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本文通过数值方法解浓度相关的扩散方程来研究二维离子注入剖面经热处理后的再分布。掩模边缘可以是离子或化学刻蚀的,而初始剖面可以是高斯或PearsonⅣ型。结果表明,在非理想掩模条件下,硼离子的侧向扩展主要是由工艺的初始条件所决定。侧向扩展的宽度可达到垂直方向的两倍。但是,对于温度低于1200℃及时间少于40秒的热处理,侧向结深的移动是不明显的,因此对于典型快速热退火,侧向结深基本上保持不变。然而,即使在1100℃,30秒的热扩散,垂直方向的结深却增加了5%。 相似文献
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外滩是上海的一张景观名片,面对着开阔的母亲河——黄浦江,背倚着造型严谨、风格迥异、有"万国建筑博览群"美誉的外滩建筑群。外滩隧道由南向北穿越了整个外滩。代表现代交通科技的隧道工程,介绍了设计中对外滩隧道工程景观的整体风格构思,并深入分析了隧道出入口、内景、隧道风塔、装饰材料选择等景观设计要点。 相似文献
73.
略论大学教育的"自组专业"模式 总被引:1,自引:0,他引:1
王曦 《湖南工业职业技术学院学报》2006,6(1):95-97
大学教育改革必须实行“自组专业”的模式。所谓自组专业,就是由学生自主地自由地选取自己所喜爱的课程并由此组成自己所喜爱的专业。它在教育理念、学校职能和学生地位上完全不同于现行的即传统的“自选专业”的模式。大学教育实行自组专业模式体现了时代发展的方向。 相似文献
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本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力. 相似文献
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回想起第一次听到对 Boost 的介绍,维护着 Boost 在国内的镜像,在日常的编程中字里行间与 Boost 这个字眼的亲密接触,参与 Boost mailing lists 的讨论,看着周围使用 Boost 的人越来越多,恍惚间竟已两年。其间更有 Stanley Lippman 加入 Microsoft Visual C++编译器组时的郑重承诺,BorlandC++ Builder X 分发 Boost 库……技术和商业巨子的推崇,让Boost 为越来越多的程序员所关注。Boost,一个集泛型技术之大成者的库。本身的发展得益于泛型技术的进步。同时其中许多颇具试验性质的库,又令 Boost的使用者对其“出神入化”泛型技巧感到瞠目结舌。如何正确理解 Boost 这个功能强大的库,确实是摆在我们开发者面前的一道难题。 相似文献
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采用一种新型的等离子体浸没式离子注入技术 (PIII)在渗硼后的 5 0Mn钢试样上制备出了厚度为 0 .15~ 0 .2mm的立方氮化硼 (c BN)表面硬化层。经X射线电子能谱 (XPS)和X射线衍射分析 (XRD) ,发现硬化层中的组织有立方氮化硼 (c BN)、六方氮化硼 (h BN)、B2 O3,FeB和Fe2 B。在表层 60nm的深度范围内 ,c BN的含量较高。采用球盘式无润滑滑动摩擦实验和维氏显微硬度实验分别对渗硼 PIII复合处理以及单独渗硼的 5 0Mn钢试样的性能进行了对比实验。结果表明 :与单独渗硼的试样相比 ,经渗硼 PIII复合处理的试样具有高得多的硬度 (高达HV0 .1N44GPa)和耐磨性 相似文献
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微生物会对人类健康产生直接影响,对相关数据的分析有助于疾病诊断。然而,采集到的数据存在类不平衡与高稀疏性两个问题。现有的过采样方法在一定程度上可缓解数据的类不平衡,但是难以应对微生物数据的高稀疏性。本文提出了一种融合矩阵分解和代价敏感的数据扩增算法,其包含3个技术。首先,将原始矩阵分解为样本子空间和特征子空间;其次,利用样本子空间的正向量及其近邻向量生成合成向量;最后,根据合成向量与所有负向量的距离对其过滤。实验在8个微生物数据集上进行,同时与5种过采样算法对比,结果表明本文所提算法能够增强正样本的多样性,在识别出更多正样本的同时,分类结果的代价更低。 相似文献