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RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型 总被引:2,自引:0,他引:2
提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度. 相似文献
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当今,由于时代的飞速发展,信息技术成为高中学生的必修课,被摆在了越来越重要的位置。要想切实提高信息技术课教学质量和学生的学习效率,我们需要改变传统的信息技术课教学模式,必须加强信息技术课理论的教学。教材对理论知识没有作过多的论述,占用篇幅较少,知识的系统性比较薄弱;学习内容较艰涩难懂,少趣味陛。如何能在理论课中实现突破,既能使学生主动、愉决地掌握理论知识,又能有效地培养学生信息素养呢? 相似文献
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针对一类未知控制增益的不确定非线性系统,提出了一种自适应跟踪控制方法.文中的不确定性包括时变和时不变参数.基于反步设计法,提出了一种新的自适应控制方法.该方法不采用饱和控制,能保证跟踪误差收敛于零.提出了一个仿真例子,仿真结果说明了该方法的有效性. 相似文献
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不锈钢缩放管中典型致垢微生物致垢能力 总被引:1,自引:0,他引:1
以电厂循环冷却塔塔底黏泥中分离纯化出的3种致垢微生物铁细菌(IB)、硫酸盐还原菌(SRB)、黏液形成菌(HB)为实验菌种,利用污垢热阻动态模拟实验台,在恒定工况下(水温30 ℃,流速0.4 m/s),动态模拟了3种致垢菌及其混合菌的微生物污垢形成过程。实验测得了3种致垢菌和混合菌的污垢热阻,并对垢样成分进行了ICP-MS和阴离子分析。结果表明:污垢诱导期分别为28 h、45 h、70 h和18 h;污垢热阻渐近值为2 10?4 m2?K/W、1.75 10?4 m2?K/W、1.45 10?4 m2?K/W和4.9 10?4 m2?K/W。由此表明致垢菌的致垢能力大小为:混合菌>IB>SRB>HB。垢样成分分析结果表明:IB垢样成分分析中Fe、C和NO3?含量较多,而重金属离子及Cl?含量较少,说明其具有较强的致垢能力而腐蚀能力较弱;SRB垢样分析显示,S、Fe及Cl?相对较高,且重金属Ni、Cr含量较多,说明其致垢的同时具有较强的腐蚀特性;HB形成的污垢主要以C、N及NO3?为主,且含有一定量的Cl?,表明此菌也具有一定的腐蚀性质。 相似文献
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