用激光合成线性热敏电阻瓷料

采用Ｃ０２激光合成陶瓷材料新工艺合成出Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３。系线性热敏电阻材料，该材料在－２０～２３０℃范围内具有良好线性，讨论了激光合成工艺参数如激光功率、作用时间等对合成材料性能的影响，分析了合成材料的导电机理。     

无卤阻燃剂三聚氰胺聚磷酸盐合成综述

随着人们对环境的日益重视,无卤阻燃剂的应用日趋广泛.三聚氰胺聚磷酸盐（MPOP）是一种新型的无卤阻燃剂,可以单独使用,也可以和其它阻燃剂联合使用,可用于多种材质的阻燃.文章主要介绍MPOP的几种合成方法及各种方法的优缺点.     

悬浮法EPM—g—SAN的合成与表征

以悬浮法实施二元乙丙橡胶（EPM）与单体苯乙烯（St）和丙烯腈（AN）的接枝共聚反应。合成了EPM—g—SAN,用其与SAN树脂共混制备了高抗冲塑料乙丙橡胶与苯乙烯及丙烯腈的三元共聚物（AES）。研究了AN／St—AN和EPM／St-AN的配料比对接枝反应体系的单体转化率、接枝率和接枝效率及AES缺口冲击强度的影响。用FTIR对EPM—g—SAN所含g—SAN（包括接枝链和非接枝共聚物）的组成进行了定量分析。结果表明,当AN质量分数为35％、EPM质量分数为60％,接枝反应体系的单体转化率、接枝率和接枝效率分别为92％、45％和27．6％。在此条件下合成的EPM—g—SAN对SAN树脂的增韧效率最高,用其制备的AES的悬臂梁缺口冲击强度达到53．2kJ／m^2。FTIR定量分析表明,在EPM—g—SAN的g—SAN中AN单元的平均组成比小于AN单体的配料比,而AN单元在接枝链SAN中的组成比小于在非接枝共聚物SAN中的组成比;当g—SAN所含接枝链的组成与非接枝共聚物的组成相等时,其EPM—g—SAN对SAN树脂有更高的增韧效率。     

EPDM-g-MAN的合成及AEMS的冲击性能研究

用(乙烯/丙烯/二烯)共聚物(EPDM)与甲基丙烯酸甲酯(MMA)、丙烯腈(AN)进行溶液接枝共聚合成了(EPDM/MMA/AN)接枝共聚物(EPDM-g-MAN),并将其与(苯乙烯/丙烯腈)共聚物(SAN)共混制得高抗冲耐老化黄变性能优异的EPDM-g-MAN/SAN共混物(AEMS).研究了AN用量对不同EPDM-g-MAN接枝体系单体转化率(CR)、接枝率(GR)、接枝效率(GE)及AEMS缺口冲击强度的影响.结果发现,随着AN用量的增加,EPDM-g-MAN的CR逐渐下降;GR、GE在AN质量分数为5%时出现最大值;AEMS的缺口冲击强度均在AN质量分数为10%时出现最大值,为61.0 kJ/m2;EPDM相以条状形态构成的近连续相结构存在,径向尺寸较小的EPDM条形结构能诱发SAN基体剪切屈服,径向尺寸较大的EPDM条形结构仅能诱发基体空穴化.     

悬浮法PEB-g-SAN的合成及其对SAN树脂的增韧作用

以(乙烯/1丁-烯)共聚物(PEB)、苯乙烯(St)和丙烯腈(AN)为原料,采用悬浮接枝共聚法合成了(苯乙烯/丙烯腈)共聚物(SAN)接枝PEB(PEB-g-SAN),用其与SAN熔融共混制备了冲击性能优异的增韧塑料AEBS。研究了反应条件对单体转化率(CR)、接枝率(GR)、接枝效率(GE)及AEBS冲击性能的影响。结果表明,在适宜的聚合条件下,PEB/St-SAN悬浮接枝体系具有较高的CR、GE和GR,分别可达94.8%、49.3%和38.2%。当PEB质量分数为25%时,AEBS的缺口冲击强度高达42.8 kJ/m2,约为纯SAN(1.2 kJ/m2)的35倍。扫描电子显微镜分析表明,增韧机理以剪切屈服为主。动态机械分析表明,在PEB-g-SAN接枝反应中,当PEB质量分数为55%、AN为35%时,其增韧的AEBS的两个tanδ峰向内靠拢程度最大,SAN与PEB-g-SAN的相容性最好。     

HIT太阳电池的单晶硅表面腐蚀工艺的研究

对用于HIT太阳电池的单晶硅要求有良好的界面特性,而且要求单晶硅衬底的厚度比较薄.采用各向异性腐蚀的方法制得了具有绒面结构的单晶硅衬底.腐蚀时间为40 min时,能够得到表面反射率最低的界面,平均反射率为10.9%,同时也具有规则的金字塔结构,且厚度满足制作HIT太阳电池的要求,在250 μm左右.还研究了用各向同性腐蚀的方法来减薄硅片,具有较高的腐蚀速率.     

溶胶-沉淀法制备钛酸锶钡粉末及其水热处理

通过溶胶一沉淀法制备出完全钙钛矿结构的Ba0.71Sr0.29TiO3(BST)粉末,粉末的颗粒尺寸约为300nm。但得到的BST粉末不稳定,在乙酸中容易兮解。通过TG-DTA和XRD分析,直接沉淀得到的粉末颗粒失重大,而且由于颗粒所吸附的有机物阻碍了Ba^2 和Sr^2 的扩散,造成了直接沉淀的BST颗粒内部的组分不均匀和结晶不完全。通过对直接沉淀的BST粉末进行150-200℃的水热后处理,其结晶性得到了很大的改善,稳定性也得到了提高。实验表明,水热处理具有与烧结相似的效果,但BST粉末的分散性得到了改善。     

电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106.     

流延法制备钛酸锶钡厚膜

采用流延法在有凹槽的硅片上制备出钛酸锶钡((Ba,Sr)TiO3)厚膜材料。为了提高薄膜的致密性和降低烧结温度,采用溶胶沉淀法制备BST纳米粉末,并结合水热处理进一步提高其结晶性,降低颗粒中有机物的吸附量。所得BST厚膜烧结温度约为1 200℃。经1 000℃、5 h热处理后,BST厚膜厚约30μm,表面平整,且较致密。介温谱表明其相变温度约为30℃,介电损耗约为0.02,与薄膜材料相比,其介温变化率有较大的提高。     

RF磁控溅射法原位制备C轴择优取向ZnO薄膜

采用RF磁控溅射法在玻璃衬底上原位低温生长ZnO薄膜.生长出的薄膜对可见光具有高于90%的透射率,该薄膜具有良好的C轴取向.利用X射线衍射(XRD)的测试结果,分析了溅射工艺条件如衬底温度、氩氧比和溅射气压等对薄膜性能的影响,得到最佳的生长工艺条件为:衬底温度300 ℃,溅射气压1 Pa,氩氧比为25 sccm∶15 sccm.在此条件下生长的ZnO薄膜具有良好的C轴择优取向,并且薄膜的结晶性能良好.采用这种方法制备的ZnO薄膜适合用于制备平板显示器的透明薄膜晶体管和太阳电池的透明导电电极.