高传输特性的MgB2成材研究进展

MgB2高温超导体的发现，掀起了面向应用的MgB2成材研究的热溯。综述了MgB2线带材和薄膜的成材研究进展及应用前景。     

美国钛金属公司推迟分红 股票评级下降

近日，美国钛金属公司(Timet)决定推迟分红后，美国评级公司标准普尔（S&P）将其股票评级从“C”降至“D”。同时S&P确定了Timet公司信用评级为“B”级。S&P称，2002年12月1日，Timet公司推迟其价值2.012亿美元可转换信托优先股的分红后，作为这次等级变动。目前的等级反映了Timet公司作为一个生产海绵钛及制成品的联合企业的地位，同时也反映出其较差的收益率和现金流保护措施，以防范非常疲软的市场环境。航空工业受到2001年9.11恐怖袭击事件的沉重打击，导致生产量下降，飞机交货延期及定单取消。 50%和Timet公司供货量的55%，有希…     

C掺杂对MgB2超导体水解行为的影响

采用固态反应法制备了纯MgB2和C掺杂MgB2超导体。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能谱分析（EDS）和物性测试仪（PPMS）研究了纯MgB2超导块材和C掺杂的MgB2超导块材的水解行为对微观结构和超导电性的影响。结果表明，纯MgB2和C掺杂的MgB2超导体与水之间存在明显的化学反应。C掺杂部分进入MgB2的晶格中，其余部分以第二相粒子形式存在于晶界处，使得首先发生于晶界的水解反应受到抑制，从而提高了MgB2超导体的水解稳定性，减缓了水解反应速度。     

高温退火对过化学计量快凝合金LaNi4.75Mn1.25微观组织及电化学性能的影响

利用快速凝固工艺制备的过化学计量LaNi4.75Mn1.25无Co贮氢合金经过高温退火加水淬处理后,分析和研究了快凝合金退火后的电化学性能和组织变化.电化学实验表明,退火合金的循环稳定性相比快凝合金,在60次循环后从95%降低到92%,但随着退火时间的延长容量从246mAh/g提高到281mAh/g.DTA分析表明,快凝合金中存在非晶及晶格畸变产生的内应力,经过退火后非晶消失、晶格畸变得以恢复.XRD衍射分析表明,快凝合金保持CaCu5型结构,随着退火时间的延长,退火合金中出现的第二相也增加.与快凝合金相比,退火合金的a轴增加、c轴增加、轴比c/a减小,快凝产生的晶格畸变得到部分恢复.SEM分析表明,快凝合金的组织为细小柱状晶,退火后合金中出现由Ni、Mn组成的第二相.快凝合金经过退火后合金的活化性能和电极容量得到明显改善,但循环寿命有所降低.     

涂层导体中的TFA—MOD超导层技术进展

三氟乙酸金属有机沉积(TFA-MOD)技术在制备超导涂层导体长带方面具有低成本和高效的特点.简述了TFA-MOD技术的基本原理以及在长带技术方面的进展,讨论了利用TFA-MOD技术制备涂层导体时仍然存在的技术和基础科学问题,并展望了我国涂层导体技术的发展状况.     

C和SiC掺杂对分步反应法制备MgB2块体和线材微观结构的影响

通过两步反应法分别制备了C和SiC掺杂的MgB2块材和线材。首先,在手套箱中按一定比例均匀混合Mg粉,B粉和C或SiC粉,压块后在900 ℃密闭氩气条件下烧结2小时,得到C或SiC掺杂的MgB4块体;将一次烧结后的MgB4粉末磨碎过筛,和补充的Mg粉混合作为前驱粉末,MgB2块体在密闭氩气条件下750 ℃烧结2小时而MgB2线材在密闭氩气条件下750 ℃烧结2小时。我们同时采用传统的固态烧结法制备了C或SiC掺杂的MgB2块体以作对比。对烧结后的样品进行了微观结构和相组成等分析检测,分步反应法与以往的固态烧结法相比,不仅因降低了Mg元素的影响而提高样品组织致密性,更因其采用了分步混合粉末而大大地提高了元素掺杂的均匀性。和SiC掺杂相比C掺杂能更有效地进入MgB2晶粒和晶界。     

Mg-B二元系成相行为研究现状

综述了Mg-B二元系的相种类、相转化关系、相图以及扩散行为等基础性研究成果。分析了Mg-B二元系研究的难点所在及开展该体系研究工作的重要性，展望了该体系的未来研究发展方向。     

MgB_2块材的制备及磁通钉扎性能研究进展

金属间化合物二硼化镁(MgB2)超导体被认为是目前最有可能首先实现大规模工业应用的超导材料,尤其在制冷机工作温度(15~20K)、较低磁场(1~2T)条件的医疗核磁共振成像仪(MRI)超导磁体方面有着广阔的应用前景。回顾了MgB2超导块材在制备方面的最新研究进展,同时介绍了化学掺杂及磁通钉扎性能的研究进展;综述了前驱粉的选择、热处理条件、晶粒的连接性等一系列因素对MgB2块材性能的影响。     

原位法低温合成MgB2的孔隙形成机制

采用XRD、SEM、DSC等分析测试方法,研究原位法低温合成MgB<,2>的孔隙形成机制.结果表明,高能球磨后B小颗粒镶嵌在Mg大颗粒上,热处理时MgB2相首先在Mg、B的镶嵌区域生成.MgB<,2>相生成过程中,闭孔隙主要是由Kirkendall效应造成的,开孔隙形成的主要原因是Mg气化后与B反应形成了与环境保持连通的孔隙.