高铁兴建为中国聚氨酯材料带来广阔前景

近十年来,我国聚氨酯从原料、制品到机械设备都已经具备相当规模,年均增长率为GDP的2倍。尽管2008年以来的金融危机对行业造成了一定的影响,但     

固相模板法合成磷酸锌及其表征

以对苯二胺为模板剂,在固相反应体系中于80℃、4 h合成磷酸锌化合物,并用化学分析、元素分析、红外光谱和热重分析进行了表征。结果表明,在低温条件下,采用固相反应体系可合成出磷酸锌化合物。     

双基高比立体测绘相机热分析与热设计

大基高比测绘相机斜视利于进行地面高程测量,小基高比测绘相机近正视利于进行平面高精度定位,并有利于降低畸变和减小遮挡。双基高比测绘是结合了大小基高比测绘优点的新型测绘手段,但需要对大功率设备进行高效散热,同时需为大尺寸镜面提供高精度温度梯度,这对双基高比立体测绘相机热控系统设计提出较高要求。文中采用耦合散热面、在大尺寸镜面背部设计铝合金热罩减小温度梯度、布置多路控温回路、利用高性能热管增强导热相结合的方式,对双基高比相机的热控系统进行详细设计。通过对相机外热流的分析,确定了=17,焦面组件、电子学器件、控制器同时工作的高温工况;=27,相机待机的低温工况。结合相机内热源及接口信息,制定了详细的热控方案,通过仿真分析验证了热控方案的正确性,各温控指标达到设计要求。文中可为我国双基高比立体测绘相机的研制提供热控方面技术支持。     

火星轨道轻小型高分辨率相机热分析与热设计

火星轨道轻小型高分辨率相机对热控系统的质量和功耗提出了较高要求,该相机热控技术是从全局设计的角度,集质量轻、热性能好的结构材料与先进的温度控制式数据传输为一体,并结合优化的温区分布与多项热控措施,最终达到设计要求。文中围绕此项热控技术展开相机热分析与热设计工作。通过对相机外热流的分析,确定了=70,R=0和=-70,R=0的高温工况,以及=0,R=-30的低温工况。结合相机内热源及接口信息,制定了详细的全局热控方案,通过仿真分析验证了热控方案的正确性。可为我国火星轨道轻小型高分辨率相机热控制系统的研制提供技术支持。     

锐钛矿相TiO2纳米纤维制备与摩擦学性能

采用简便且可重复性较好的碱熔法制备锐钛矿相TiO2,采用简便的表面修饰技术对其进行表面改性,得到TiO2纳米纤维,并采用XRD、SEM和FT-IR方法对其进行表征。利用四球摩擦试验机考察其作为油品润滑添加剂的摩擦学性能。结果表明,所合成的TiO2纳米纤维为锐钛矿相结构,结晶度和纯度较高,而且在油品中具有良好的分散性;TiO2纳米纤维具有良好的抗磨减摩性能,并能够很好地提高油品承载能力,当其加入量为1.5%(质量分数)时,抗磨减摩以及提高承载能力的效果最好。这些特性使得锐钛矿相TiO2纳米纤维有望在未来成为绿色润滑油添加剂。     

大断面煤仓施工及支护技术应用

针对兴无煤矿下组煤井底煤仓施工断面大、施工周期长、支护难度大等技术难题,通过采用正掘下行光面爆破施工工艺、“锚网+双层钢筋网混凝土浇筑”支护,提高了煤仓施工效率,降低了煤仓施工煤矸运输难度,保证了大断面煤仓围岩稳定,取得了显著应用成效。     

原位反应制备SiC多孔陶瓷材料

以碳化硅(SiC)和氧化铝(A12O3)为起始原料,石墨为造孔剂,通过原位反应结合工艺制备SiC多孔陶瓷。XRD分析表明多孔陶瓷的主相是SiC,结合相是莫来石与方石英;SiC多孔陶瓷的密度在温度1450~1500℃的范围内,随着温度的升高而增大,当温度超过1500℃的密度又随着温度的升高而降低;而密度随着试样中石墨含量的增加而减小。多孔陶瓷中气孔率与密度呈相反的变化趋势,二者呈负相关关系。多孔陶瓷具有较为均匀的气孔结构,具有良好的耐酸腐蚀性,而耐碱腐蚀性相对较低。     

大型液化天然气储罐的发展状况

随着液化天然气的需求量日益增加,它的储存运输问题也得到了越来越大的重视。液化天然气储罐是储存液化天然气的一种重要设备。主要简介了液化天然气的优点,液化天然气储罐的分类,国内外现状,以及建造时可能遇到的问题,并简单总结了液化天然气储罐的发展趋势。     

600MW机组滑参数停机操作及分析

滑参数停机可以使汽轮机缸体、转子及锅炉本体尤其是各联箱得到均匀而迅速的冷却,缩短机组停机至检修的时间。本文结合天津大唐国际盘山发电有限责任公司600MW机组滑参数停机的操作过程,从机组滑参数停机的准备工作、停机曲线的确定、参数控制方法及限值、机组负荷停留点的选择、减温水的使用、回热系统使用等方面总结了停机过程中的操作、控制等经验,提出了滑参数停机操作过程中的注意事项。     

掺钨VO2薄膜制备及其热致相变特性研究

采用无机溶胶.凝胶法,以钨酸氨和V2O3的为原料在高温下共熔水淬实现钨掺杂,在云母片(001)表面制备W 掺杂VO2薄膜.采用AFM、XS、XPD分析了薄膜形貌和微观结构,利用FTIR检测薄膜在不同温度下的红外透过率,确定W掺杂薄膜的相变温度.结果表明,钨元素以W6 形式掺入VO2晶体,取代晶格中部分V原子.掺杂后VO2薄膜的半导体一金属相变温度明显下降,每掺入1%W6 ,VO2薄膜相变温度下降19.8℃.当掺入W6 量为2.04%,其相变温度下降到28℃.