窄禁带N型掺杂HgCdTe中自由载流子的奇特性质

研究已表明掺杂HgCdTe中不存在对于自由载流子等离子体振荡的朗道阻尼,本文进一步研究了HgCdTe掺杂及随之产生的简并对自由载流子能量色散关系的影响,并将这种影响计入自由载流子的介电函数后,从理论上证明了掺杂窄禁带半导体中不存在朗道阻尼的现象是由于自由载流子能量色散关系变化引起其运动行为变化所致。     

掺杂的MgB2超导体中Fe和Co的局域环境

由于MgB2具有39K的超导转变温度，因此使它成为另一类别的高温超导体的新成员，它可以用做穆斯堡尔谱仪这种化学探测技术的激发靶。穆斯堡尔谱仪可以用来探测固体的电子特性，震动特性和磁特性。如果所研究的材料中不含穆斯堡尔激发元素，那末就需要掺杂，最常用的是Fe。用穆斯堡尔谱仪对高Tc铜氧化物超导体虽已进行过广泛的研究，但是由于这种铜氧化物超导体结构的复杂性，使穆斯堡尔谱的解释变得非常困难。而MgB2仅含有两种元素，因此仅有两个可能的代位位置。匈牙利科学院结构化学核技术研究所最近用掺杂Fe和Co的MgB2超导体研究了掺…     

单台固定的激光晶体发射出红、绿、蓝色光

含有单个活性增益材料的固体激光器同步产生了红、绿、蓝色光，这种器件对于全彩色成像系统是非常有价值的．具有特色的是，该RGB激光是由激光棒和非线性晶体的复杂组合而实现的．单晶RGB激光器的一个样机已由法国Claude Bernard-Lyon大学和中国科学院开发出来，它是由基于钕掺杂的四硼酸钆铝晶体(NGAB)制作的．     

有机掺杂体系中的Foerster能量传递及其在电致发光中的应用

给体的光致发光量子效率、受体的消光系数及给体的发射谱与受体的吸收光谱的重叠程度，这3个因素对给体与受体间的能量传递效率有重要影响，这对于扩大材料的选择范围，实现有机电致发光的全色显示有重要启示。研究发现在Alq3中掺杂DCM制得的器件很好地满足了这3个条件。本文从Foerster能量传递的3个影响因素出发，对Alq3／DCM、TPD／Alq3等不同掺杂体系的光致发光、电致发光特性和能量传递效率等进行了讨论。     

发射极δ掺杂的InGaAs/InPDHBT的特性分析

设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和.     

溶胶一凝胶法制备ZnO：Al导电薄膜的研究

采用溶胶-凝胶工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向的ZnO：Al透明导电薄膜。利用扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）等分析手段对薄膜进行了表征。通过标准四探针法及紫外分光光度计（UVS）透射光谱研究了ZnO：Al薄膜的电学与光学性能。实验发现：当Al^3＋离子掺杂浓度为2％（原子分数），前处理温度为220℃、退火温度为580℃时，薄膜具有较好的导电性，电阻率为1．76×10^-3Ω-cm，其在可见光的平均透射率在80％左右。     

La3+掺杂对纳米TiO2微观结构及光催化性能的影响

以钛酸丁酯和氯化镧为原料,采用溶胶-凝胶法制备了La3+掺杂TiO2纳米粉体,讨论了不同掺杂浓度、不同热处理温度的样品催化降解刚果红染料实验中的光催化活性,并通过X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)分析了La3+掺杂TiO2样品的相组成、晶胞参数和晶粒大小对光催化活性的影响.结果表明:La3+掺杂能够显著提高TiO2粒子的光催化活性,最佳掺杂浓度为100∶3 0,最佳热处理温度为600℃;La3+掺杂的TiO2的相组成是影响光催化活性的决定性因素;晶格膨胀程度及晶粒大小对光催化活性的影响,主要是在相组成相同或相近时才体现得比较明显.