阿曼Lekhwair地区酸洗完井技术

根据大量的实践经验,通过不断总结和分析对比,总结出如下的切实可行的作业程序和相关应用技术,供相关油田施工参考和借鉴.     

快速凝固Al－8．32Fe－3．4Ce合金的热稳定性和组织结构的关系

研究了快速凝固Ａｌ－８．３２Ｆｅ－３．４Ｃｅ高温铝合金在不同温度长时间热暴露后的室温力学性能和相析出。实验结果表明Ａｌ－８．３２Ｆｅ－３．４Ｃｅ一直到３１５℃有较好的热稳定性，热稳定性和相析出及相长大有密切关系。不同热暴露后得到的析出相分别为Ａｌ＿（１３）Ｆｅ＿４，Ａｌ＿ｍＦｅ，Ａｌ＿８Ｃｅ，Ａｌ＿（１３）Ｆｅ＿３和Ａｌ＿（１６）Ｃｅ＿３Ｆｅ等等。其中Ａｌ＿８Ｃｅ和Ａｌ＿（１３）Ｆｅ＿３Ｃｅ在文献中未见报道。     

利用YLG118/89—2型电动机排放的热风采暖效果好

<正> 长春输油公司农安输油站,在1985年至1986年采暖期间,利用YLG118/89—2型电动机转子在高速运转中产生的大量热风,通过风筒引入高压室和低压室、主控室、泵房进行采暖,效果很好,并节约了大量燃料。     

加入WTO后的企业设备管理

就我国加入WTO后,企业所面临的困难和机遇,从积极开展体系认证、突出设备的经济管理、构建信息化网络化设备管理平台、建立设备人员的继续教育培训制度四个方面,探讨了企业在设备管理上应采用的管理模式。     

Cu/PAA纳米复合结构的制备与偏振特性研究

通过改变二次氧化过程中的氧化电压,制备了不同孔径的多孔Al(PAA)模板;采用交流电沉积的方法,制备了含Cu阳极PAA膜.X射线衍射(XRD)分析表明,阳极PAA膜上确有Cu生成;扫描电镜(SEM)显示,Cu纳米线粗细均匀,具有很好的线栅结构.Cu/PAA复合膜的透射光谱及偏振光谱表明:这种含Cu纳米线PAA膜在近红外光区有较好的透射率和消光比,且随着膜板孔径(Cu纳米线直径)的增加,样品的透射率下降而其消光比却明显提高.因此,可以通过优化模板参数,制备出实用的Cu/PAA偏振器.     

基于Simulink 图型模态液压自适应控制的实现

为方便液压自适应控制系统的研究,根据误差方程多项式代数法自适应控制理论,提出了基于Simulinik图型模态,构成了液压自适应控制系统.这种自适应控制方法与其他控制方法相比,具有控制精度高,控制器结构简单,自适应能力与实用性强等特点.文中详细讨论了自适应控制系统的构成及基于Simulinik图型模态液压自适应控制系统的实现问题,通过大量仿真研究,说明这种构成方法是正确的,所采用的自适应控制策略,具有很强的自适应控制能力,控制精度高,它不仅能使不稳定的系统变为稳定,且能渐近一致地收敛于希望模型的输出,使系统满足其动态性能的要求.     

斜拉渡桥混合连续支承梁内力分析

本文适用于单塔、双塔及多塔斜拉桥主梁的内力分析，其结构可以对称或非对称，作用于主梁上的荷载可以是均布恒荷载、集中恒荷载或活荷载，局部均布恒荷载或活荷载，主梁视为具有混合支座（刚性支座和弹性支座）的连续梁，是超静定结构，用力法建立变形相容方程式便可得到解答。     

n-ZnO/p-GaN异质结紫外探测器及其光电性能研究

利用脉冲激光沉积(PLD)方法在p-GaN衬底上沉积了n-ZnO薄膜,构造了n-ZnO/p-GaN异质结型紫外(UV)光-电探测器原型器件,在(UV)光照条件下测试了器件的光电性能。扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)测试结果表明,ZnO薄膜具有很好的结晶质量;I-V曲线显示,器件在黑暗和光照环境下都表现出明显的整流行为;光谱响应曲线表明,器件响应度峰值出现在364nm附近,当反向电压为-5V时光电流达到饱和,此时响应度峰值达到1.19A/W。不同反向工作电压下的光谱探测率曲线表明,器件对364nm附近的UV光有较强的选择性,在-2V偏压下具有最佳的探测率,其探测率峰值达到8.9×1010 cm·Hz1/2/W。     

用脉冲激光沉积方法制备的ZnO薄膜的结构及光致发光特性

在从室温到800℃的温度范围内,用脉冲激光沉积方法在Al₂O₃（0001）衬底上制备了ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜以及荧光光谱仪分别研究了衬底温度对ZnO薄膜表面形貌、结晶质量和光致发光特性的影响。X射线衍射仪和原子力显微镜的结果表明,当衬底温度从室温升高到400℃时,ZnO薄膜的结构及结晶质量逐渐提高,而当衬底温度超过400℃时,其结构和结晶质量变差;在400℃下生长的ZnO薄膜具有最佳的表面形貌和结晶质量。室温光致发光的测量结果表明,400℃下生长的ZnO薄膜的紫外发光强度最强,且发光波长最短（386 nm）。     

制备参数和后处理对ZnO薄膜光学性质的影响

采用脉冲激光沉积技术在不同生长气氛氧压(10-3pa1、0-2Pa、10-1Pa、1Pa、10Pa)和生长衬底温度(250~600℃)下制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。光致发光(PL)光谱表明,氧压和衬底温度对ZnO的光学性质有重要影响。制备紫外(UV)发射强的ZnO薄膜,要综合考虑氧压和衬底温度两个参数,衬底温度升高,氧气氛压强要相应升高。进一步研究表明,在化学配比失衡的情况下,升高衬底温度和退火会在ZnO中产生缺陷和杂质束缚电子态,束缚电子态引起的晶格弛豫使局域电子态发生多声子无辐射跃迁,ZnO深能级发射由辐射复合变为无辐射复合。