直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征

采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2～20Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量;在150～220mJ/Pluse入射激光脉冲强度范围内,随着入射激光脉冲强度的提高,GaN薄膜表面结构得到改善.研究发现,在700℃衬底温度、20Pa的沉积气压和220mJ/Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下,所沉积生长的GaN薄膜具有良好的结构质量和光电性能.     

纯铜双层辉光离子渗钛组织形成机理及性能分析

采用双层辉光离子渗金属技术对纯铜进行了渗钛处理。用配有能谱仪(EDS)的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪和透射电子显微镜对合金层的显微组织形貌、钛含量分布、相组成及相结构类型进行了观察与测定，对合金层的形成机理进行了探讨，并对其性能进行了对比测定。结果表明：渗钛层由合金层和扩散层组成，合金层主要由TiCu (Cu)固溶体 TiCu4构成，TiCu4为Dla型有序相，TiCu为B2型有序相，扩散层为(Cu)固溶体。渗钛处理后纯铜的表面得到显著强化。     

带有放电去活化膜的新型高清晰度PDP放电体结构

本文介绍为实现高清晰度PDP显示而采用的一种新型放电体(cell)结构。技我们称为DDF(Discharge DeactiVation Film放电去活性膜)的透明Al2O3膜被附着在MgO表面上，它排列在相邻的包括公共电极的显示线之间的边界上。由于Al2O3膜的优良特性和较小的γi，所以在DDF上不发生放电，这对每个放电体的放电绝缘性和提高发光效率都有益处。     

带膜微通道板的工艺和特性研究

微通道板(MCP)电子透射膜是决定Ⅲ代微光像管稳定性和可靠性的主要因素。采用有机衬底掩膜技术和冷基底溅射相结合的方法在MCP输入面制备非晶态Al2O3电子透射膜，测量了带膜MCP紫外光辐照清洗前后的电学特性。讨论在多孔MCP输入面形成连续电子透射膜与气体辉光放电的关系，工艺失败对MCP的危害性。     

电火花线电极加工中磁场对放电通道影响初探

叙述了线切割加工磁场对放电通道的影响。     

电火花线切割加工机床的适应控制技术

为扩大数控电火花线切割加工范围，需解决台阶形和中空形工件的加工效率。应用放电脉冲功率适应控制技术，成功地解决了上述问题。     

氧气放电辅助激光淀积原位制备高T_c超导薄膜

采用低压氧气放电辅助的激光淀积方法,原位外延生长出零电阻温度91K,临界电流密度10~5A/cm~2的Y-Ba-Cu-O高温超导薄膜。扫描电镜和X光衍射分析结果表明,薄膜中超导相晶粒的生长具有c轴垂直于表面的择优取向。     

电机绝缘在线监测中的程控组合式滤波器

运行中电机绝缘的质量,一般可通过监测局部放电脉冲信号来作出判断,现场条件下必须有效地消除或抑制强烈的周期性电磁干扰信号。介绍了所研制的通频带可编程控制的组合式滤波器的原理和构成。实验结果表明,这种滤波器对于滤除频带相对固定的干扰十分有效。程控组合式滤波器己成功地应用于新开发的电机绝缘监测装置中。     

三维PDP放电过程数值模拟软件

介绍了三维PDP放电过程模拟软件，该软件可较真实地反映放电单元的实际情况，对放电性能进行优化设计，且具有通用性强、界面友好、使用方便、功能完善等特点。可对不同结构、不同气体成份、不同驱动电压及波形等情况进行计算。     

放电引发非链式脉冲HF/ DF 激光器的研究进展

文中介绍了放电引发的非链式脉冲HF／DF激光器三十年来的研究进展，分析讨论了此类激光器的发展趋势。