和演变过程以及各种因素的影响,建立一套离子束能量最高20keV的潘宁型气体离子源引出和聚焦系统,与200kV透射电镜联机,在离子注入现场原位观察氦和氢不同注入浓度下材料内部的微观结构及变化过程。对离子源进行氦离子的起弧、引出和聚焦测试。离子源在15–60mA放电电流范围内稳定地工作。在5×10–3Pa和1.5×10–2Pa工作气压下,放电电压约380V和320V。低气压下引出离子束流比高气压下大,且引出束流随放电电流和吸极电压的增加而增加。等径三圆筒透镜有显著聚焦作用,在距透镜出口150cm处,离子束流密度提高一个量级以上。能量10keV左右的氦离子获得束流密度约200nA·cm–2的离子束,可满足多种材料进行在线离子注入和原位电镜观测的需要。     

电视包装与电视节目产业化

电视包装可以起到突出电视节目、栏目、频道个性特征和特点的作用,确立并增强观众对节目、栏目、频道的识别能力,确立电视节目、栏目、频道的品牌地位,为电视产品的市场营销奠定基础。     

黄果茄果实的灭螺活性及其有效成分的提取分离

测定黄果茄(Solanum xanthocarpum,SX)果实原粉浸杀钉螺和斑马鱼的活性,并提取分离其有效成分.研究结果:水温25 ℃,13μm SX原粉浸泡96 h,钉螺和斑马鱼的LC50值分别为7.61、54.4 mg/L(P<0.05);酸水提取与CCL分离得到碱性物SX Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ,HPLC检测其纯度分别为97.89%、98.71%、96.12%,熔点仪测定其熔点分别为310.0、301.7、256.5℃,MS分析其相对分子质量分别为883、867、721;用其浸泡24 h抑杀钉螺100%的剂量分别为100.0、8.0、200.0 mg/L.结果表明SX果实原粉具有灭螺活性高和对鱼毒性低的生物效应且含有抑杀钉螺高活性的生物碱.     

MELP：新的2400bit／s美国联邦声码器标准

本文详细讨论了ＭＥＬＰ算法的模型及其实现，并将它的性能与其他语音编码标准作了比较。     

增产丙烯技术的发展现状

着重介绍了国内外增产丙烯的技术,分析了各生产工艺的特点,结合我国目前情况提出了一些发展我国丙烯工业的建议.     

纳米晶钛薄膜的制备及结构分析

采用磁控溅射和离子镀膜工艺在Mo基片上制备了具有不同晶粒尺寸的纯Ti薄膜，并利用X光衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和扫描电镜（SEM）分析和观察了两类Ti膜的结构和形貌。实验结果显示：与溅射镀膜相比，离子镀膜的晶粒择优取向程度略低，Ti膜与基片结合较好；较高的基片温度有利于提高膜的致密程度，并降低膜的晶粒择优取向程序。