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66.
对5种活性焦水洗再生前后的脱硫性能进行实验研究,通过比表面积(BET)、X射线光电子能谱(XPS)方法表征水洗再生工艺对活性焦孔隙结构和表面化学性质的影响,揭示影响活性焦水洗再生性能的关键因素。结果表明:活性焦脱硫硫容的大小和水洗再生率的高低没有直接关系;微孔比表面积较大的活性焦脱硫性能较好,中大孔孔容较大的活性焦水洗再生率较高,同时具备较大的微孔比表面积和中大孔孔容结构的活性焦适宜水洗再生工艺;活性焦表面极性含氧官能团含量越高水洗再生效果越好;活性焦AC5经过6次水洗再生循环,微孔中的硫酸经过多次累积后可以被水洗出,稳定再生率保持在45%~50%,最适用于活性焦水洗再生工艺。 相似文献
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本文主要通过对一、二、三电解厂强化电流前后技术条件的对比,阐述了适当提高分子比、降低电解槽槽工作电压对节能降耗的重要性。 相似文献
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69.
多带OFDM-UWB系统峰均功率比降低方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对多带OFDM—UWB信号存在高峰均功率比的问题,提出了利用扩展与交织降低系统信号峰均功率比的方法。该方法通过对传输数据进行正交扩展与交织,使得进入多载波调制的数据趋于高斯分布,减小了传输数据自相关函数的旁瓣峰值,降低了OFDM-UWB信号的峰均功率比。由于采用正交矩阵进行扩展,扩展前后的数据传输速率保持不变。仿真结果表明,扩展与交织可以有效地降低信号峰均功率比2-5dB左右。同时该方法还具有抗窄带干扰的鲁棒性。 相似文献
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ZnO基薄膜晶体管的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。 相似文献