基于有限元法的染污直流支柱复合绝缘子伞裙参数优化

直流支柱绝缘子污闪问题比交流支柱绝缘子要严重,通过伞裙优化能够明显改善其污闪特性。该文借鉴人工污秽试验研究伞裙优化的成果,利用有限元法对染污直流支柱绝缘子建模,研究伞间距、大伞伸出和大小伞伸出差对绝缘子沿面电场分布的影响。提出以爬电距离和电场强度作为伞裙参数优化的判断依据,研究表明,电场强度分布随着伞裙参数的变化呈有规律变化：随着伞间距的增加,绝缘子沿面平均电场强度逐渐减小;随着大伞伸出的增加,绝缘子沿面平均电场强度逐渐增大;随大小伞伸出差增加,爬电系数单调减小,沿面平均电场强度呈振荡减小的趋势。通过比较分析得出支柱绝缘子伞裙较优的参数范围,为进行伞裙优化试验研究提出试品伞裙的建议参数。     

复合绝缘子在特高压直流工程中应用探讨

综述复合绝缘子在国内外高压、超高压交直流线路应用情况,实践显示已有的复合绝缘子运行效果良好,提高了耐污闪能力,减少了运行维护的工作量。以云广±800kV直流工程为例,计算表明在耐张串上采用复合绝缘子可以满足相关规程规定,与盘型绝缘子相比具有显著的经济优势。由于在特高压直流线路耐张串应用复合绝缘子尚属首次,因此,云广直流线路中采用复合绝缘子的实践及其运行经验尤其值得关注。     

500 kV葛双一回复合绝缘子芯棒裂断原因分析

通过对一起复合绝缘子芯棒断事故特征分析和同期运行在500kV输电线路上的复合绝缘子抽样试验,初步判断复合绝缘子芯棒断裂原因属酸蚀脆断,并据此提出防止类似事故发生的措施,即厂商应改进金具接头界面的密封工艺并注意复合绝缘子芯棒的抗蚀性能,而设计者应改进复合绝缘子的技术参数。     

Thin RF sputtered and thermal Ta2O5 on Si for high density DRAM application

Tantalum pentoxide thin films on Si prepared by two conventional for modern microelectronics methods (RF sputtering of Ta in Ar + O₂ mixture and thermal oxidation of tantalum layer on Si) have been investigated with respect to their dielectric, structural and electric properties. It has been found that the formation of ultra thin SiO₂ film at the interface with Si, during fabrication implementing the methods used, is unavoidable as both, X-ray photoelectron spectroscopy and electrical measurements, have indicated. The initial films (as-deposited and as-grown) are not perfect and contain suboxides of tantalum and silicon which act as electrical active centers in the form of oxide charges and interface states. Conditions which guarantee obtaining high quality tantalum oxide with dielectric constant of 32–37 and leakage current density less than 10⁻⁷ A/cm² at 1.5 V applied voltage (Ta₂O₅ thickness equivalent to about 3.5 nm of SiO₂) have been established. These specifications make the layers obtained suitable alternative to SiO₂ for high density DRAM application.     

绝缘子不均匀积污成因及其对交流闪络特性的影响

在单一风向的作用下,线路运行绝缘子会呈现背风侧污秽积聚较多的现象,降低其绝缘性能。通过建立三维电场-流场耦合模型,仿真模拟污秽颗粒运动过程,揭示了绝缘子背风侧回流和涡流是造成污秽积聚的主要原因。采用人工涂污法模拟绝缘子表面迎/背风侧不均匀积污,并开展交流闪络试验,研究平均盐密(SDD)、迎风侧与背风侧盐密比(J)和背风侧面积占比(R)对平均闪络电压(U_f)的影响。结果表明,U_f随SDD的增大而降低,随J和R的增大而升高,且J在SDD较低和R较小时对U_f影响更大,R在SDD较低和J较小时对U_f影响更大。通过观测绝缘子闪络过程发现,均匀染污时放电电弧随机发展,而在不均匀染污时电弧总出现在背风侧,且升压过程中泄漏电流幅值较大。     

拓扑绝缘体光电探测器研究进展

由于拓扑绝缘体具有优异的光学和电学特性以及特殊的能带结构,使其在发展高性能的宽光谱光电探测器方面具有巨大的前景。然而由于拓扑绝缘体的发现较晚,其在光电探测器领域的研究还处于初始阶段。因而存在许多亟待解决的问题,如制备更高质量的拓扑绝缘体材料。本综述概述了拓扑绝缘体材料的发展历程,并从材料制备和材料体系的角度阐述了基于拓扑绝缘体材料的光电探测器的研究进展,并展望了拓扑绝缘体材料在光电探测器领域的发展前景。     

Electrical Properties of Chemically Bonded Ceramic Insulators

The electrical properties of commercially produced, chemically bonded ceramic insulators are compared with conventional porcelain and phenolic resin insulators. The influences of relative humidity and temperature are presented and correlated with adsorption of water in a connected pore system.     

线路防污闪用复合绝缘子与RTV涂料的技术经济性对比

随着我国电力系统超高压输电和直流输电技术的广泛应用,采用有机复合绝缘子和防污闪RTV涂料逐渐成为两种主要的防污闪方法.本文从有机复合绝缘子和RTV涂料的技术特性、经济性、以及运行经验等方面对比了其在防污闪应用中的利与弊,可知有机复合绝缘子在国内已经获得大量应用,还需要在耐张串绝缘子应用上对其抗拉强度进行进一步确认.同时,文章还从涂料的基本性能、市场价格、以及运行经验等方面对比了RTV-Ⅰ和RTV-Ⅱ 两种涂料之间的差异,并对RTV-Ⅰ型涂料应用中发生的几个典型故障进行分析：包括应用中的污闪、涂料本身的质量以及憎水性等.从两种涂料的对比可得：RTV-Ⅱ型涂料的性价比相对较高,应用前景更为广阔,在将来的应用中应尽可能的选择RTV-Ⅱ型涂料.     

高海拔条件下绝缘子污秽闪络特性及其校正

根据本文所述人工气候室内获得的高海拔条件下绝缘子污秽闪络试验结果,系统分析了气压对绝缘子污闪电压的影响;给出了各种绝缘子在低气压下的污秽网络特性;提出了高海拔条件下绝缘子污闪电压的简化校正公式和污闪电压随海拔高度平均每千米下降率的计算公式。这些公式可供设计高海拔地区输电线路时参考。