首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   294225篇
  免费   32415篇
  国内免费   30336篇
电工技术   22501篇
技术理论   10篇
综合类   19406篇
化学工业   72097篇
金属工艺   17564篇
机械仪表   14888篇
建筑科学   11265篇
矿业工程   3748篇
能源动力   9997篇
轻工业   21095篇
水利工程   3236篇
石油天然气   8420篇
武器工业   2471篇
无线电   40643篇
一般工业技术   35569篇
冶金工业   8602篇
原子能技术   4519篇
自动化技术   60945篇
  2024年   1402篇
  2023年   5414篇
  2022年   9978篇
  2021年   11305篇
  2020年   10059篇
  2019年   9165篇
  2018年   8467篇
  2017年   11035篇
  2016年   12017篇
  2015年   13092篇
  2014年   14358篇
  2013年   18407篇
  2012年   20778篇
  2011年   24346篇
  2010年   18092篇
  2009年   18874篇
  2008年   19101篇
  2007年   21443篇
  2006年   20039篇
  2005年   16650篇
  2004年   13972篇
  2003年   11340篇
  2002年   8900篇
  2001年   6762篇
  2000年   5794篇
  1999年   4707篇
  1998年   3847篇
  1997年   3085篇
  1996年   2585篇
  1995年   2125篇
  1994年   1918篇
  1993年   1439篇
  1992年   1173篇
  1991年   938篇
  1990年   802篇
  1989年   617篇
  1988年   440篇
  1987年   294篇
  1986年   303篇
  1985年   332篇
  1984年   285篇
  1983年   207篇
  1982年   263篇
  1981年   164篇
  1980年   164篇
  1979年   73篇
  1978年   61篇
  1977年   73篇
  1976年   65篇
  1975年   66篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
光电设备电子机柜布线工艺研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
作为信号和电能载体的导线,同时也是噪声的载体和外来噪声侵入设备的媒体。描述了噪声通过导线侵入设备内部的方式,通过降低噪声的途径确定了机柜布线的原则,介绍了布线的要求和方法,最后提出了用布线槽布线的建议。  相似文献   
82.
介绍了Freescale公司嵌入式微处理器MCF5282的原理、特点,给出了该处理器在嵌入式操作系统uClinux下通过I2C硬件扩展数字输入的原理,以及I2C总线的驱动程序设计流程.  相似文献   
83.
The 1/f noise in photovoltaic (PV) molecular-beam epitaxy (MBE)-grown Hg1−xCdxTe double-layer planar heterostructure (DLPH) large-area detectors is a critical noise component with the potential to limit sensitivity of the cross-track infrared sounder (CrIS) instrument. Therefore, an understanding of the origins and mechanisms of noise currents in these PV detectors is of great importance. Excess low-frequency noise has been measured on a number of 1000-μm-diameter active-area detectors of varying “quality” (i.e., having a wide range of I-V characteristics at 78 K). The 1/f noise was measured as a function of cut-off wavelength under illuminated conditions. For short-wave infrared (SWIR) detectors at 98 K, minimal 1/f noise was measured when the total current was dominated by diffusion with white noise spectral density in the mid-10−15A/Hz1/2 range. For SWIR detectors dominated by other than diffusion current, the ratio, α, of the noise current in unit bandwidth in(f = 1 Hz, Vd = −60 mV, and Δf = 1 Hz) to dark current Id(Vd = −60 mV) was αSW-d = in/Id ∼ 1 × 10−3. The SWIR detectors measured at 0 mV under illuminated conditions had median αSW-P = in/Iph ∼ 7 × 10−6. For mid-wave infrared (MWIR) detectors, αMW-d = in/Id ∼ 2 × 10−4, due to tunneling current contributions to the 1/f noise. Measurements on forty-nine 1000-μm-diameter MWIR detectors under illuminated conditions at 98 K and −60 mV bias resulted in αMW-P = in/Iph = 4.16 ± 1.69 × 10−6. A significant point to note is that the photo-induced noise spectra are nearly identical at 0 mV and 100 mV reverse bias, with a noise-current-to-photocurrent ratio, αMW-P, in the mid 10−6 range. For long-wave infrared (LWIR) detectors measured at 78 K, the ratio, αLW-d = in/Id ∼ 6 × 10−6, for the best performers. The majority of the LWIR detectors exhibited αLW-d on the order of 2 × 10−5. The photo-induced 1/f noise had αLW-P = in/Iph ∼ 5 × 10−6. The value of the noise-current-to-dark-current ratio, α appears to increase with increasing bandgap. It is not clear if this is due to different current mechanisms impacting 1/f noise performance. Measurements on detectors of different bandgaps are needed at temperatures where diffusion current is the dominant current. Excess low-frequency noise measurements made as a function of detector reverse bias indicate 1/f noise may result primarily from the dominant current mechanism at each particular bias. The 1/f noise was not a direct function of the applied bias.  相似文献   
84.
从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能,以Pb(Ti,Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考,分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外,还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。  相似文献   
85.
The mechanical properties of a medium molecular weight polyethylene (MMW‐PE) and an ultrahigh molecular weight PE (UHMW‐PE) binary mixture with different weight fractions crystallized from the melt at 0.1 and 450 MPa were studied. The tensile modulus, yield stress, and strain were obtained as a function of the weight fractions in the PE mixtures at 25 and 85°C. The tensile modulus in the sample crystallized at 0.1 MPa decreased from 1.5 GPa of pure MMW‐PE to about 0.4 GPa of pure UHMW‐PE with the UHMW‐PE content but it did not decrease with the UHMW‐PE in the sample crystallized at 450 MPa in testing at 25°C. A decreasing rate of the storage modulus E′ of UHMW‐PE in a dynamic measurement for the sample crystallized at 0.1 MPa with the temperature is larger than that of the sample crystallized at 450 MPa. These experimental facts are interpreted in relation to the molecular motion and crystallinity of the sample. © 2003 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 87: 1962–1968, 2003  相似文献   
86.
为了研究遗传密码子对表达调控的影响,利用PCR重叠延伸法,对萝卜抗真菌蛋白Rs-AFP2基因编码序列区的部分核苷酸进行沉默突变,构建突变体Rs-AFPm.序列分析表明,PCR产物全长240bp,有一个阅读框,编码的蛋白由29个氨基酸的信号肽和51个氨基酸的抗真菌蛋白组成.突变体与突变前的Rs-AFP2基因相比,在编码区第3号氨基酸Lys相差一个碱基(TTG→TTA),第5号氨基酸Gln相差一个碱基(CAG→CAA),第6号稀有密码子Arg相差两个碱基(CAG→CGA).重新合成引物,将切除信号肽的Rs-AFP2基因和Rs-AFPm基因与原核表达载体pET-21b(+)分别重组到大肠杆菌BL21菌株.IPTG诱导后,二者均得到了表达.软件分析显示,突变前pETAFPo表达产物占全菌蛋白的3%,突变后pETAFPm的表达产物占全菌蛋白含量的8%;表达蛋白主要以包涵体的形式存在,包涵体经超声波破碎后,蛋白质复性,抑菌结果表明,pETAFPm表达产物的抑菌半径大于pETAFP2表达产物的抑菌半径.这些都说明改造后的Rs-AFPm基因与Rs-AFP2基因相比,已有效地提高表达量.  相似文献   
87.
基于ISPl581的USB2.0键盘数码管控制设备的设计严格遵循USB2.0协议,体现了USB即插即用、易扩展、低干扰的特点,实现了主机和设备之间简单、快速、可靠的连接和通信。文章介绍了基于ISP1581的USB2.0键盘数码管控制设备的硬件、软件的设计方法。  相似文献   
88.
基于扩展分形和CFAR特征融合的SAR图像目标识别   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了多信息融合技术在SAR图像目标识别中的应用。将扩展分形特征(Extended Fractal)与双参数恒虚警特征(Double Parameter CFAR)形成的多信息进行融合处理。运用Dempster-Shafer证据理论,在决策层对SAR图像中的像素进行识别分类。实验结果表明通过融合对像素分类的准确性明显好于单特征的检测结果,减少了虚警概率,提高了系统的识别能力。  相似文献   
89.
提出一种视频点播系统传送数据的结构,结合单播与群播两种数据传送的方法,通过动态改变群播与单播的频道分配比例,让大部分的使用者无需等待即可开始观看影片,进而减少整体使用者的等待时间.  相似文献   
90.
CMP系统技术与市场   总被引:3,自引:1,他引:2  
概述了CMP系统技术的发展历史、发展趋势以及在IC生产中的重要性,介绍了国外CMP设备主要制造厂家的设备型号和性能及CMP设备市场分布和需求,阐述了CMP系统技术的基础研究、关键技术和国内研究概况。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号