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为提高传统GaN基LED的发光效率,提出了一种基于纳米光栅结构的透射式表面等离激元增强型GaN-LED。该增强型LED包含覆盖在p型GaN光栅槽内的低折射率SiO2膜、Ag膜以及槽表面的ITO薄膜。详细阐述了该结构增强LED发光特性的基本原理,利用基于有限元法的模拟软件COMSOLTM-RF Module对该结构进行参数优化和数值模拟分析。研究结果表明,在周期p=280 nm,占空比f=0.5,SiO2层的厚度dSiO2=25 nm,银层的厚度dAg=15 nm,ITO层的厚度dITO=30 nm时,该结构在可见光范围内具有较高的传输效率,其零阶透射率高达0.716,零阶反射率为0.224,-1阶透射率峰值0.183,且Purcell因子增强了近16.4倍。该结构可以同时提高GaN基LED的内量子效率、光萃取效率和SPP萃取效率。 相似文献
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一种新型的单光源半导体温度传感器,利用光开关控制设置参考通道。实验结果表明,本系统可以较好的补偿光源波动,环境影响,探测器老化,光纤传输损耗变化等影响,减小了误差,提高了精度。 相似文献
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本文论述了一种新型基于垂直干涉的位移传感器 ,该装置在麦克尔逊干涉仪的基础上 ,采用了一个臂 ,参考光与信号光共用一条光纤路径 ,气隙距离为待测距离。系统抗干扰能力很强 ,结构简单。分辨率为 5 nm。 相似文献
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一维光子晶体的应变测量 总被引:2,自引:1,他引:2
采用ZnSe和Na3AlF6两种经典介质材料构造一维光子晶体,缺陷层介质为Na3AlF6。利用传输矩阵法对带有缺陷的一维光子晶体的传光特性进行了理论分析,并得到其带隙特性。分别数值研究了参考光子晶体以及应变前后测量光子晶体的透射谱,分析结果表明光子晶体所受的纵向应变与其缺陷峰波长之间呈线性关系,根据这种对应关系提出了一种新的测量应变的方法。由于粘贴光子晶体的基底与光子晶体的线膨胀系数不同,且温度变化也会引起构成光子晶体材料折射率的变化,导致光子晶体透射谱缺陷峰波长的漂移。为了消除温度误差,在测量光路中设置了与测量光子晶体结构相同的参考光子晶体,对温度的影响进行了补偿。实验表明,测量系统的灵敏度为6×10-4nm/με,测量范围为0~2000με。 相似文献
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为有效提升氮化镓基蓝光发光二极管的发光效率,构建一种基于表面等离激元的复合光栅氮化镓基发光二极管结构模型。通过对表面等离激元的激发方式与发光二极管内、外量子效率的理论分析,详细阐述该结构增强发光二极管发光效率的原理;同时讨论了该模型的制作工艺,并运用有限元分析法,对结构进行参数优化和仿真分析,得到该结构在最优参数下的辐射功率、吸收功率以及电场分布图。仿真结果表明,经参数优化后,当复合光栅发光二极管发射光的波长为460nm时,其辐射到空气中的平均电场模约为单光栅发光二极管的38倍,验证了该结构可以有效提升二极管的发光效率。 相似文献
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