有机/无机纳米复合材料的制备及应用

有机/无机纳米复合材料是一种集有机、无机、纳米材料的诸多特性于一身的新型功能材料,正在成为一个新兴的极富生命力的研究领域,本文对有机/无机纳米复合材料的制备方法、应用进行了综述.     

湿化学太阳能电池的研究及发展前景

本文简要的介绍了湿化学太阳能电池的工作机理,对其光电转换效率的提高作了综述.并着重对染料敏化的TiO2胶粒薄膜光电极的制备及光电性能作了讨论.     

银钠米粒子/二氧化钛复合薄膜的溶胶凝胶法制备及其光学性质的研究

用溶胶凝胶法制备了含纳米级银粒子的TiO2 薄膜。对薄膜进行了XRD、TEM、XPS等测试 ,发现空气中 60 0 - 80 0℃热处理形成了含 4 - 4 5nm的Ag金属粒子的锐钛矿和金红石多晶薄膜。Ag微粒子随热处理温度升高而增长。这些薄膜在可见光区有一个较宽的吸收峰。     

不同酸化条件下水热合成V2O5粉末的结构和电化学性能

为了研究酸化条件对V2O5粉末结构和电化学性能的影响,利用HNO3和H2C2O4酸化NH4VO3溶液,经水热和后续热处理制备了V2O5粉体。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和电化学工作站等对V2O5粉体的微观结构与电化学性能进行了测试。结果表明,所得粉体为纯V2O5相,前驱体溶液的pH值和酸化所用酸的酸根阴离子影响了最终粉体的晶体发育和微观结构。其中,利用HNO3酸化NH4VO3溶液至pH值=3制得的粉体为直径约100nm的纳米棒,在0.5和1C的放电速率下循环30次后,放电比容量仍有150mAh/g左右,且大电流放电性能更好。     

无碱铝硼硅系玻璃结构的红外光谱

用熔融退火方法制备无碱SiO2-B2O3-A12O3-RO(R=Mg,Ca,Sr,Ba)系玻璃.玻璃的成分范围以摩尔计为:SiO2,64.17%～70%;B2O3,7%～14.12%;Al2O3,9.88%～16.94%;RO总量,12%(2.4%MgO,4.8?O,2.4%SrO,2.4?O).用Fourier变换红外光谱研究了上述玻璃系统结构随成分的变化规律,同时,对玻璃结构与热膨胀系数、密度等物理性质的关系也进行了研究.结果表明:在Al含量较高的铝硼硅系玻璃中,B更多的以[BO3]形态存在.随着SiO2和B2O3摩尔比的增大,[BO3]的量有所减少,而热膨胀系数呈增加趋势,密度出现极大值.随着Al2O3和B2O3摩尔比的增大,[BO3]的量出现极值,热膨胀系数也出现极值,密度总体趋势是增加的.铝硼硅系玻璃的热膨胀系数、密度等物理性质与玻璃结构密切相关.     

氮掺杂TiO2薄膜的溶胶凝胶法制备及其光催化性能和亲水性的影响研究

应用溶胶凝胶方法制备了TiO2薄膜,对其在氨气气氛下热处理,通过EDS表征,成功将氮掺入薄膜中,制得了TiO2-xNx(0＜x＜1)薄膜.在制备TiO2薄膜过程中,选用180、400、500℃ 3种不同的干燥温度,在每种干燥温度条件下对薄膜进行氨气气氛下热处理,热处理温度选用400、500、600℃ 3种.为比较薄膜样品对可见光的利用率,将卤灯光源450nm以下的光滤掉,对薄膜进行光催化降解实验,得到TiO2薄膜的光催化效率是随着氮的掺入量的增加而呈现出先增加再减少的趋势.并发现经过500℃干燥,氨气气氛下热处理温度为600℃的条件下制得的薄膜光催化性能最优,薄膜对甲基橙的降解率可达4.3%,此时掺入的N不是以取代O的位置形式存在,且紫外光照射后薄膜的接触角达到0°,表现为超亲水性.     

金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展

本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法 ,综述了制备金属 /非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果 ,着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行性     

CuPc/ZnS多层复合薄膜的制备及光电性能的研究

为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数 ,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外 可见光谱和X射线衍射分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系 ,探讨了改变复合膜层数、CuPc膜层和ZnS膜层的厚度以及基板温度对CuPc/ZnS多层复合薄膜的光电导性能和结构的影响     

喷雾热分解法玻璃镀膜

介绍了喷雾热分解法在热玻璃基板上镀膜的基本工艺过程,对镀膜溶液的配制、雾化、蒸发干燥、热解成膜进行了较为详细的论述,并介绍了几种镀膜的实验条件、主要工艺参数及对镀膜质量的影响因素.     

Ti1-xVxO2薄膜的制备及光电性能

用溶胶凝胶法制备了Ti1-xVxO2薄膜，用X射线衍射分析了Ti1-xVxO2的结晶性能，用Lambda紫外－可见光光度计测量了吸收光谱，用ZC36高阻仪测量了Ti1-xVxO2薄膜样品的电性能，结果表明，钒含量的增加导致Ti1-xVxO2薄膜光学吸收限红移，在形成固溶体后薄膜的电阻率随钒含量增加而下降，在x=0.15时，V2O5相的出现使Ti1-zVxO2薄膜的电阻出现一峰值，Ti1-xVxO2薄膜电阻率的这种变化规律是由于V的3d电子的引入和薄膜结晶性的变化。