半导体制造业群英在苏州论“芯”

由中国半导体行业协会主办,中国半导体行业协会集成电路分会承办,江苏省半导体行业协会、苏州工业园区管委会、苏州市集成电路行业协会协办,深圳市亚科希信息顾问有限公司组办的“中国集成电路产业发展研讨会暨第八届中国半导体行业协会集成电路分会年会”,于2005年12月1日~2日     

东芝中等功率SiGe BiCMOS功放芯片

东芝美国电子元器件公司(ToshibaAmericaElectronicComponents,TAEC)日前发布一款中等功率SiGeBiCMOS功率放大器TA4401CT,该产品适合于1.9GHz至2.5GHz频带的无线应用,包括无线LAN(WLAN)、PHS以及蓝牙等。TA4401CT采用了3个串联RF级以实现线性、高效和低功耗的性能优化,该器件符合IEEE802.11g标准,在18dBm平均输出功率下具有27.5dB的增益和3%的误差向量(EVM)。同时,在3.3Vdc电源下电流消耗为125mA。TA4401CT也符合PHS规范,在23dBm输出功率和35dB增益下电流消耗为210mA。TA4401CT采用无铅扁平外形的2.9mm、16引脚C…     

美国国家半导体高精度低电压放大器

美国国家半导体公司(NationalSemiconductor)宣布推出九款采用专有的VIP50BiCMOS工艺技术制造的单组装、双组装及四组装运算放大器。这九款产品不但在准确度、功耗及电压噪音等方面有大幅的改善,符合工业设备、医疗仪器及汽车电子系统的严格要求,而且体积也极为小巧,适用于各种便携式电子产品。LPV531、LMV654、LMV792、LMV796及LMV797等芯片是新推出的五款低功耗、低电压放大器,具有较高的增益带宽积。LMP7704、LMP7712、LMP7715及LMP7716等芯片是新推出的四款单组装、双组装及四组装高精度放大器,这些产品性能更高,输入偏…     

晶硅太阳能电池项目落户安徽

日前,新余吉阳控股股份有限公司签约总投资50亿元的高效晶硅太阳能电池项目落户安徽天长。据了解,此次在安徽天长建设年产能1920 MW高效晶硅太阳能电池生产线项目,占地面积约700亩,将在天长建成大规模、低成本、高效率的太阳能电池板生产基地及工艺、设备研发中心和一所光伏学院。该项目一期将于2010年12月     

东芝强推功率半导体 登顶世界第一宝座

作为进行功率半导体业务的东芝公司在近期发布会上表示夺取市场份额首位宝座的决心。由于面向社会基础设施和汽车等的功率半导体市场将大幅增长,因此东芝首席常务执行董事、半导体和存储器社长小林清志表示,我们将     

Vishay Siliconix的双芯片P沟道器件刷新业内最低导通电阻纪录

日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新款双芯片20 V P沟道第三代TrenchFET~(?)功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2 mm×2 mm占位面积的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,具有8 V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新的SiA923EDJ可用于DC-DC转换器,以及智能手机、MP3播放器、平板电     

RFID芯片成本持续下降 四年内市场有望翻番

据iSuppli公司,经过多年的发展之后,中国的射频识别(RFID)半导体市场未来几年将突飞猛进,达到巨大的规模,2009-2014年销售额将增长一倍以上。预计2010年中国RFID市场将增长到14亿美元,比2009年的11亿美元增长22%。但这与接下来的几年相比就相形见绌了。到2014年,RFID市场将达到24亿美元,是2009年的两倍多。     

SiZ710DT:功率MOSFET

Vishay推出采用PowerPAIR 6 mm×3.7 mm封装和TrenchFET GenⅢ技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET——SiZ710DT,新器件比其前一代器件的导通电阻减小43%,同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET,导通电阻低。SiZ710DT的低边Channel 2 MOSFET利用了非对称结构在优化空间上的