台风风浪对长江口航道影响的模拟分析

针对台风风浪对长江口航道淤积的影响,运用Delft-SWAN建立了长江口波浪场数值模型,并以9912号台风对模型进行了验证。根据统计资料,选取两个代表性风速,分别计算长江口在夏季普通风作用下和台风风暴作用下波浪要素,根据计算结果,分析波高在两种级别风速影响下分布的差异,以及对航道通航的影响。特别计算了台风作用下波浪水质点近底运动速度与长江口口门床面泥沙起动速度之差,从而对台风产生淤积的机理进行了分析。计算结果表明：台风不仅引起长江口航道波高剧增,而且巨大的波能冲刷滩地掀起大量的泥沙进入航道淤塞水道,直接影响了通航。     

冰点与沸点——NV3X失落的一生（下）

失败的NV3X为NVIDIA带来了巨大的市场和名誉上的损失,为了挽回市场,更为了挽回性能之王的名誉,NVIDIA斥资10亿美元研发了全新的核心——NV40。NV40终于使得NVIDIA挽回了与ATI之间的性能差距, 并在一些特殊场合中大幅领先了ATI的新核心R420,那么NV40相对于NV3X究竟有什么改进呢?     

非相干单色光和白光散斑照相

许多文献阐述了白光散斑技术的理论和实验,但是散射体本身的性质缺少定量的描述,白光是复色光这一物理特性没有得到足够的重视.本文把散斑看成一系列随机空间频谱的迭加,建立了数学模型.并从单色非相于光散斑入手,把得出的结论再推广到白光散斑.二、非相干单色光散斑成像散斑记录系统见图1(图示为透射式,反射式的讨论相同).用非相干单色光照明散射体,与文献     

Comprehensive analysis on the sediment siltation in the upper reach of the deepwater navigation channel in the Yangtze Estuary

The results from both the field measurements and numerical simulation were reported to comprehensively analyze the sediment siltation in the upper reach of the Deepwater Navigation Channel Project in the Yangtze Estuary after the project has been implemented. In this research, firstly some basic information about the river evolution in the Yangtze Estuary is analyzed, including the variations of water depths in the Hengsha Passage and the inlet cross-sections of the North Passage and the South Passage, and changes of diversion ratios of ebb flow and sediment flux in the North Passage and the South Passage, Then the Delfl3D-FLOW model is applied to simulate the hydrodynamics and sediment transport in the Yangtze Estuary. This model has been calibrated and the simulated results agree well with the measured data of the tidal levels, flow velocities and suspended sediment concentration （SSC）, indicating that the model can well simulate the hydrodynamics and sediment transport of the Yangtze Estuary caused by the Deepwater Navigation Channel Project. The research results show that the development of the Hengsha Passage and decrease of diversion ratio of ebb flow and sediment flux in the North Passage are the main reasons of sediment siltation in the upper reach of the Deepwater Navigation Channel in the Yangtze Estuary.     

应用于堆叠纳米线MOS器件的STI工艺优化研究北大核心CSCD

在传统Fin FET集成工艺上,通过Ge Si/Si叠层量子阱结构外延生长再形成堆叠纳米线MOS场效应晶体管的方案,是实现5 nm及其以下CMOS集成电路工艺技术最具可能的器件方案。由于Ge元素在该技术中的引入,导致器件工艺中的浅沟槽隔离(STI)工艺部分产生严重的低温高深宽比工艺(HARP) SiO_2腐蚀速率控制问题。本文针对堆叠纳米线MOS器件STI工艺中的低温HARP SiO_2回刻腐蚀速率调节与均匀性控制问题,进行了全面的实验研究。实验中使用HF溶液对不同工艺条件下的HARP SiO_2进行回刻腐蚀,并对其腐蚀速率变化进行了详细研究,具体包括不同退火时长以及相同退火温度不同厚度HARP SiO_2位置处的腐蚀速率。通过实验结果发现,在退火温度相同的情况下,随着退火时长的增加,SiO_2腐蚀速率逐渐变小;而对于同一氧化层来说,即使退火条件相同,SiO_2不同厚度位置处的腐蚀速率表现也不同,即顶部的速率最大,而底部则最小。由此可以看出,随着退火时长的增加,低温HARP SiO_2腐蚀速率逐渐减小,并且对STI具有深度依赖性。该实验结果对成功制作5 nm技术代以下堆叠纳米线器件的STI结构起到了重要的技术支撑作用。     

如何实施计量标准与标准设备的期间核查

期间核查是测量过程的一部分,期间核查的方法,是建立在对测量数据的定期监测和分析的基础上,进行测量过程的控制方法.本文对期间核查的目的与作用作了说明,并对实施期间核查的具体过程以及实施过程中应注意的问题作了论述.     

对推动天津动漫产业又好又快发展的几点思考

文章从动漫产业园空心化问题严重,高端人才匮乏;新媒体技术为天津动漫产业崛起带来了新机遇;动画内容与天津区域文化融合不足;动漫教育必须落实产学研之路等四个方面对天津动漫产业面临的突出问题进行解读;力图以笔者自己的视角促进天津动漫产业又好又快的发展。     

低碳环保 从件件实事做起

<正>关心地球,珍惜资源,为后代留一个美好的环境印刷企业在生产、销售、服务等诸多环节中都与环保有着千丝万缕的联系,如印刷中排放物对环境的影响,生产过程中电力能源的消耗等。如何加强环境     

自制连拍机备用电脑

我厂于1985年进口荷兰Stork公司的圆网印花设备,其附属设备RD-Ⅳ-1620-12/10型连拍机是瑞士生产的。在对该机的电脑部分进行消化后,我们自行设计了一套软件,用国内现有的器件制作成功了备用电脑,现将制作过程介绍如下:一、原机的外部功能 连拍机是将小花型连晒成所需要的图案,再将连晒成的胶片送到感光机上对圆网感光,使圆网上出现所需花纹。我厂连晒机除曝光铁盒x轴、y轴方向靠手动外,整个抽真空曝光过程自动完成。在曝光时为固定铁盒,x、y轴方向各装有一只直流电磁铁。为了使曝光效果好,母片与子片之间抽成真空。曝光时间及真空时间根据不同要求从0.1秒到999.9秒可调。为保证整个过程协调,动作可靠,分隔地插入固定的延时时间。