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61.
以饱和福建标准砂在不同条件下固结不排水振动三轴试验为基础,详细研究了强度发挥面和空间强度发挥面(SMP面)上的剪正应力比与正剪应变比关系。结果表明,在动荷载作用下只有应力比与应变增量比间在强度发挥面和SMP面上均存在线性关系,且密度、周围压力、固结应力比、动应力幅值和振次发生变化时此关系均不受影响,在应力比与应变全量比间无简单的线性关系。  相似文献   
62.
淀积在SiO_2上的共溅射W-Si 薄膜,在高纯N_2中经200—1100℃的10秒钟快速热退火,用转靶X射线衍射、激光喇曼光谱、俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、四探针测量等不同手段研究了钨硅化物的形成.565℃退火出现了W_5Si_3相,退火温度高于755℃,稳定相WSi_2形成,但W_5Si_3相并不消失,一直与WSi_2共存.经考查,W_5Si_3的存在并不是由于在薄膜淀积或是退火形成硅化物的过程中引起缺硅而造成的,它对薄层电阻仅起部分影响作用,材料的电学性质最终仍由具有最低电阻率的稳态WSi_2相决定。WSi_2与W_5Si_3相高温热氧化时都不稳定,会分解并被氧化成SiO_2和WO_3。  相似文献   
63.
本文报导了一种用电容放电代替常规热合金化实现 Al-Si 欧姆接触的简捷方法。该法能有效地抑制导致浅结器件失效的 Al-Si 互扩散现象,从而具有良好的结特性。  相似文献   
64.
一、引言硅器件与集成电路中广泛采用Al作为欧姆接触材料,常规的合金化工艺(例如在N_2中于500℃下加热20分钟)对浅结常会引起所谓尖峰效应,导致PN结的特性变坏甚至短路。  相似文献   
65.
在平面型器件和备种新型微电子器件中,金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触质量宜接影响着器件的性能.本文提出一种挖补圆盘法来检测它们的欧姆接触性能.由电势叠加原理导出了理论公式.此法样品制备简单,无需台面绝缘,由于接触结构的特点,自然免除了侧向电流聚集效应,从而提高了精度.若将接触结构稍加发展,则更为简捷实用.实验结大果与文献报道的其它方法符合得很好.  相似文献   
66.
通过饱和砂土的固结不排水三轴试验结果,在不同应力平面(强度发挥面及SMP面)上,对剪正应力比 ̄剪正应变增量比及剪正应力比 ̄剪正应变全量比关系进行了研究,得知:不同面上应力比 ̄应变增量比具有较强的线性关系,应力比 ̄应变全量比关系与σ1 ̄σ3 ̄ε1关系的型式相关,在硬化型及软化型的峰值点以前仍有线性关系,并得到了密度,周围压力,应力平面对其线性参数影响的一些规律性认识。  相似文献   
67.
本文提出一种设备简单、测量稳定可靠、重复性好、非破坏性的检测硅单晶中微区杂质分布的 Ti-Si 接触扩展电阻法。它不需要标准样品校准,同时又保持了高的空间分辨率(我们的分辨率达到10~(-9)厘米~3)。对10欧姆-厘米以下的 n 型硅片分别用单探针、双探针和三探针 Ti-Si 接触进行扩展电阻测量,精确描绘出硅单晶片上的微区杂质分布。在相同的测量轨迹上又进行了自身精密四探针测量,发现在1~10欧姆-厘米之间二者有_s=0.7_4 0.6的关系。  相似文献   
68.
用银头烙铁直接把InAuSbNi合金(91:7:1:1)涂敷在硅片上,再经450℃的热处理,在高达600Ω·cm的N型硅上都得到了良好的欧姆接触。文中研究了它的接触性能;计算了金属对N型硅接触的接触电阻率和掺杂浓度的关系,并与实验作了比较。本方法已成功地用于杂质补偿度的测量。  相似文献   
69.
 利用非饱和土固结仪对原状非饱和黄土进行常含水率固结试验,试验中分别选用3种不同干密度、6种不同含水率试样,分析天然干密度和竖向应力对原状非饱和黄土土水特征的影响。试验表明,原状非饱和黄土的吸力随着试样含水率的增大而降低,干密度对土水特征曲线有不可忽视的影响。同一含水率下,原状非饱和黄土的吸力随着天然干密度的增大而增大;提出吸力临界荷载的概念,干密度相同时,吸力临界荷载随着含水率的增大而降低;含水率相同时,吸力临界荷载随着干密度的增大而增大。含水率一定时,竖向荷载引起的干密度变化与初始干密度变化对吸力的影响是不相同的;竖向应力对土水特征曲线影响较小,可以用无荷载条件下的土水特征曲线来描述其吸力状态。最后,提出原状非饱和黄土土水特征曲线函数经验表达式。  相似文献   
70.
 以饱和福建标准砂在不同条件下固结不排水振动三轴试验为基础, 详细研究了强度发挥面和空间强度发挥面(SM P 面) 上的剪正应力比与正剪应变比关系。结果表明, 在动荷载作用下只有应力比与应变增量比间在强度发挥面和SM P 面上均存在线性关系, 且密度、周围压力、固结应力比、动应力幅值和振次发生变化时此关系均不受影响,在应力比与应变全量比间无简单的线性关系。  相似文献   
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