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71.
对佳木斯市1983年~2017年二氧化硫监测结果进行了统计。使用Minitab软件对获得监测数据进行统计,统计结果表明,环境空气中二氧化硫浓度值与排放量均呈现正态分布,且具有一定的相关性。采用秩检验法对二氧化硫变化趋势进行了分析,分析结果表明佳木斯市1983年~2017年二氧化硫浓度值呈现降低趋势,空气质量趋于向好。 相似文献
72.
利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、热力学软件Thermo-calc等研究了MG600锚杆钢奥氏体晶粒的长大规律。结果表明:加热温度对晶粒长大的影响比保温时间更显著,温度越高晶粒长大速率越快,但长大速率受界面曲率的影响而不断减小。热力学计算证明较低温度下V(C,N)的析出是抑制晶粒长大的主要因素。随着温度的升高,V(C,N)溶解以后,奥氏体晶粒进入平稳长大阶段。借助Sellars方程建立的MG600钢奥氏体晶粒长大模型与试验实测值吻合较好,能够较好地预测不同温度下的奥氏体晶粒尺寸。 相似文献
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75.
76.
研究了先进CMOS器件中poly-Si/TaN/HfSiON栅结构的干法刻蚀工艺。对于poly-Si/TaN/HfSiON栅结构的刻蚀,我们采用的策略是对栅叠层中的每一层都进行高选择比地、陡直地刻蚀。首先,对于栅结构中poly-Si的刻蚀,开发了一种三步的等离子体刻蚀工艺,不仅得到了陡直的poly-Si刻蚀剖面而且该刻蚀可以可靠地停止在TaN金属栅上。然后,为了得到陡直的TaN刻蚀剖面,研究了多种BCl3基刻蚀气体对TaN金属栅的刻蚀,发现BCl3/Cl2/O2/Ar等离子体是合适的选择。而且,考虑到Cl2对Si衬底几乎没有选择比,采用优化的BCl3/Cl2/O2/Ar等离子体陡直地刻蚀掉TaN金属栅以后,我们采用BCl3/Ar等离子体刻蚀HfSiON高K介质,改善对Si衬底的选择比。最后,采用这些新的刻蚀工艺,成功地实现了poly-Si/TaN/HfSiON栅结构的刻蚀,该刻蚀不仅得到了陡直的刻蚀剖面且对Si衬底几乎没有损失。 相似文献
77.
弱胶结软岩巷道围岩具有胶结差、遇水泥化、强流变性等工程特点,受采动影响,巷道围岩呈现非对称变形且底臌问题严重.以宁夏梅花井煤矿232201工作面辅助运输巷为工程背景,综合采用现场调研、数值模拟和理论分析等方法,研究了不同煤柱尺寸下,采动巷道围岩塑性区分布形态及应力分布特征,确定合理煤柱尺寸为40m;基于软岩巷道变形破坏... 相似文献
78.
79.
火花间隙的控制电路在高电位下供电问题是其研制技术的一个重要内容。阐述了基于电流互感器供电的串补平台电源的原理、控制策略,其特点可以满足火花间隙的触发控制电路供电要求。研究了线路轻载和线路故障2种工况对平台电源的影响,并提出设计方法,进行了相关试验验证。试验结果证明:在稳态条件下,线路电流在5%~120%范围内,该电源能够很好为负载电路提供2 W左右的能量,并且满足输出端电压波动不超过5%要求。同时在线路短路暂态过程中,该电源仍能够可靠正常工作。 相似文献
80.
RD627是一种新颖的多普勒效应传感器件,是利用超声波传播的多普勒效应制成的一种传感器,它能将物体移动时的位移信号转换成相应的电信号,该器件可广泛用于各种自动灯具、自动门及防益报警器等方面。 相似文献