ABB AC800M在空压机励磁系统中的应用

介绍了AC800M在莱钢7#空压机主电机励磁系统中的系统配置、结构及控制方案。     

基于高通量测序的玉米中微生物多样性分析

为了明确玉米表面的微生物多样性特征,以新收获的玉米为原料,通过分离、纯化、鉴定玉米表面的优势微生物,并结合高通量测序技术,分析了玉米表面的主要微生物类群及其多样性。从玉米表面初步分离鉴定了11种细菌,其中假单胞菌3种,肠杆菌2种,克雷伯肺炎杆菌、泛菌、溶血葡萄球菌、肠球菌各1种;12种不同的霉菌,其中草酸青霉3种,黑曲霉2种,青霉、散囊菌目、绳状篮状菌、桔青霉、米根霉、串珠镰刀菌、黄曲霉各1种。通过高通量测序技术发现玉米中细菌的优势菌属为泛菌属、肠球菌属和鞘氨醇杆菌属,真菌的优势属主要有镰刀菌属、帚枝霉属、篮状菌属、青霉属和曲霉属。研究结果为深入阐述玉米储藏过程中微生物的发生发展及其生物毒素代谢规律奠定了基础。     

红茂草多糖提取工艺优化及对小鼠免疫功能的影响

为研究红茂草多糖提取工艺及其对免疫低下小鼠免疫功能的影响,以红茂草多糖含量为评价指标,在前期试验的基础上进行正交试验设计,确定红茂草多糖的最佳提取工艺。提取的不同剂量红茂草多糖对BALB/c小鼠进行灌胃,之后以环磷酰胺为免疫抑制剂,构建小鼠免疫低下模型,综合评价红茂草多糖对免疫低下小鼠免疫功能的调节作用。结果表明,红茂草多糖的最佳提取工艺为超声波处理时间35 min、料液比1∶20（g∶mL）、索氏回流时间160 min、醇沉28 h、pH值为5和体积分数80%的乙醇,其产率可达1.19%;红茂草多糖能显著提高免疫低下小鼠的免疫功能,对免疫失衡机体具有一定的调节作用。红茂草具有良好的开发利用前景。     

奎河土方施工中存在的问题及对策

一、工程概况 奎河发源自江苏省徐州市西南云龙山，至安徽省宿州市时村镇汇入濉河。全长41．82km，此次治理安徽省境内省界灌沟口-马元闸段，长28．087km。奎河与濉河作为干流构成奎濉河流域，流域总面积2972km^2，流域内人口200万人，耕地340万亩，河床土质多为壤土和粉质砂壤土，土质差，渗流量大。     

三次风阀门的改造

在新型干法水泥生产线上,窑和分解炉用风量的分配是通过设计窑尾缩口尺寸和三次风管高温调节阀开度控制来实现的。烟室尺寸随设计的完成已基本固定,高温阀开度的调节是窑正常生产时分配窑、炉用风量的主要手段,但我公司日产5000t/d熟料生产线自投产以来三次阀门经常烧坏,直接影响窑系统工况的正常与稳定,并影响熟料产质量。2010年我厂对三次风阀作了部分改造,使用效果较好。     

新型双闸板闸阀

新型双闸板闸阀秦皇岛市冶金机械阀门总厂赵金凤１．概述某煤气工程从国外引进的阀门中，有一种双闸板闸阀。它具有结构紧凑，重量轻，密封性能好，使用寿命长的显著特点。它是老式双闸板闸间较好的换代产品。图１双闸板煤气切断问１．油缸２．传动架３．行程开关４．阀盖...     

基于JPEG压缩的水印算法

提出了一种基于JPEG压缩的盲水印算法.在算法中首先对水印图像进行纠错编码和置乱变换双重预处理技术,提高水印自身抵御攻击的能力.水印嵌入是在量化的过程中进行,并根据各块的特征确定嵌入强度,以保证嵌入图像后的视觉效果;水印的提取不需要原始图像的参与,实现了盲水印检测.实验结果表明该算法有很好的抵御JPEG压缩的性能,对于噪声等也有较好的鲁棒性.     

氧化锌纳米颗粒对玉米储藏过程中霉菌区系及其品质的影响

目的 探索氧化锌纳米颗粒对玉米储藏过程中霉菌区系及其品质的影响。方法 将玉米分成3份,经过不同浓度氧化锌纳米颗粒悬浮液的处理,以不添加氧化锌纳米颗粒作为对照,置于30℃下模拟储藏35 d,对不同处理组的玉米霉菌区系和储藏品质变化进行监测与分析。结果 储藏35 d后,处理组霉菌量为4.0×10⁴ CFU/mL,而对照组霉菌量为1.4×10⁶ CFU/mL,表明氧化锌纳米颗粒有效抑制了玉米储藏过程中霉菌的生长繁殖。玉米在整个储藏过程中优势霉菌主要为黄曲霉、黑曲霉、温特曲霉、桔青霉和查氏青霉等青霉属和曲霉属。随着储藏时间的增加,玉米中脂肪酸值、电导率、丙二醛显著上升,过氧化物酶活力显著下降,水分也呈下降趋势。揭示了低浓度氧化锌纳米颗粒对细胞膜有一定的保护作用,而高浓度氧化锌纳米颗粒会对细胞膜系统造成破坏。结论 氧化锌纳米颗粒可以显著抑制玉米储藏过程中霉菌的生长繁殖,同时低浓度添加更有利于玉米的储藏。     

旋转配气机构有限元分析

基于阀体与阀座之间的接触分析，采用热力耦合的有限元方法，对水下航行器旋转配气机构阀体与阀座在复杂位移、力和传热边界条件下的温度场和应力场进行了3D仿真，并且对比了不同阀座材料对温度场和应力场的影响，结果表明，阀体最大应力出现在阀体温度最高、应变最大的进气道部分；阀座最大应力出现在气道孔表面，已接近其许用应力；采用新型浸银炭石墨的阀座材料后能大幅度提高其强度。     

具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型

本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDo)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide, a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDo无明显依赖关系,通过分析漏端Offset区域的电流与电压关系,发现其遵循欧姆定律,由此提取出漏端Offset区域电阻(RDO),研究发现RDO与LDO成幂函数关系且幂次随栅源电压(VGS)的增加而增加,由此我们提出RDO的经验模型,同时利用此模型得到漏端Offset a-IGZO TFT的开态电流模型并通过与电流－电压曲线拟合得以验证。