纳米金属/介孔TiO2复合体磁性

本文研究了不同纳米金属含量对溶胶-凝胶法制备的纳米Fe,Co,Ni/介孔TiO2复合体的饱和磁化强度、剩余磁化强度、矩形比和矫顽力的影响.通过振动样品磁强计对纳米复合分体磁学参量(-7.96×105 A·m-1＜H＜7.96×105 A·m-1)进行测定;结果表明:纳米金属含量对复合体的磁学参量有着复杂的影响.     

Ni/SiO2纳米复合涂层的结构与光学性质研究

采用射频磁控溅射方法制备Ni/SiO2纳米复合涂层,获得了镍成分为7.25%(at)(LNi)、13.96%(at)(MNi)、19.20%(at)(HNi)3种复合涂层,研究了该复合涂层的组织结构与光学性质.结果表明LNi纳米复合涂层的晶粒尺寸为10～15nm,随着镍含量提高,涂层的晶粒尺寸增大,纳米Ni颗粒的形状发生变化;LNi复合涂层在300～350nm存在显著的光吸收,随着晶粒尺寸增大,光吸收边发生显著的红移.     

单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能

介绍了用一种简单的气相合成方法制备出了大量高纯单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线,所形成的纳米线粗细均匀、表面光滑,直径为30～80nm,其长度可达数百微米.同时讨论了氮化硅纳米线的生长机理,其生长过程中气-固机制起主导作用.荧光测试结果表明,氮化硅纳米线的发光有一个宽的发光带(波长从500～700 nm),发光峰位于567 nm.     

67%变形量纯钨轧板在1250 ℃退火过程中的再结晶行为

目的 研究轧制压下量为67％的纯钨板在退火过程中的再结晶行为.方法 对67％变形量纯钨板在1250℃下进行等温退火实验,运用电子背散射衍射技术获得了变形态和退火态的显微组织与织构,量化了其晶粒尺寸、纵横比以及主要纤维织构的体积分数,分析了变形态组织中潜在晶核的信息.在此基础上,对再结晶前后的显微组织和织构进行了对比分析.结果 温轧后纯钨板的组织中包含了潜在的再结晶晶核,W67在1250℃下退火过程中以较快速度发生了不连续静态再结晶.结论 随着退火时间的增加,再结晶晶粒的尺寸逐渐增大,但其纵横比基本保持不变.在再结晶过程中,θ纤维织构和α纤维织构有所增加,而γ纤维织构明显减少.     

ALOF——新一代三维疲劳裂纹扩展分析软件

针对当前亟需开发能分析和评估含缺陷工程结构及装备的专业商业软件的现况,基于成熟的扩展有限元法(eXtended Finite Element Method,XFEM)和自主研发的虚节点法(Virtual Node Method,VNM),推出具有完全自主知识产权的三维疲劳裂纹扩展分析软件ALOF(Analyses Laboratory of Fracture).介绍ALOF求解断裂问题的流程及其特点:可以方便地导入完整的CAD模型及多种形式的裂纹模型,可以自动生成疏密合理的二维和三维裂纹扩展分析网格;具有丰富的失效准则库;能自动分层加密裂尖区域网格;能全自动地进行裂纹扩展计算等.与同类软件相比,ALOF更简单、更精准、更高效和更专业.利用ALOF进行的3个实际工程案例表明,ALOF能准确、高效评估任意复杂缺陷体的剩余强度和疲劳寿命.     

两步水热法制备还原氧化石墨烯/纳米TiO_2复合材料及其光催化性能

为研究由还原氧化石墨烯(RGO)和具有高活性晶面的TiO_2组成的复合材料的制备方法及其光催化性能,首先采用两步水热法制备了RGO/纳米TiO_2复合材料:第1步为合成暴露高活性晶面的纳米TiO_2;第2步为将合成的纳米TiO_2与氧化石墨烯(GO)复合,形成RGO/纳米TiO_2复合材料。然后,利用XRD、SEM、X射线光电子能谱仪和紫外-可见漫反射光谱等手段对制备的暴露不同晶面的纳米TiO_2和RGO/纳米TiO_2复合材料进行了表征,评价了其光催化性能。结果表明:在水热法的第1步中,通过调节HF的浓度能可控制备出具有高活性的(001)和(101)晶面的纳米TiO_2,氟原子在纳米TiO_2中以物理吸附态和化学结合态这2种形态存在;在第2步后,GO与纳米TiO_2复合形成RGO/纳米TiO_2复合材料,同时在此过程中GO被转化成RGO。在紫外光照射下,两步水热法合成的RGO/纳米TiO_2复合材料具有很好的光催化性能,明显优于商用TiO_2(P25)和纳米TiO_2的。RGO/纳米TiO_2复合材料的光催化性能有明显的提高,RGO和TiO_2暴露的晶面对光催化活性有影响。     

Pt纳米颗粒修饰TiO2纳米管阵列的合成及其光电化学性能

采用阳极氧化法在含0.4 mol/L HF的乙二醇电解液中制备高度有序的一维TiO2纳米管阵列,并采用柠檬酸溶剂热还原法在TiO2纳米管阵列表面沉积Pt纳米颗粒,研究Pt纳米颗粒对TiO2纳米管阵列光电化学性能的影响,对纳米管的结构、形貌、成分进行了表征,采用电化学工作站对沉积前后的TiO2纳米管阵列进行循环伏安扫描,并用5 W紫外LED灯对不同沉积条件下样品的光电流进行测试. 结果表明,所制TiO2纳米管排列整齐,管径均匀,约为150 nm,壁厚约20 nm,管长约为20 mm;尺寸约20 nm 的Pt纳米颗粒在纳米管内部分布均匀,Pt以单质形式存在. Pt沉积可提高TiO2纳米管的电化学活性,并明显增加TiO2纳米管对紫外光的吸收能力和光电流响应,Pt纳米颗粒的沉积温度为100℃时具有最大光电流响应,最高瞬时光电流值为289.84 mA.     

Ni-P-SiO2/TiO2化学复合镀工艺研究

采用正交实验初步确定了Ni—P—SiO2／TiO2纳米化学复合镀工艺的基本配方。研究了搅拌速度、表面活性剂加入量、pH值、温度对沉积速度的影响,以及纳米粒子加入量、搅拌方式、搅拌速度、表面活性剂种类对镀层纳米粒子复合量的影响,得出最佳工艺配方。     

Ni-W纳米晶合金电沉积工艺条件的研究

纳米晶材料与常规晶体材料相比有许多优良的性能 ,已受到广泛关注。本文采用电沉积方法获得了Ni W纳米晶合金镀层。研究了镀液中钨酸钠含量、温度、pH值及电流密度对沉积速度的影响。测定了镀层的显微硬度 ,并用X -射线衍射仪对其微观结构进行了观察。结果表明 ,影响沉积速度最大的因素为pH值 ,其次是电流密度 ;镀层显微硬度最高可达 6 70 .3HV。通过正交试验得出适宜工艺条件范围为 :Na2 WO4·2H2 O 1 0～ 30g/L ,电流密度 1 0～1 5A/dm2 ,温度 6 0～ 70℃ ,pH值 6～ 7。     

化学沉积纳米晶Co-P合金及其沉积速率影响因素的研究

化学沉积可得到均匀、致密的纳米晶薄膜,是一种较为理想的纳米晶制备方法。采用正交实验优化了化学沉积纳米晶钴磷合金的工艺配方,研究了正交实验5因素如硫酸钴、柠檬酸三钠、硼酸、次磷酸钠和温度及负载因子、沉积时间对沉积速度的影响。研究获得的优化工艺配方和参数为:0 06～0 12mol/LCoSO4·7H2O,0 40～0 55mol/LNaH2PO2·H2O,0 15～0 3mol/LNa3C6H5O7·2H2O,0 3～0 6mol/LH3BO3,50～80℃,负载因子0 4～0 8dm2/L。