四旋翼无人机的高度控制

为实现对四旋翼无人机飞行高度的控制,采用气压高度计对高度信息进行反馈,同时使用竖直加速度数据进行补偿.为了减少由建模误差对控制效果产生的影响,并使系统具有较强的鲁棒性,设计了模型参考滑模控制器(MRSMC,model reference sliding mode controller),同时对于无法直接测量的状态量使用卡尔曼滤波器来进行推测.实验结果表明所设计的控制器具有良好的稳定性和鲁棒性.     

金属／YSZ电极对氧传感器性能的影响

借助交流阻抗谱测试技术和扫描电镜,对Pt,Au,Ag,Ag—Pt,Ag—Pd电极浆料所制金属／YSZ电极的界面电阻、激活能进行了研究,并计算了由其构成的氧传感器达到90％响应量所需时间。研究表明：400-600℃时,02在Ag／YSZ电极上反应速率最快,激活能最低,为91kJ·mol^-1;Pt／YSZ电极激活能最高,为183kJ·mol^-1,电极反应速率控制步骤为吸附氧原子在电极表面的扩散过程;Ag—Pt,Ag—Pd／YSZ电极激活能均较Ag／vsz电极高,Pd含量增大时,Ag—Pd／YSZ电极激活能亦增大;400-450℃时,Ag／YSZ氧传感器响应时间最短,450-600℃时,Ag-1％Pd／YSZ氧传感器响应最快。     

前向纠错技术在EPON中的应用与分析

讨论了在以太无源光网络(EPON)中应用前向纠错(EEC)技术的利弊两个方面.其有利的方面是可以加倍PON的距离或光分路器的分光比;不利的是会带来开销,延时和增加复杂性及提高成本.经分析后指出了FEC技术整体上对EPON系统还是利远远大于弊的.最后给出了FEC技术中编解码模块用FPGA实现的仿真结果.     

溅射SiGe薄膜及其等时等温退火效应

分别在n-Si(100)和SiO2衬底上用离子束溅射法淀积SiGe薄膜.用俄歇电子谱测定薄膜Ge含量为15%～16%.对样品进行常规炉退火以考察退火温度和时间对薄膜结晶度的影响.采用X射线衍射确定薄膜物相.发现在同样退火条件下,SiGe在n-Si衬底上比SiO2上有更高的结晶度.通过曲线拟合,得到平均晶粒尺寸与退火温度和时间的依赖关系分别是自然指数和近线性的抛物线函数.推断出溅射SiGe薄膜的热退火结晶可能是晶粒生长控制过程.     

Pt/YSZ电极烧制工艺研究

借助交流阻抗谱测试技术和扫描电镜,研究了Pt/YSZ电极烧制工艺条件对其性能的影响.研究表明,制作Pt/YSZ电极时烧结温度越高,电极阻抗越大,氧传感器响应越慢,但O2的电极还原反应速率控制步骤(＞600℃,吸附氧原子Oatm在Pt表面向YSZ的扩散过程;＜500℃,气相O2分子在Pt/YSZ界面附近的解离吸附过程)未发生变化;电极烧结的升/降温速率对电极阻抗和氧传感器响应时间有显著影响,降温速率增大还会使电极反应激活能发生突变(＞600℃,激活能由169kJ/mol突然增至(217±4)kJ/mol);当Pt/YSZ电极工作温度＜500℃时,其最优烧制工艺为烧结温度700℃,升/降温速率0.5～1℃/min.     

电场增强金属Al和Ni诱导非晶硅横向结晶

本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅（a-Si）薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶（MILC）相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管（TFT）中的应用。指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但场强超过一临界值后,则降低该速率,并基于电迁移效应较合理地解释了该现象。     

单位劳动成本与中美贸易收支关系的实证研究

文章利用1980~2007年的数据分析了中国制造业单位劳动成本的发展及其与美国的比较,并且通过构建相对单位劳动成本这一重要指标,运用计量方法检验了其对中美贸易收支的影响。结果表明,从相对单位劳动成本的角度来看,中国对美国还保持较大的出口竞争优势,并且制造业相对单位劳动成本优势的扩大,有利于中国对美贸易顺差的扩大。文章最后提出了应对中美贸易发展的一些相关建议。     

脉冲阵列式套管消磁仪设计

阐述了脉冲阵列式套管消磁仪的工作原理及主体结构,选用了电磁退磁作为套管消磁的方法,重点介绍了消磁线圈的结构设计和电路控制的工作原理。激励线圈使用阵列式组合,通过改变线圈的电流方向和大小来实现套管退磁。     

30CrMnSiA电渣锭表面裂纹问题的探讨

通过对30CrMnSiA电渣锭凝固过程中组织转变的研究，确定了表面裂纹产生的原因，并提出解决问题的方法。     

线切割机维修实例

型号TICW-2535-C故障现象一给高频电源，BXZ上的SA保险管就烧毁，而且烧得较严重。故障检查拆下高频电源板，怀疑大功率管万一Tll击穿，但用万用表检查均无问题，检查CI也无问题。在CZ两端用稳压电源加上直流12V电压，用示波器测②、③、③、⑤点均无波形并且③点始终为高电平。检查T4时，发现T4的发射极管脚断了，检查Th时，发现Th的发射极管脚也因生锈而断开。重新换上Th、T4后，用示波器测③、③、③、＠点均有高频脉冲，安装好后，通电试验一切正常。②泅、。、⑤点请看原理图n故障分析Th的发射极管脚断开造成由TI和D组成的…