DCS在焦炉地面除尘系统中的应用

以和利时DCS系统在某100万t捣固焦炉地面除尘站系统中的应用为例,介绍了袋式除尘系统的工艺流程、工艺联锁与控制要求,并依此制订了基于和利时MACSV系统的详细实现方案。系统具有免维护、除尘效果良好等特点。系统投运后,不仅减少了工人劳动强度,改善了工厂周边环境,并且取得了良好的经济效益和社会效益。     

基于非竞争机制的改进GAF拓扑控制算法

能量问题是制约无线传感器网络发展和应用的瓶颈之一。为均衡网络节点的能量消耗,延长网络的生命周期,需要建立高效的拓扑控制机制。在深入研究GAF算法的基础上,提出了一种基于非竞争机制的改进算法。利用建立的适合度函数和顺序表优化了簇头的选举策略;通过改进虚拟单元格的划分方法,并推导出动态剩余能量阈值估算公式,有效地改善了GAF算法的相关性能。仿真结果表明,改进算法对于减少拓扑控制耗费、延长网络生命周期具有显著效果。     

OTH雷达图像的粗糙度指标及用于射频干扰自适应抑制

针对OTH (Over-the-horizon) 雷达距离?多普勒(Range-Doppler, RD)图, 本文首次提出采用纹理粗糙度作为RD图质量的评价指标, 即计算RD图所转化灰度图的Tamura纹理粗糙度. 分析表明, 粗糙度指标能准确反映RD图受干扰情况, 对于不同灰度转换函数具有稳健性. 作为应用举例, 本文将图像粗糙度用于改进射频干扰抑制算法, 使干扰抑制达到自适应优化. 实验结果表明, Tamura粗糙度能够正确反映RD图干扰抑制情况, 优化粗糙度指标能够使干扰抑制自适应达到最优.     

InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器

采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82?。77 K下,SiO_2钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10~5Ω?cm~2,暗电流密度为5.27×10~(-7)A?cm~(-2),侧壁电阻率为6.83×10~6Ω?cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10~6Ω?cm~2,暗电流密度为4.12×10~(-7)A?cm~(-2),侧壁电阻率为4.49×10~7Ω?cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。     

具有防冷凝加热系统空—空冷却高压电机的研制

阐述了空—空冷却高压电机的电磁设计特点及通风冷却系统、防冷凝加热系统     

无人机航迹规划与监控系统设计

无人机作为现代战争中广泛使用的设备,使无人机安全、准时完成任务。航迹规划就是针对各种任务需求,为无人机提供一条或多条可行航线,确保无人机处于自主飞行状态。本研究目的是研发通用性特征的无人机航迹规划与监控系统,在阐述设计该系统原则基础上,详细介绍无人机航迹规划与监控系统分层架构及用户控制层、数据管理层等,并提出开展各项测试。结果表明,所设计系统能顺利通过测试,达到实际应用的需求。     

基于改进的BP神经网络的网络空间态势感知系统安全评估

文中利用BP神经网络算法建立了网络态势感知等级与感知参数之间的关系,定量评估了态势感知状况。神经网络在这一领域的研究最为成熟,但传统的BP神经网络算法在反馈误差方面速度较慢,且存在易收敛到局部极值的缺点,因此使用变步长学习策略和模拟退火法进行优化,搭建虚拟HoneyNet模拟网络环境,然后利用Matlab软件进行算法仿真,获得的结果与实际情况接近。     

谁是信息产业领军人物？——2005中国信息产业经济年会

本刊讯12月2日～3日,2005中国信息产业经济年会在京举行。本届年会以“企业自主创新与产业国际竞争力提升”为主题,近30位政府官员、知名专家、企业精英等演讲嘉宾及400多位业内人士共聚一堂,共同探讨全球化竞争环境下中国信息产业的现状、发展热点和企业战略,努力推动我国信息产业持续、快速、协调、健康发展。中国电子信息产业发展研究院院长张旭明在大会发言中表示,“中国信息产业经济年会,已经成为中国信息产业最具影响力的年度盛会,对推动中国信息产业发展和中国信息化发展产生了深远影响,引领了中国信息产业的未来走向。在十六届五中…     

NiCr薄膜微加热器在低温环境下的电学特性研究

设计了一种适用于深低温环境的微型加热器。使用AC磁控溅射技术将NiCr(80/20 at.%)合金沉积到SiO2/Si基底上,并采用微加工工艺实现薄膜图形化,作为加热器的加热元件。研究了NiCr薄膜的电学性能和晶体结构与退火条件之间的关系。实验表明:在450℃氮气环境下退火30min,可以获得深低温性能优良的NiCr加热器。该加热器在20K时的电阻温度系数(TCR)为80.80×10-6/K。X射线衍射(XRD)分析显示NiCr薄膜在450℃氮气环境下退火后,薄膜的结晶度增大,因此,退火条件对薄膜的电阻率和电阻温度系数有较大的影响。     

精密孔径在线测量数据处理技术研究

介绍了精密孔加工误差在线测量技术、误差分析技术及计算方法,使孔径的高精度加工、测量成为可行。